公开(公告)号：CN113764401B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202010489554.8

申请日：2020-06-02

Applicant: 湖南静芯微电子技术有限公司

Inventor： 董鹏 ,  魏伟鹏 ,  汪洋 ,  金湘亮 ,  李幸

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/332 ,  H01L29/74 ,  H01L29/747

Abstract: 本发明公开了一种非对称带栅双向可控硅静电防护器件及其制作方法，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；第二N型深阱上有第一N阱，第三N型深阱上有第二N阱；第一N阱和第二N型深阱不等宽，第二N阱和第三N型深阱不等宽；第一P阱上有第一P+注入；第二P阱上有第二P+注入、第一N+注入和第一栅极；第三P阱上有第二栅极、第三栅极和第三P+注入、第二N+注入；第四P阱上有第四栅极和第四P+注入；第一栅极在第二P阱右侧，第二栅极和第三栅极分别在第三P阱左侧和右侧，第四栅极在第四P阱左侧；第一P阱、第二P阱与第四P阱中六个电极均连接在一起作为器件的阴极，第三P阱中四个电极均连接在一起作为器件的阳极。

公开(公告)号：CN116491058B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202180079453.6

申请日：2021-11-19

Applicant: 日立能源有限公司

Inventor： J·伏贝基 ,  Y-J·哈夫纳

IPC: H02M1/32 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/747 ,  H01L29/74 ,  H02M7/483

Abstract: 详细说明了一种模块(100)，该模块(100)包括第一模块连接件(108)、第二模块连接件(109)、能量存储器(105)、第一电开关(101)和第二电开关(102)，其中可切换旁路器件(1)被布置在第一模块连接件(108)和第二模块连接件(109)之间，并且其中可切换旁路器件(1)被配置为响应于单个触发脉冲而保持处于双向电流传导状态。

公开(公告)号：CN117080260A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310411333.2

申请日：2023-04-17

Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

Inventor： 曾杰 ,  索夫克·米拉

IPC: H01L29/747 ,  H01L29/06 ,  H01L21/332 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请涉及用于静电放电保护的硅控整流器，提供硅控整流器的结构以及形成硅控整流器的结构的方法。该结构包括位于半导体衬底中的第一阱及第二阱。该第一阱具有第一导电类型，且该第二阱具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。该结构还包括第一端子以及第二端子，该第一端子具有掺杂区且该掺杂区具有位于该第一阱中的部分，该第二端子包括具有位于该第一阱中的部分的第二掺杂区以及位于该第二阱中的第三掺杂区。该第一及第二掺杂区具有该第二导电类型，该第三掺杂区具有该第一导电类型，且该第二掺杂区沿横向方向设置于该第一掺杂区与该第三掺杂区间。

公开(公告)号：CN108899360B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN201810716760.0

申请日：2018-07-03

Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 高山城 ,  王正鸣 ,  陈黄鹂

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/747

Abstract: 本发明提供了一种新型结构的双向晶闸管，包括晶闸管ThA和晶闸管ThB，两个晶闸管ThA和ThB反并联集成在同一硅片上，它们共用了同一个晶体管PN‑P，通过中间的隔离槽将两只晶闸管完全分开，整个器件关于中心O对称。本发明两个反并联晶闸管结构完全对称，所以正反向触发灵敏度和均匀性一致、电热特性完全相同；中间的隔离槽将两个晶闸管完全分开，并在隔离槽上生长氧化层，防止两反并联晶闸管相互影响，既提高双向晶闸管的换向dv/dt耐量，又保证器件不受外界杂质污染。两个晶闸管可以单独设计，本发明成功研制了6英寸3000A/8500V特高压超大功率双向晶闸管，广泛应用于电力电子技术装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN108063164B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201711329371.4

申请日：2017-12-13

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张桥 ,  刘小俐 ,  颜家圣 ,  刘鹏 ,  肖彦 ,  黄智 ,  李娴 ,  任丽

IPC: H01L29/747 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明的名称为高压双向晶闸管及其制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有高压晶闸管反并联后串联，结构件较多、复杂等缺点。它的主要特征是：所述半导体芯片为四端P+ N+PP‑N‑P‑PN+P+九层结构，四个端子分别为T1极、上部门极、T2极和下部门极，为2个晶闸管反并联；中心门极为PNP型结构对反并联晶闸管进行隔离；晶闸管器件正向、反向阻断电压可达到6500V以上，通过控制信号可控制双压晶闸管正向、反向导通；反并联晶闸管间设有低掺杂浓度的隔离层，减小反并联晶闸管的相互影响。具有能明显提高双向晶闸管器件的耐压，又简单、易用、工艺简化特点，简化结构并提高工作可靠性。主要应用于交流电机控制、高压防爆软启动器装置。

公开(公告)号：CN110690269B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201910954552.9

申请日：2019-10-09

Applicant: 上海韦尔半导体股份有限公司

Inventor： 胡勇海

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/747

Abstract: 本发明公开了一种双向晶闸管及电子产品，包括：衬底；及形成于所述衬底上的第一阱和载流子疏散结构；所述第一阱上设置有用于载流子发射的触发区域，所述载流子疏散结构用于将所述触发区域发射的载流子进行疏散，所述电子产品包括上述双向晶闸管，本发明公开的技术方案可以实现在双向晶闸管开启之前，形成尽可能低的过冲电压。

公开(公告)号：CN115513201A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211324316.7

申请日：2022-10-26

Applicant: 湖南静芯微电子技术有限公司

Inventor： 董鹏 ,  余博 ,  汪洋 ,  李幸 ,  骆生辉

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/332 ,  H01L29/747

Abstract: 本发明实施例提供一种高维持低阻均匀导通双向可控硅静电防护器件及制作方法，第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区与第三N+注入区通过导线直接相连作为器件的阳极，第二P+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区与第六N+注入区通过导线直接相连并作为器件的阴极；第一浮空P+注入区设置于第一P阱内的第三N+注入区右侧，第四浮空P+注入区设置于第二P阱内的第四N+注入区左侧；所述第一P阱和第二P阱之间设有N型阱，N型阱中间位置设有浮空N+注入区，第二浮空P+注入区和第三浮空P+注入区分别设置横跨在第一P阱、N型阱和第二P阱中间位置，第二浮空P+注入区和浮空N+注入区之间设有第一栅极，第三浮空P+注入区和浮空N+注入区之间设有第二栅极。

公开(公告)号：CN112802896B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201911109074.8

申请日：2019-11-13

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王政英 ,  姚震洋 ,  朱为为 ,  李勇 ,  操国宏 ,  王东东 ,  郭润庆 ,  王亚飞 ,  张西应 ,  高军 ,  银登杰

IPC: H01L29/747 ,  H01L21/332 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。

公开(公告)号：CN109616509B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201811168635.7

申请日：2018-10-08

Applicant: 晶焱科技股份有限公司

Inventor： 陈致维 ,  林昆贤

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/747 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种双向式硅控整流器，其包含一轻掺杂半导体结构、一第一轻掺杂区、一第二轻掺杂区、一第一掺杂井区、一第二掺杂井区、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区与一第四重掺杂区。轻掺杂半导体结构、第一重掺杂区与第三重掺杂区属于第一导电型，第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一掺杂井区、第二掺杂井区、第二重掺杂区与第四重掺杂区属于第二导电型。第一轻掺杂区的第一部分位于第一掺杂井区的下方，第二轻掺杂区的第二部分位于第二掺杂井区的下方。

公开(公告)号：CN113921518A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111174766.8

申请日：2017-04-03

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： A·C·阿帕索瓦米 ,  S·菲利普斯

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/747

Abstract: 本申请实施例涉及双极半导体可控整流器。在所描述的实例中，高电压双极半导体可控整流器SCR(100)包含：发射极区(102)，其具有第一极性且上覆于具有不同于所述第一极性的第二极性的基极区(104)；集电极区(106、108)，其具有所述第一极性且处于所述基极区(104)之下；阳极区(114、116、120)，其具有所述第二极性；第一沉降区(118)，其具有所述第一极性且接触所述集电极区(106、108)，其中所述阳极区(114、116、120)在所述第一沉降区(118)与所述基极区(104)之间；以及第二沉降区(112)，其具有所述第一极性且接触所述集电极区(106、108、110)，所述第二沉降区(112)处于所述阳极区(114、116、120)与所述基极区(104)之间，其中所述阳极区(114、116、120)的延伸部(120)在所述第二沉降区(112)的部分之下延伸。