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发明授权
用由假图形所形成的光刻胶掩模将层精确构图成目标图形的方法失效转让

公开(公告)号：CN1106029C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN95113199.0

申请日：1995-12-28

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 佐仓直喜

IPC: H01L21/027 , G03C5/00

CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/40

Abstract: 由于显影后烘烤中的收缩而使光刻胶掩模(23a)的表面中出现张力，而形成于光刻胶掩膜中的粘附力(23c)吸收了该张力，因而保持对半导体衬底(22)粘附力，防止了光刻胶图形出现不希望的变形(图3D)。

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