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公开(公告)号：CN101039876A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200680001015.3
申请日：2006-10-12
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01F17/00
CPC classification number: C01F17/0043 , B82Y30/00 , C01P2002/60 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/17 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法以及使用该粉末制备CMP浆料的方法，更具体而言，涉及用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法以及使用该粉末制备CMP浆料的方法，其中通过制备铈前体，然后分解和煅烧制得的铈前体，而增大所述粉末的比表面积。控制孔分布以增大在抛光膜与抛光材料之间的化学接触面积，从而减少抛光时间同时降低粉末的物理强度，这就显著减少了在抛光膜上的刮痕。
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公开(公告)号：CN100588698C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200680000046.7
申请日：2006-01-24
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种用于选择性抛光各种SiO2膜和SiO2-Si3N4膜的氧化铈研磨剂；以及包含该研磨剂的浆料。由于采用具有六方晶体结构的六方碳酸铈作为铈的原料合成具有5nm或更小平均晶体粒度的多晶氧化铈，所以本发明的氧化铈研磨剂和抛光浆料具有高抛光速度，并且在抛光时抛光表面也无微痕。
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公开(公告)号：CN101039876B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200680001015.3
申请日：2006-10-12
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01F17/00
CPC classification number: C01F17/0043 , B82Y30/00 , C01P2002/60 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/17 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法以及使用该粉末制备CMP浆料的方法，更具体而言，涉及用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法以及使用该粉末制备CMP浆料的方法，其中通过制备铈前体，然后分解和煅烧制得的铈前体，而增大所述粉末的比表面积。控制孔分布以增大在抛光膜与抛光材料之间的化学接触面积，从而减少抛光时间同时降低粉末的物理强度，这就显著减少了在抛光膜上的刮痕。
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公开(公告)号：CN101006153A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200680000046.7
申请日：2006-01-24
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种用于选择性抛光各种SiO2膜和SiO2－Si3N4膜的氧化铈研磨剂；以及包含该研磨剂的浆料。由于采用具有六方晶体结构的六方碳酸铈作为铈的原料合成具有5nm或更小平均晶体粒度的多晶氧化铈，所以本发明的氧化铈研磨剂和抛光浆料具有高抛光速度，并且在抛光时抛光表面也无微痕。
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