公开(公告)号：CN104603691A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046579.9

申请日：2013-09-06

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 丰川郁宏 ,  中藤慎也 ,  若松刚史

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/09 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及一种含有杯芳烃系化合物和有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该杯芳烃系化合物中杯芳烃具有的酚性羟基的氢原子的至少一部分被碳原子数1～30的1价的有机基团取代。上述1价的有机基团优选含有交联性基团。作为上述杯芳烃系化合物，优选酚性羟基的氢原子的一部分被取代。作为上述杯芳烃系化合物中的取代酚性羟基的个数与无取代酚性羟基的个数的比，优选为30/70～99/1。

公开(公告)号：CN104603691B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201380046579.9

申请日：2013-09-06

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 丰川郁宏 ,  中藤慎也 ,  若松刚史

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/09 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及一种含有杯芳烃系化合物和有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该杯芳烃系化合物中杯芳烃具有的酚性羟基的氢原子的至少一部分被碳原子数1～30的1价的有机基团取代。上述1价的有机基团优选含有交联性基团。作为上述杯芳烃系化合物，优选酚性羟基的氢原子的一部分被取代。作为上述杯芳烃系化合物中的取代酚性羟基的个数与无取代酚性羟基的个数的比，优选为30/70～99/1。

公开(公告)号：CN119013625A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380033518.2

申请日：2023-04-10

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 小川卓 ,  中藤慎也 ,  安藤光香 ,  菅野贵美幸 ,  多田罗了嗣 ,  伊东宏和

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明的一方式涉及一种感光性树脂组合物、具有图案的树脂膜、具有图案的树脂膜的制造方法、及半导体电路基板，所述感光性树脂组合物含有：(A)聚合物，为选自由聚酰亚胺及聚酰亚胺前体所组成的群组中的至少一种、且包含具有源自下述式(1)所表示的酸酐的结构单元的结构单元(a)以及源自二胺的结构单元(b)、并且在聚合物末端具有马来酰亚胺基等；(B)光聚合引发剂；及(D)溶媒。〔式(1)中，L表示单键等，R1～R3表示氢原子等、或表示同一环内的R1与R2(或R3)相互键结而形成的亚烷基，n1～n2表示0～3的整数，Y1表示式(Y1)(‑Ar1‑)等所表示的结构。〕#imgabs0#

公开(公告)号：CN112470077A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980049161.0

申请日：2019-07-25

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中藤慎也 ,  中津大贵 ,  谷口智章 ,  小田智博

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/10 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可形成蚀刻耐性、耐热性、平坦性和膜缺陷抑制性优异的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂下层膜的形成方法、图案形成方法、化合物及化合物的制造方法。本发明为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：具有1个或多个由下述式(1)所表示的部分结构的化合物、以及溶剂。下述式(1)中，Ar1为从取代或未取代的环元数6～30的芳烃中去除芳香族碳环上的(p+1)个氢原子而成的基团，或者从取代或未取代的环元数5～30的杂芳烃中去除芳香族杂环上的(p+1)个氢原子而成的基团。R3为乙炔二基或者取代或未取代的乙烯二基。