公开(公告)号：CN100373455C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610080345.8

申请日：2006-05-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加加美健朗 ,  清野浩 ,  平林启 ,  小俣英一 ,  矢里晴司 ,  坂本孝光

IPC: G11B5/31 ,  G11B21/21

Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。

公开(公告)号：CN1577615A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410058623.0

申请日：2004-07-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上杉卓己 ,  加加美健朗

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明提供磁存储单元以及使用了该单元的磁存储器件。磁存储单元通过使用2个磁阻效应元件构成1个磁存储单元，去除该出输出的同相噪声，而且减少信息写入时的电流磁场的损失有效地进行磁化翻转，而且，抑制磁存储单元的占有面积谋求大存储容量的同时，使构造简单，易于制造，上述磁存储单元具备2个TMR元件和对于TMR元件共同设置的1个环形磁性层，TMR元件对于双方配置在沿着叠层面的方向，对于2个TMR元件共同设置写入位线以及写入字线，环形磁性层进行沿着叠层面的方向为轴方向的配置，同时具有由上述线贯穿的构成。

公开(公告)号：CN100458967C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410058623.0

申请日：2004-07-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上杉卓己 ,  加加美健朗

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明提供磁存储单元以及使用了该单元的磁存储器件。磁存储单元通过使用2个磁阻效应元件构成1个磁存储单元，去除读出输出的同相噪声，而且减少信息写入时的电流磁场的损失有效地进行磁化翻转，而且，抑制磁存储单元的占有面积谋求大存储容量的同时，使构造简单，易于制造，上述磁存储单元具备2个TMR元件和对于TMR元件共同设置的1个环形磁性层，TMR元件对于双方配置在沿着叠层面的方向，对于2个TMR元件共同设置写入位线以及写入字线，环形磁性层进行沿着叠层面的方向为轴方向的配置，同时具有由上述线贯穿的构成。

公开(公告)号：CN1862664A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080345.8

申请日：2006-05-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加加美健朗 ,  清野浩 ,  平林启 ,  小俣英一 ,  矢里晴司 ,  坂本孝光

IPC: G11B5/31 ,  G11B21/21

Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。