公开(公告)号：CN1507074A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310117987.7

申请日：2003-11-26

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 尾藤康则

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/7783

Abstract: 在异质结场效应型半导体器件中，沟道层(5，5)形成在GaAs衬底(1)上，不包含铝的第一半导体层形成在沟道层(9，9)上。第一导电类型的第一和第二帽盖层(11，11’，11’a，11’b)形成在所述第一半导体层上，在第一半导体层上产生沟槽(11a)。第一和第二欧姆电极(14S，14D)分别形成在所述第一和第二帽盖层上。第二导电类型的第二半导体层(15，15’，15”)形成在沟槽内的第一半导体层上，第二半导体层与第一和第二帽盖层隔开。栅电极(13)形成在第二半导体层上。

公开(公告)号：CN1151458C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN98105366.1

申请日：1998-02-26

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 铃木恭

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036

Abstract: 一种模拟半导体集成电路的方法，其中电路模拟结果考虑了相对变化。该方法根据规定的绝对和相对变化范围确定考虑到相对变化的元件参数可能的最大和最小值，即最坏情况的元件参数，从而形成变化模型。根据变化模型，考虑到相对变化以进行最坏情况模拟。

公开(公告)号：CN1123933C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN98100463.6

申请日：1998-02-27

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 近松圣 ,  渡边寿郎 ,  井上寿明 ,  小濑泰

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/812

Abstract: 一种半导体器件，多个晶体管单元平行设置在半导体衬底(1)的主表面上。每个晶体管单元包括：成列设置的多个基本单元(20)，每个基本单元(20)包含形成在半导体衬底主表面上的栅极(8a)、形成在栅极两侧的漏极(1g)和源极(1e)；沿着基本单元一侧形成且与基本单元的各个漏极相连的漏引线电极(12)；沿着基本单元另一侧形成且与基本单元的各个栅极相连的栅引线电极(8)；形成在漏引线电极一端上的漏极焊盘(21)；在栅引线电极的一端上与漏极焊盘相反的一侧形成的栅极焊盘(22)；与漏引线电极和栅引线电极不交叉，通过源极接触(1d)与源极(1e)接触的源电极(2)；其中相邻晶体管单元的任一个漏引线电极和栅引线电极彼此靠近设置。

公开(公告)号：CN1441484A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03106474.4

申请日：2003-02-27

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 栗原俊道 ,  上田隆

IPC: H01L23/043 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L23/047 ,  H01L21/565 ,  H01L23/08 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/552 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种电子产品，包括散热板(12)；电子元件(14)，牢固地安置在散热板上，并包括高功率晶体管；封盖(18)，其包括与散热板牢固连接的框部件(19)，以包住电子元件；以及罩部件(20，50)，其牢固地连接到框部件的上部开口端，从而在封盖中容纳和密封电子元件，至少一个导电元件(23，24)通过并贯穿框部件。框部件由适当的树脂材料制成，罩部件由陶瓷材料、金属材料和复合材料构成的组中选择的一种材料制成。

公开(公告)号：CN1110092C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN98108348.X

申请日：1998-05-14

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 市川清治 ,  梅本毅 ,  西部俊明 ,  佐藤一成 ,  坪田邦彦 ,  清雅人 ,  西村善一 ,  冈平庆太 ,  宫龙也 ,  北古贺亨 ,  田原和弘

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/495 ,  H01L23/34 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其中在一单一引线框架上形成一对散热端和多个引线端子。在每个散热端子中形成与引线端子之间间隙相同的等宽度和等间距的孔，散热端子的每个孔的相对端由一支撑元件相互连接。散热端子的支撑元件和互连引线端子的支撑元件是等长度和等间距形成，以使支撑元件可以由等间距和等宽度的排列的多个冲头切除。

公开(公告)号：CN1110089C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN98101785.1

申请日：1998-05-08

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 市川清治 ,  梅本毅 ,  西部俊明 ,  佐藤一成 ,  坪田邦彦 ,  清雅人 ,  西村善一 ,  冈平庆太 ,  宫龙也 ,  北古贺亨 ,  田原和弘

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/50 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

Abstract: 一种带有安装于其散热片上的片状器件半导体器件。该散热片的形状为其中央部分比两端部分位置高。一个片状器件安装于散热片中央部分的下表面上，而该散热片的中央部分的上表面从树脂部分中暴露出来。由于散热片的中央部分下表面安装着片状器件，而其上表面从树脂部分中暴露出来，则由片状器件产生的热量可以有效地散发出去。

公开(公告)号：CN1213486C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02129843.2

申请日：2002-08-15

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 丹羽隆树 ,  岛胁秀德 ,  东晃司 ,  黑泽直人

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0821

Abstract: 异质结双极型晶体管具有提高的击穿电压，并抑制IC-VCE特性的增长特性的退化。集电极区域包括半导体第一、第二集电极层。第一集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，与副集电极区域接触。第二集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，具有比第一集电极层窄的带隙，与基极区域接触。第三集电极层具有比第二集电极层高的掺杂浓度，被第一集电极层和第二集电极层夹在当中。

公开(公告)号：CN1619830A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410094800.0

申请日：2004-11-18

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 丹羽隆树

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7371

Abstract: 一种异质结双极晶体管，具有一个结构，其中在半绝缘半导体衬底上依次淀积具有比集电极层更高掺杂浓度的第一导电类型的子集电极层、第一导电类型的集电极层、第二导电类型基极层以及第一导电类型的发射极层，以及其中在基极层和集电极层之间插入具有比基极层更宽带隙的半导体材料的空穴阻挡层，以便与基极层直接接触。

公开(公告)号：CN1169268C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN98120051.6

申请日：1998-09-28

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 阪田康隆

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/2277 ,  H01S2304/04

Abstract: 在制造具有半导体衬底的光学半导体器件的方法中，通过使用包括源材料的选择性金属有机物汽相外延，将半导体层形成的光波导形成在所述半导体衬底上。在选择性金属有机物汽相外延中间歇地提供源材料。

公开(公告)号：CN1156014C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN98100471.7

申请日：1998-02-27

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 近松圣 ,  渡边寿郎 ,  井上寿明 ,  小濑泰

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括：多个第一场效应晶体管(FET)，其栅极条电极形成于半导体衬底主表面上，其漏极和源极形成于栅极条电极两侧的区域；多个第二FET，其栅极条电极形成于半导体衬底的主表面上，其漏极和源极形成于栅极条电极两侧的区域；穿过成对FET之间区域的半导体衬底的主表面和背面的导电层。