公开(公告)号：CN1287170C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN03810949.2

申请日：2003-05-13

Applicant: LG电线有限公司

Inventor： 徐永范 ,  林哉弘 ,  金大原

IPC: G02B6/02 ,  H01S3/063

CPC classification number: C03C13/045 ,  C03B37/01838 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/31 ,  C03C2201/34 ,  C03C2201/3482 ,  C03C2201/36 ,  H01S3/06754

Abstract: 本发明涉及一种用于光放大器的光纤及其制造方法，其可应用于S波段区域(1430纳米～1530纳米)中的光传输系统。按照本发明，通过利用MCVD(改进型化学汽相沉积)方法和溶液涂布方法，将硅用作基本材料，并且用于光放大器的光纤在形成于第二核心层的内表面上的第一核心层中含有Tm3+离子和金属离子，由此显著地改善光纤的实用性和生产率。

公开(公告)号：CN1653366A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810949.2

申请日：2003-05-13

Applicant: LG电线有限公司

Inventor： 徐永范 ,  林哉弘 ,  金大原

IPC: G02B6/16

CPC classification number: C03C13/045 ,  C03B37/01838 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/31 ,  C03C2201/34 ,  C03C2201/3482 ,  C03C2201/36 ,  H01S3/06754

Abstract: 本发明涉及一种用于光放大器的光纤及其制造方法，其可应用于S波段区域(1430纳米～1530纳米)中的光传输系统。按照本发明，通过利用MCVD(改进型化学汽相沉积)方法和溶液涂布方法，将硅用作基本材料，并且用于光放大器的光纤在形成于第二核心层的内表面上的第一核心层中含有Tm3+离子和金属离子，由此显著地改善光纤的实用性和生产率。