公开(公告)号：CN1577615A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410058623.0

申请日：2004-07-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上杉卓己 ,  加加美健朗

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明提供磁存储单元以及使用了该单元的磁存储器件。磁存储单元通过使用2个磁阻效应元件构成1个磁存储单元，去除该出输出的同相噪声，而且减少信息写入时的电流磁场的损失有效地进行磁化翻转，而且，抑制磁存储单元的占有面积谋求大存储容量的同时，使构造简单，易于制造，上述磁存储单元具备2个TMR元件和对于TMR元件共同设置的1个环形磁性层，TMR元件对于双方配置在沿着叠层面的方向，对于2个TMR元件共同设置写入位线以及写入字线，环形磁性层进行沿着叠层面的方向为轴方向的配置，同时具有由上述线贯穿的构成。

公开(公告)号：CN100458967C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410058623.0

申请日：2004-07-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上杉卓己 ,  加加美健朗

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明提供磁存储单元以及使用了该单元的磁存储器件。磁存储单元通过使用2个磁阻效应元件构成1个磁存储单元，去除读出输出的同相噪声，而且减少信息写入时的电流磁场的损失有效地进行磁化翻转，而且，抑制磁存储单元的占有面积谋求大存储容量的同时，使构造简单，易于制造，上述磁存储单元具备2个TMR元件和对于TMR元件共同设置的1个环形磁性层，TMR元件对于双方配置在沿着叠层面的方向，对于2个TMR元件共同设置写入位线以及写入字线，环形磁性层进行沿着叠层面的方向为轴方向的配置，同时具有由上述线贯穿的构成。