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公开(公告)号：CN111836920A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980018372.8
申请日：2019-01-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的利用EFG法的单晶生长用的模具具备：下表面，其浸渍于添加有杂质的原料熔融液中；矩形状的上表面，其与晶种相对且具有长边和短边；以及多个狭缝部，其从下表面向上表面延伸，且使原料熔融液从下表面上升至上表面。多个狭缝部的上表面处的开口部的长边方向各自相互平行，且相对于上表面的长边不平行。
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公开(公告)号：CN101826473B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010128069.4
申请日：2010-03-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种贯通电极的形成方法，其中，可不必在维持高温气氛的状态对熔融金属进行处理，简化工序和装置，另外与采用导电膏的场合相比较，可高密度地将金属填充于贯通孔内。形成在Si基板(10)的外面具有开口的第1非贯通孔(21)；在第1非贯通孔(21)的底部具有小于第1非贯通孔(21)的开口的第2非贯通孔(22)，在第1非贯通孔(21)的底部放置固体金属(50)。将Si基板(10)放置于减压气氛下，将其加热到固体金属(50)的软化点附近。维持加热状态，从减压气氛转移到加压气氛，将已软化或熔融的金属(50)填充于第2非贯通孔(22)中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113195800B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201980080253.5
申请日：2019-12-03
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明是收纳单晶生长用原料熔融液(8)并使其固化的单晶生长用坩埚(5A)，其具备：围绕原料熔融液(8)的侧壁部(5s)、及连续于侧壁部(5s)并支撑原料熔融液(8)的底部(5b)，侧壁部(5s)在横截面图中，在内侧具有周长冗余性。侧壁部(5s)在横截面图中，在任一部位上在内侧具有周长冗余的部位，如果在单晶生长后的冷却步骤中单晶生长用坩埚(5A)被冷却，则在横截面图中，在内侧周长冗余的部位向单晶生长用坩埚(5A)的外侧扩展。
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公开(公告)号：CN111095570B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201880058896.5
申请日：2018-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管，其难以产生因电场集中而引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；以及与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时设置于包围阳极电极(40)的位置的外周沟道(10)。如此，当在漂移层(30)设置外周沟道(10)时，电场因外周沟道(10)的存在而被分散。由此，由于缓和了阳极电极(40)的角部中的电场集中，因此难以产生绝缘破坏。
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公开(公告)号：CN113195800A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980080253.5
申请日：2019-12-03
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明是收纳单晶生长用原料熔融液(8)并使其固化的单晶生长用坩埚(5A)，其具备：围绕原料熔融液(8)的侧壁部(5s)、及连续于侧壁部(5s)并支撑原料熔融液(8)的底部(5b)，侧壁部(5s)在横截面图中，在内侧具有周长冗余性。侧壁部(5s)在横截面图中，在任一部位上在内侧具有周长冗余的部位，如果在单晶生长后的冷却步骤中单晶生长用坩埚(5A)被冷却，则在横截面图中，在内侧周长冗余的部位向单晶生长用坩埚(5A)的外侧扩展。
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公开(公告)号：CN111095570A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058896.5
申请日：2018-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管，其难以产生因电场集中而引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；以及与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时设置于包围阳极电极(40)的位置的外周沟道(10)。如此，当在漂移层(30)设置外周沟道(10)时，电场因外周沟道(10)的存在而被分散。由此，由于缓和了阳极电极(40)的角部中的电场集中，因此难以产生绝缘破坏。
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公开(公告)号：CN101826473A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010128069.4
申请日：2010-03-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种贯通电极的形成方法，其中，可不必在维持高温气氛的状态对熔融金属进行处理，简化工序和装置，另外与采用导电膏的场合相比较，可高密度地将金属填充于贯通孔内。形成在Si基板(10)的外面具有开口的第1非贯通孔(21)；在第1非贯通孔(21)的底部具有小于第1非贯通孔(21)的开口的第2非贯通孔(22)，在第1非贯通孔(21)的底部放置固体金属(50)。将Si基板(10)放置于减压气氛下，将其加热到固体金属(50)的软化点附近。维持加热状态，从减压气氛转移到加压气氛，将已软化或熔融的金属(50)填充于第2非贯通孔(22)中。
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