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公开(公告)号：CN102087378A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010564715.1
申请日：2010-11-15
Applicant: 德雷卡通信技术公司
IPC: G02B6/02 , G02F1/39 , C03B37/018
CPC classification number: C03C3/06 , C03B37/01838 , C03B2201/12 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03C4/0071 , C03C4/10 , C03C4/12 , C03C13/046 , C03C14/004 , C03C14/006 , C03C2201/31 , C03C2201/32 , C03C2201/3476 , C03C2201/3482 , C03C2201/3488 , C03C2201/36 , C03C2203/40 , H01S3/06729
Abstract: 本发明涉及一种放大光纤，其包括适于传送和放大光信号的中央纤芯；以及包围中央纤芯并适于将传送的光信号限制在中央纤芯内的包层。中央纤芯由包含纳米粒子的纤芯基质形成，纳米粒子包括纳米粒子基质和稀土掺杂元素。纤芯基质还包括附加掺杂物。此外，中央纤芯中的稀土掺杂元素的浓度以重量计位于200ppm至1000ppm范围内，中央纤芯中的纳米粒子基质的浓度以重量计位于0.5wt％至5wt％范围内，优选地位于1.5wt％至4wt％范围内，并且中央纤芯中的附加掺杂物的浓度以重量计位于1wt％至10wt％范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1610650A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02826445.2
申请日：2002-11-07
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: C03C13/04 , C03B19/10 , C03B37/018 , C03B19/14 , H01S3/17
CPC classification number: C03C17/3618 , C03C3/06 , C03C13/046 , C03C17/3626 , C03C17/3644 , C03C17/3652 , C03C2201/12 , C03C2201/28 , C03C2201/31 , C03C2201/3405 , C03C2201/3411 , C03C2201/3417 , C03C2201/3458 , C03C2201/3476 , C03C2201/3482 , C03C2201/3494 , C03C2201/36 , H01S3/06716 , H01S3/1608 , H01S3/1616 , H01S3/1693 , H01S3/1695 , H01S3/176
Abstract: 光波导，包括含有二氧化硅、Al、非荧光稀土离子、Ge、Er和Tm的芯体。所述非荧光稀土离子可以是La。示例性组合物浓度如下：Er为15－3000ppm，Al为0.5－12摩尔％，La小于或等于2摩尔％，Tm是15－10000ppm，Ge小于或等于15摩尔％。所述芯体还包含F。F的示例性浓度小于或等于6阴离子摩尔％。
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公开(公告)号：CN1708461A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN02826394.4
申请日：2002-12-03
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: H01S3/067 , C03B19/102 , C03B19/1065 , C03B37/01807 , C03B37/01838 , C03B2201/12 , C03B2201/28 , C03B2201/36 , C03C3/06 , C03C13/046 , C03C2201/12 , C03C2201/28 , C03C2201/3417 , C03C2201/3458 , C03C2201/3476 , C03C2201/3482 , C03C2201/36 , H01S3/0672 , H01S3/0677 , H01S3/06775 , H01S3/1608 , H01S3/1616 , Y02P40/57
Abstract: 制备光纤的方法和所得制品。所述方法包括如下步骤：提供底管；在管内沉积高纯氧化硅包层；沉积包含氧化硅和Al、La、Er和Tm氧化物但不含锗的玻璃芯体；去掉底管形成预制品；将预制品拉成光纤。本发明不含锗的共掺杂硅酸盐光学波导包括含氧化硅及铝、镧、铒和铥的氧化物的芯体，其中Er浓度为15－3000ppm；Al浓度为0.5－15mol％；La浓度小于或等于0.5－2mol％；Tm浓度为150－10000ppm。在一个具体实施方式中，Al浓度为4－10mol％；Tm浓度为150－3000ppm。芯体还可包含F。在一个示例性实施方式中，F浓度小于或等于6mol％(阴离子)。波导可以是光纤、成形光纤或导光波导。本发明的放大器可包括所述光纤。
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公开(公告)号：CN102087378B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201010564715.1
申请日：2010-11-15
Applicant: 德雷卡通信技术公司
IPC: G02B6/02 , G02F1/39 , C03B37/018
CPC classification number: C03C3/06 , C03B37/01838 , C03B2201/12 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03C4/0071 , C03C4/10 , C03C4/12 , C03C13/046 , C03C14/004 , C03C14/006 , C03C2201/31 , C03C2201/32 , C03C2201/3476 , C03C2201/3482 , C03C2201/3488 , C03C2201/36 , C03C2203/40 , H01S3/06729
Abstract: 本发明涉及一种放大光纤，其包括适于传送和放大光信号的中央纤芯；以及包围中央纤芯并适于将传送的光信号限制在中央纤芯内的包层。中央纤芯由包含纳米粒子的纤芯基质形成，纳米粒子包括纳米粒子基质和稀土掺杂元素。纤芯基质还包括附加掺杂物。此外，中央纤芯中的稀土掺杂元素的浓度以重量计位于200ppm至1000ppm范围内，中央纤芯中的纳米粒子基质的浓度以重量计位于0.5wt％至5wt％范围内，优选地位于1.5wt％至4wt％范围内，并且中央纤芯中的附加掺杂物的浓度以重量计位于1wt％至10wt％范围内。
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公开(公告)号：CN1287170C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN03810949.2
申请日：2003-05-13
Applicant: LG电线有限公司
CPC classification number: C03C13/045 , C03B37/01838 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03C2201/12 , C03C2201/31 , C03C2201/34 , C03C2201/3482 , C03C2201/36 , H01S3/06754
Abstract: 本发明涉及一种用于光放大器的光纤及其制造方法，其可应用于S波段区域(1430纳米～1530纳米)中的光传输系统。按照本发明，通过利用MCVD(改进型化学汽相沉积)方法和溶液涂布方法，将硅用作基本材料，并且用于光放大器的光纤在形成于第二核心层的内表面上的第一核心层中含有Tm3+离子和金属离子，由此显著地改善光纤的实用性和生产率。
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公开(公告)号：CN1653366A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810949.2
申请日：2003-05-13
Applicant: LG电线有限公司
IPC: G02B6/16
CPC classification number: C03C13/045 , C03B37/01838 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03C2201/12 , C03C2201/31 , C03C2201/34 , C03C2201/3482 , C03C2201/36 , H01S3/06754
Abstract: 本发明涉及一种用于光放大器的光纤及其制造方法，其可应用于S波段区域(1430纳米～1530纳米)中的光传输系统。按照本发明，通过利用MCVD(改进型化学汽相沉积)方法和溶液涂布方法，将硅用作基本材料，并且用于光放大器的光纤在形成于第二核心层的内表面上的第一核心层中含有Tm3+离子和金属离子，由此显著地改善光纤的实用性和生产率。
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