公开(公告)号：CN1503957A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN01819046.4

申请日：2001-08-30

Applicant: ST微电子公司 ,  施鲁博格系统股份有限公司 ,  施鲁博格技术应用有限公司

Inventor： 瑟基·F·弗拉豪夫 ,  艾伦·C·波米特 ,  罗伯特·A·雷蒂尔

IPC: G06K19/07

CPC classification number: G06K19/0712 ,  G06K19/07 ,  G06K19/0707 ,  G06K19/07733

Abstract: 提供了一种多模式IC，用于在第一模式，如依照国际标准化组织7816(ISO7816)协议的ISO模式下工作，并且在第二模式，如依照通用串行总线(USB)协议的USB模式下工作。多模式IC最好是智能卡，并包括微处理器和外部接口。外部接口包括电压供应块、接地块、用于第一模式的第一块组和用于第二模式的第二块组。第一块组最好包括重启块、时钟块和依照ISO7816协议的输入/输出块，并且还可以包括依照ISO7816协议的可变供电电压块。所述IC还包括模式配置电路，用于检测第一块组中一个块上的模式条件，并根据检测结果将IC配置为ISO模式或非ISO模式。一旦该IC被配置为一种特定的模式，它将仅在一种模式下工作，直到下一个打开电源重启序列到来。

公开(公告)号：CN1149660C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN99120591.X

申请日：1999-10-09

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 利维奥·巴尔蒂 ,  阿方索·莫雷里

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11539 ,  H01L27/11546

Abstract: 该制造方法，包括步骤：在硅衬底生长第1栅氧化层；在该层淀积第1多晶硅层；选择蚀刻和除去第1多晶层，以限定浮置栅极；掺入掺杂剂以获得单元的源区和漏区；淀积介质层；选择蚀刻和除去待形成晶体管的区域中介质层和第1多晶层；淀积第2多晶硅层；以及选择蚀刻和除去该第2多晶层，以限定晶体管的栅极和单元的控制栅极。在第6与第7步骤间有除去晶体管区域中第1栅氧化层的第1子步骤；及在该区域生长第2栅氧化层的第2子步骤，第2第1栅氧化层不同。

公开(公告)号：CN1486464A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN01822019.3

申请日：2001-12-03

Applicant: 施蓝姆伯格技术管理有限公司 ,  ST微电子公司

Inventor： 罗伯特·A·莱迪尔 ,  克里斯托夫·A·波米特

IPC: G06F13/42 ,  G06F13/40

CPC classification number: G06F13/4086

Abstract: 本发明公开了一种方法和装置。在一个实施例中，智能卡具有IC，IC包括电压调节电路和上拉电阻器。所述卡能够利用有选择地连接到调节电路的电压输出和卡的第一输出的电阻器通过总线向主机发信号。响应于通过总线的通电而不是发送，调节电路输出通过电阻器有选择地连接到第一输出。这是为了将第一输出上拉到电压源的电压电平，使得卡能够在总线被主机驱动的时候被主机检测到。在发送和接收同时有选择地断开电阻器导致更平衡的输出。因为电阻器和调节电路是IC的一个集成部分，因此不需要任何分离的触点来用于对电阻的电压，使得可以与某些现有的智能卡的触点配置兼容，并且消除在读卡器中的上拉电阻器和调节电路。

公开(公告)号：CN1471755A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN01817910.X

申请日：2001-10-23

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 伊果·宾保德

IPC: H02M3/338

CPC classification number: H02M3/3385

Abstract: 本发明涉及一种电压转换器具有和用来削平电源电压的一个开关(6)串联的初级绕组(5)并具有和电容器(C2)连接以提供低直流电压的次级绕组(7)的变压器(4)；和控制开关电压调节器的自振荡控制电路(30)包括用于检测变压器辅助绕组(8)去磁结束的装置(17)，以关闭开关调节器；还有开关电压调节器和用于检测开关电压调节器接通状态下的电流，当电流达到设定值时，使开关断开的装置和根据辅助绕组端上电压改变设定值的装置(20)。

公开(公告)号：CN1470077A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN01817267.9

申请日：2001-10-12

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 采拉德·迪克雷尤克斯

IPC: H01L29/861 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L29/8618

Abstract: 本发明涉及一个非对称双端开关，它包括一个具有第一导电类型且具有高掺杂水平的衬底(21)，一个位于衬底(21)上表面以上的具有第二导电类型的外延层(22)，一个位于外延层上表面以上的具有第一导电类型的高掺杂区域(24)，一个位于具有第一导电类型的区域(24)以下且不被其相对覆盖的、具有第二导电类型且比外延层更重掺杂的区域(23)，一个位于第一区域以外的具有第二导电类型且比外延层更重掺杂的沟道停止环(25)，和一个位于所述环以外且和衬底相接的具有第一导电类型的器壁(26)。

公开(公告)号：CN1467920A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03142701.4

申请日：2003-06-06

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 吉恩-皮埃尔·昂吉恩特

IPC: H04B5/00 ,  G06K7/00 ,  H03D9/00

CPC classification number: G06K7/0008 ,  H03D5/00

Abstract: 本发明涉及一种用于解调电磁感应器所传送信号的方法和电路，包括变量传感器，该变量是感应器对振荡电路所形成负载的函数、相位解调器和幅度解调器，两者至少在功能上平行并接收来自所述传感器的信号、由所述解调器提供结果的加法器、和与所述解调器的第一个串联的延迟元件，用于补偿两个解调器之间可能的传播时间差。

公开(公告)号：CN1447950A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814205.2

申请日：2001-08-16

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 路克·伍达克 ,  米歇尔·巴多莱特

IPC: G06K7/00 ,  G06K7/08 ,  G06K7/10

CPC classification number: G06K7/10346 ,  G06K7/0008 ,  G06K7/10178 ,  G06K7/10336

Abstract: 本发明涉及一个为一个电磁应答器产生一个电磁场的天线，以及一个具有一个这种天线的端口，该端口包括一个第一电感元件(Lp)，它用于连接到加有一个激励电压(Vg)的两个端口(3，4)，以及一个与第一电感元件耦合的并联谐振电路(21)。

公开(公告)号：CN1428871A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02160872.5

申请日：2002-12-27

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 奥利佛·拉迪雷

IPC: H01L29/747 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L27/0817 ,  H01L29/7404 ,  H01L29/747

Abstract: 本发明提供一种在第一导电类型的半导体基底中形成的具有正面和背面的双向开关，其构成包括在第一区中的第一主垂直闸流晶体管，该闸流晶体管具有一第二导电类型的背面层，与具有第一导电类型的背面层的第二主垂直闸流晶体管邻接；一个与第一区分开配置于正面一侧的触发区，此触发区包括一个第二导电类型的阱，在阱中形成一个第一导电类型区；覆盖背面的第一主电极金属化层；在第一和第二闸流晶体管上的正面层上的第二主金属化层；在所述阱上的第三栅极金属化层；以及在背面一侧，第二导电类型的附加区域和夹在此附加区域和第一背面金属化层中间的绝缘层；所述附加区域在触发区和部分地在第一区下延伸；以及在所述区域上的第四金属化层。

公开(公告)号：CN1298538A

公开(公告)日：2001-06-06

申请号：CN99805467.4

申请日：1999-06-30

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 亚历山德罗·曼斯特雷特 ,  安德烈亚·皮耶里 ,  圭多·托雷利

IPC: G11C5/14

CPC classification number: G11C5/143

Abstract: 一种用于电可编程存储单元器件的整体集成式选择器,可以在输出端(OUT)在高电压(HV)和低电压(LV)之间转换。它包括从输出端快速地放电(GND)的管脚(N2、N1)和通过相位发生器(PHG)驱动选择器转换的放电控制管脚(P1、N3、N4)。

公开(公告)号：CN103329575A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180064105.8

申请日：2011-12-22

Applicant: 欧姆龙株式会社 ,  ST微电子公司

Inventor： 笠井隆 ,  佐藤正武 ,  内田雄喜 ,  I.帕多瓦尼 ,  F.戴维 ,  S.康蒂

IPC: H04R19/04

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0021 ,  H04R1/023 ,  H04R1/086 ,  H04R3/00 ,  H04R3/005 ,  H04R19/005 ,  H04R19/016 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003 ,  H04R2499/11

Abstract: 一种音响转换器及使用该音响转换器的麦克风。音响传感器（11）在半导体基板（21）的上面形成有振动膜（22）及固定膜（23），根据振动膜（22）的振动电极（220）与固定膜（23）的固定电极（230）之间的静电容量的变化，将声波转换成电信号进行输出。音响传感器（11）对振动电极（220）及固定电极（230）中的至少一方进行分割，从被分割后的多个电极分别输出多个电信号。