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发明公开
抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜和其形成方法、图案形成方法以及化合物及其制造方法无效

公开(公告)号：CN112470077A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980049161.0

申请日：2019-07-25

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中藤慎也 , 中津大贵 , 谷口智章 , 小田智博

IPC: G03F7/11 , C08G61/10 , G03F7/26 , H01L21/027

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可形成蚀刻耐性、耐热性、平坦性和膜缺陷抑制性优异的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂下层膜的形成方法、图案形成方法、化合物及化合物的制造方法。本发明为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：具有1个或多个由下述式(1)所表示的部分结构的化合物、以及溶剂。下述式(1)中，Ar1为从取代或未取代的环元数6～30的芳烃中去除芳香族碳环上的(p+1)个氢原子而成的基团，或者从取代或未取代的环元数5～30的杂芳烃中去除芳香族杂环上的(p+1)个氢原子而成的基团。R3为乙炔二基或者取代或未取代的乙烯二基。

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