公开(公告)号：CN1516285A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200410001239.7

申请日：1998-06-29

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 加藤博

IPC: H01L29/73

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L29/732

Abstract: 带有双极晶体管的半导体器件，可减少基极连接层和集电区之间的寄生电容；包括：具有主表面的半导体衬底，形成在衬底中的集电区、基区和发射区，形成在衬底主表面上并与集电区重叠的第一介电层，形成在第一介电层上并施加有特定电势的导电层，形成以覆盖导电层的第二介电层，形成在第二介电层上并与基区电连接的基极连接层，以及与基极连接层电连接的基极。发射区、基区和集电区构成双极晶体管，导电层与电源线电连接。导电层作为屏蔽电极，利用法拉第屏蔽效应，防止了在集电区和基极连接层之间产生寄生电容。

公开(公告)号：CN1161842C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN98102562.5

申请日：1998-06-29

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 加藤博

IPC: H01L29/72

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L29/732

Abstract: 带有双极晶体管的半导体器件，可减少基极连接层和集电区之间的寄生电容；包括：具有主表面的半导体衬底，形成在衬底中的集电区、基区和发射区，形成在衬底主表面上并与集电区重叠的第一介电层，形成在第一介电层上并施加有特定电势的导电层，形成以覆盖导电层的第二介电层，形成在第二介电层上并与基区电连接的基极连接层，以及与基极连接层电连接的基极。发射区、基区和集电区构成双极晶体管，导电层与发射区电连接。导电层作为屏蔽电极，利用法拉第屏蔽效应，防止了在集电区和基极连接层之间产生寄生电容。