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公开(公告)号：CN117043617A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280020554.0
申请日：2022-02-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明改良具备具有多层结构的铁磁性膜的磁传感器。磁传感器(1)的传感器芯片(10)具备：磁敏元件(R1)；铁磁性膜(M1、M2)，其设置在覆盖磁敏元件(R1)的绝缘膜(32)上，并形成与磁敏元件(R1)重叠的磁隙(G1)；和钝化膜(33)，以填埋磁隙(G1)的方式设置在铁磁性膜(M1、M2)上。铁磁性膜(M1、M2)包括下部磁性膜(41)和上部磁性膜(42)，对于磁隙(G1)的宽度，上部磁性膜(42)之间的宽度(W2)比下部磁性膜(41)之间的宽度(W1)宽，下部磁性膜(41)由磁导率比上部磁性膜(42)高的材料构成。由此，将磁通高效地施加于磁敏元件，因此能够得到高的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN114902061A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080090670.0
申请日：2020-12-04
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明要解决的技术问题是，在包括磁阻带和铁磁性膜的磁传感器中，通过使磁阻带与铁磁性膜磁耦合，提高施加至磁阻元件的磁偏置。解决手段是，磁传感器(1)具备：磁阻带(S)；覆盖磁阻带(S)的绝缘膜(13)；和铁磁性膜(M1、M2)，其设置在绝缘膜(13)上，隔着在y方向上延伸的磁隙(G)在x方向上排列。铁磁性膜(M1、M2)隔着绝缘膜(13)与多个硬磁性体(H)重叠。由此，因为相邻的2个硬磁性体(H)经铁磁性膜(M1、M2)磁耦合，所以，不使硬磁性体(H)大型化就能够提高施加至磁阻元件(R)的磁偏置。
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公开(公告)号：CN114450598A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080067318.5
申请日：2020-08-04
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 黑木康二
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种通过有效地降低不规则噪声来检测极微弱的磁场的磁传感器。磁传感器(1)具备由隔着多个硬磁性体(H)而在y方向上排列的多个磁阻元件(R)构成的磁阻条(S)和隔着磁隙(G)而在x方向上排列的铁磁性膜(M1、M2)。磁阻条(S)配置在磁隙(G)的附近，y方向上的一端不经由被施加检测磁场的其它的磁阻元件地与端子电极(E1)连接，y方向上的另一端不经由被施加检测磁场的其他的磁阻元件地与端子电极(E2)连接。这样，因为磁阻条(S)为无折返的直线的形状，所以磁偏置的方向与电流的流动方向的关系在全区间恒定。由此，因为不规则噪声大幅降低，所以能够检测极微弱的磁场。
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公开(公告)号：CN118696626A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202280091027.9
申请日：2022-02-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的技术问题在于，即使在覆盖功能膜的保护膜的膜厚非常薄的情况下，也能够可靠地将引线层与保护膜电连接。在功能膜(20)的表面将导电性的保护膜(51)成膜之后，在将保护膜(51)的表面的一部分以掩模(60)覆盖的状态下进行反溅射，从而将形成在未被掩模(60)覆盖的保护膜(51)的表面的自然氧化膜(52)物理还原。然后，在未被掩模(60)覆盖的保护膜(51)的表面将引线层(40)成膜。由此，能够不进行蚀刻而将形成于保护膜(51)的表面的自然氧化膜(52)去除，因此，即使在保护膜(51)的膜厚非常薄的情况下，也能够不对功能膜(20)造成损伤，将引线层(40)与保护膜(51)电连接。
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