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公开(公告)号：CN100388362C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN03802400.4
申请日：2003-01-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/00456
Abstract: 本发明涉及一种将信息记录到一个光记录介质的方法，该方法可降低当相邻记录标记形成时导致的热量的影响，并能够防止信息的串扰和交叉消去。根据本发明，当通过将一束脉冲调制的激光光束照射到其上来在光记录介质上形成记录标记时，由于一个起始脉冲和一个末尾脉冲的记录功率被设置为Pw2，低于任何中间脉冲的记录功率Pw1，并且一个冷却脉冲的宽度Tcl被设置为等于或宽于1.0T，宽于记录功率的一个脉冲的宽度，因此可能在记录标记形成时改善冷却效率，从而降低记录标记之间的热干扰，并且实现高密度记录和高数据传输速率。
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公开(公告)号：CN1310234C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN03805761.1
申请日：2003-03-10
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2542 , G03F7/027 , G03F7/11 , G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2585 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713
Abstract: 一种具有光传输层的光信息介质，所述光传输层是通过固化含有式(I)的尿烷二(甲基)丙烯酸酯化合物(A)和不同于化合物(A)的尿烷二(甲基)丙烯酸酯化合物(B)的组合物得到的，它在25℃下的拉伸弹性模量为600MPa至1300MPa，在波长为400nm处的透光率是80%或更大。(在式(I)中，R1＝脂环族二异氰酸酯残基，R2＝亚烷基或含有环烷基或酯键的有机基团，R3＝H或甲基)。
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公开(公告)号：CN1662965A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814139.6
申请日：2003-05-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00456 , G11B7/00455 , G11B7/1267
Abstract: 根据本发明，用于将数据记录在光记录介质中的方法构造成在通过包括衬底、第一记录层、第二记录层和光透射层的光记录介质上，由根据脉冲串模式调制其功率的激光束记录数据以便形成记录标记，其中记录脉冲被划分成(n－1)个划分脉冲，在每个划分脉冲的峰值处激光束的功率设置成记录功率Pw，以及设置成第一最低功率Pb1，将记录功率Pw和第一最低功率Pb1的电平确定成第一最低功率Pb1与记录功率Pw的比Pb1/Pw落在0.1至0.5的范围内。当使用这种脉冲串模式来调制激光束的功率以便将数据记录在光记录介质中时，即使在以高线记录速度将数据记录在光记录介质中的情况下，可使用具有低输出的半导体激光器，以高线记录速度将数据记录在光记录介质中。
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公开(公告)号：CN1659629A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813225.7
申请日：2003-04-23
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B19/12 , G11B17/04 , G11B2007/0006
Abstract: 一种即使在要识别的光记录媒体中出现扭曲时也能够准确地识别光记录媒体的种类的光记录媒体鉴别装置。该光记录媒体鉴别装置包括第一电极(11)、第二电极(12)、将AC信号A施加到第一电极(11)的AC信号产生电路(13)、用于检测出现在第二电极(12)的AC信号B的电平的检测电路(14)、用于支撑第一电极(11)和第二电极(12)的支撑机构(16)、用于垂直地移动支撑机构(16)的驱动机构(17)、以及用于控制AC信号产生电路(13)、检测电路(14)和驱动机构(17)的运行的控制电路(15)。
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公开(公告)号：CN1659628A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813151.X
申请日：2003-04-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B19/12
Abstract: 一种用于即使在要被鉴别的光学记录介质的圆周方向上形成有周期性的波动的情况下也可以准确地鉴别光学记录介质种类的装置。用于鉴别光学记录介质的装置包括：第一电极(11)、第二电极(12)、用于在第一电极(11)上施加AC信号A的AC信号产生电路(13)、用于检测出现在第二电极(12)上的AC信号B的电平的电路(14)和用于控制AC信号产生电路(13)和检测电路(14)的操作的电路(15)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1342975A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01125927.2
申请日：2001-06-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/2575 , G11B7/24056 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/2545 , G11B7/256 , G11B7/2585
Abstract: 本发明的课题在于提供一种光信息介质,该光信息介质在支承基体表面上,具有信息记录区域。以及至少覆盖该信息记录区域的透光层,通过该透光层,记录或重放用的激光束照射到信息记录区域上,即使在与光拾取器接触的情况下,透光层表面仍难于损伤。另外,本发明提供一种光信息介质,其中按照此方式,透光层表面难于损伤,并且即使在以高速旋转的情况下,振动很小,聚焦伺服或跟踪伺服不产生问题。在光信息介质中,激光束入射侧表面中的,至少位于上述信息记录区域上的区域的动摩擦系数在0.4以下。
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公开(公告)号：CN100377240C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510118516.7
申请日：2002-04-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 具有通过在信息记录层上形成树脂层后，使可透过活性能线的模子与树脂层表面接触，接着通过模子向树脂层照射活性能线，接着剥离下模子，形成复制了凹凸图形的透明中间层的工序，形成凹凸图形的表面至少是用由聚烯烃系树脂或氟树脂构成的模子，在信息记录区上形成透明中间层，透明中间层的最大厚度和最小厚度之差在10μm以下。
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公开(公告)号：CN1279525C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN01125927.2
申请日：2001-06-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/2575 , G11B7/24056 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/2545 , G11B7/256 , G11B7/2585
Abstract: 本发明的课题在于提供一种光信息介质，该光信息介质在支承基体表面上，具有信息记录区域。以及至少覆盖该信息记录区域的透光层，通过该透光层，记录或重放用的激光束照射到信息记录区域上，即使在与光拾取器接触的情况下，透光层表面仍难于损伤。另外，本发明提供一种光信息介质，其中按照此方式，透光层表面难于损伤，并且即使在以高速旋转的情况下，振动很小，聚焦伺服或跟踪伺服不产生问题。在光信息介质中，激光束入射侧表面中的，至少位于上述信息记录区域上的区域的动摩擦系数在0.4以下。
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公开(公告)号：CN1662966A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814157.4
申请日：2003-05-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00456 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B2007/0013 , G11B2007/24304 , G11B2007/24312
Abstract: 本发明的目的是提供用于在光记录介质中记录数据的方法，能在一次写入型光记录介质中形成具有所需长度和宽度的记录标记。根据本发明，用于将数据记录在光记录介质中的方法构成为将通过脉冲串模式调制的功率的激光束投射在包括衬底、第一记录层、第二记录层和光透射层16的光记录介质上，其中，脉冲串模式的记录脉冲划分成(n－1)个划分脉冲，以及在每个划分脉冲的峰值处将激光束的功率设置成记功率Pw，在正好在最后一个划分脉冲之后的部分处，将其设置成第二最低功率Pb2，以及在其他间隔，将其设置成第一最低功率Pb1，其中Pb1高于Pb2。
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公开(公告)号：CN1208770C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN01116354.2
申请日：2001-04-10
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/2548 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/2545 , G11B7/2575 , G11B7/2578 , G11B2007/25417 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种光信息介质，该介质具有优异的耐磨性并表现出足够的防污性。该介质在至少一个表面上涂覆了一层含有拒水或拒油取代基的硅烷偶联剂薄膜，所述硅烷偶联剂用下述通式(1)表示：R1-Si(X)(Y)(Z)，其中R1是拒水或拒油取代基；X，Y和Z独立地是一价基团；并且X，Y和Z中至少一个是可以通过与硅烷醇基团缩聚形成Si-O-Si键的基团；并且所述介质具有与所述硅烷偶联剂薄膜接触的底层，至少所述底层的表面含有具有用通式(2)表示的化学键的化合物：M-A，其中M是金属原子(包括半金属)，A是选自O，S，Se和Te，氮原子或碳原子的硫属元素原子。
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