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公开(公告)号：CN102136337A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010593131.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院电工研究所
CPC classification number: G01R33/3815 , G01R33/3802 , G01R33/3875 , G01R33/421
Abstract: 一种具有高磁场高均匀度的核磁共振超导磁体系统，包括主线圈(1)和具有正反电流组合的磁场均匀度补偿线圈(19)，由24个使用NbTi/Cu低温超导线材绕制的超导线圈组成，在800mm的室温空间内产生9.4T磁场，可实现在300mm的范围内磁场的不均匀度小于0.1ppm。所述的超导磁体系统内部装有超导磁体和液氦(4)的低温容器(2)提供超导磁体正常运行所要求的4K低温环境。铁磁屏蔽系统使超导磁体具有好的电磁兼容性。本发明超导磁体系统具有结构紧凑，运行费用低廉的优点。
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公开(公告)号：CN101964549A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010276925.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院电工研究所
CPC classification number: Y02E40/67
Abstract: 一种超导储能磁体输出变流器，其脉冲升压变压器T1原边N1的中间抽头同超导储能磁体L1的正极连接，原边N1两端的抽头分别同两个绝缘栅双级晶体管的集电极连接；两个绝缘栅双级晶体管的发射极串联并连接超导储能磁体L1的负极；脉冲升压变压器T1副边N2两端的抽头同全桥整流电路(2)的输入端连接，全桥整流电路(2)的输出端并联滤波电容C1。通过控制桥式斩波电路(1)上下桥臂的绝缘栅双级晶体管的交替导通和关断，使脉冲升压变压器T1输出一个交流的脉冲电压，再通过全桥整流电路(2)的整流和滤波电路C1的滤波输出一个稳定的直流电压。通过调节两个绝缘栅双级晶体管的占空比控制变流器输出电压的大小，使输出电压连续可调可控。
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公开(公告)号：CN101650229B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910092914.4
申请日：2009-09-10
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: G01K1/14
Abstract: 一种传导冷却超导磁体温度探头安装方法，其特征在于，在所述温度探头(1)引出线上先焊接一段带绝缘层的细铜线(2)，然后再焊接一段带绝缘层的细锰铜线(3)与细铜线(2)连接，细锰铜线(3)连接到超导磁体外界；将所述温度探头(1)安装于采用高纯铜材料制成的长方体的热沉(6)正面的圆孔(8)中，温度探头(1)与圆孔(8)的孔壁之间的缝隙用高导热硅脂填满；热沉(6)安装在超导磁体被测部位上，热沉(6)底面和超导磁体被测部位的表面之间贴有铟箔片(5)，并用螺钉将热沉(6)压紧在超导磁体被测部位(4)表面上；将所述的细铜线(2)绕扎在热沉(6)四周的半圆形凹槽(7)中，细铜线(2)之间的缝隙用硅脂填满。
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公开(公告)号：CN101839943A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010182047.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种传导冷却式超导接头电阻测量装置，包括低温系统和样品室。样品室由背场超导磁体(9)、超导互感器(10)和样品槽(11)组成，它们都放置在40k热辐射屏(4)内部并通过导热结构(8)连接并固定在GM制冷机(1)的二级冷头(7)上。样品单匝闭合环(15)嵌在样品槽(11)内，而超导接头(14)置于背场超导磁体(9)的内孔中心。通过超导互感器(10)给单匝闭合环(15)感应一定大小的电流，然后利用真空容器(2)的下底板中心的室温孔(13)，在外界使用常规霍尔探头来测量单匝闭合环(15)中心磁场的大小，计算出单匝闭合环(15)中电流的大小，测量出两个不同时间点的电流值就可以计算出超导接头实际的电阻值。
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公开(公告)号：CN119644219A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411695578.3
申请日：2024-11-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种磁共振成像抗电磁干扰线圈设计方法，所述方法包含六个执行步骤：步骤1，输入超导磁体线圈结构；步骤2，确定抗电磁干扰线圈位置；步骤3，计算抗电磁干扰线圈匝数；步骤4，整合超导磁体线圈和抗电磁干扰线圈结构信息并计算磁场传递向量、电感矩阵、线圈面积向量；步骤5，构建以屏蔽因子为目标函数的数学优化模型并求解抗电磁干扰线圈的轴向位置；步骤6，抗电磁干扰线圈匝数整数优化并计算屏蔽因子。所述方法可应用于任意磁共振成像超导磁体的抗电磁干扰线圈设计当中，具有很好的设计灵活性和工程适用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637287A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311728614.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供一种高绝缘强度的铌三锡超导线圈及其制作方法，所述超导线圈包括超导线圈骨架、第一绝缘层、铌三锡超导线圈、铌三锡超导线、第二绝缘层、第三绝缘层；所述铌三锡超导线圈采用铌三锡超导线采用先绕制后热处理的方法制造；采用在铌三锡导线外部添加第二绝缘层和第三绝缘层结合的方式将所述的真空高温热处理反应后的铌三锡超导线圈置于氧气条件下，对铌三锡超导线圈进行加热，使铌三锡超导线外围的第二绝缘层的金属材料发生氧化，并使铌三锡超导线外部的第三绝缘层的玻璃丝套在真空热处理时形成的含碳物进行氧化反应，生成碳的氧化物挥发到环境中。
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公开(公告)号：CN117577441A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311719262.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01F41/04 , H01F41/071 , H01F6/06
Abstract: 本发明提供一种鞍形超导线圈及制作方法，用铜线圈绕制单层的第一鞍形线圈，作为与实际用超导线绕制的第二鞍形线圈具有相同尺寸规格的模型线圈。以铜线绕制的第一鞍形线圈作为绕制模具，引导实际的第二鞍形线圈的偶数层的从外向内进行绕制。通过奇数层采用从内向外绕制，偶数层采用第一鞍形线圈作为绕制轨迹引导超导线从外向内绕制的方法，完成所有第二鞍形线圈的绕制。第二鞍形线圈绕制完成后，对整个第二鞍形线进行真空压力浸渍石蜡，使第二鞍形线圈4浸渍成一个整体。克服了现有技术采用多层贴片式鞍形线圈产生的多个接头的问题。避免多个鞍形线圈叠加使用时造成的接头预留线影响磁场均匀度的问题，线圈结构更加紧凑，减小了接头对磁场的影响。
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公开(公告)号：CN114300213B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210082267.4
申请日：2022-01-24
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01F6/06 , H01F6/04 , H01F41/04 , H01F41/098 , H01F41/12
Abstract: 本发明提供一种高热导铌三锡超导线圈及其制作方法。所述高热导铌三锡超导线圈包括不锈钢骨架(1)、绝缘层(2)、铌三锡超导线圈(3)、氮化铝(4)、氯化钠(5)，中心支撑(6)。本发明中采用高热导铌三锡超导线圈，利用不锈钢本身的机械支撑结构，结合氮化铝的高热导性能，能够使薄壁不锈钢骨架提高导冷效果，有效解决铌三锡线圈的冷却降温能力差的问题，提高铌三锡线圈的制冷效果，从而提高铌三锡线圈的载流能力，提升铌三锡超导线圈的性能。同时，为解决薄壁不锈钢高温易变形的问题，将不锈钢骨架和中心耐热钢支撑间隙填充氯化钠，有效阻止不锈钢
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公开(公告)号：CN114496454B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210116096.2
申请日：2022-01-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供一种高导冷低失超铌三锡超导线圈及其制作方法。所述超导线圈包括骨架芯桶、第一端板、第二端板、绝缘层、铌三锡超导线圈和绑扎层。所述第一端板连同绑扎层能够起到对铌三锡超导线圈从端面和外表面多向导冷的目的，加大了对铌三锡超导线圈的接触面积，加快了对铌三锡超导线圈的制冷效率，提高了对铌三锡超导线圈的制冷能力。同时，第一端板能够起到防止第二端板连同铌三锡超导线圈沿轴向向两侧运动，对第二端板连同铌三锡超导线圈进行限位，当第二端板连同铌三锡超导线圈沿轴向向中间运动时，第一端板脱离第二端板，减少铌(56)对比文件朱丽，吴巍，俞树荣，陈玉泉，梅恩铭，马鹏，姚庆高，孙良亭.超导离子源铌三锡六极线圈镜像磁场约束结构的优化设计.原子核物理评论.2020,854-858.
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公开(公告)号：CN114496455B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210181460.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种高场大孔径磁共振成像被动屏蔽超导磁体，所述磁体包含4个主线圈和4个调整线圈，包含液氦容器、冷屏、真空容器后，磁体温孔直径不低于850mm。所有线圈电流方向相同，采用截面为矩形的NbTi超导线材绕制，在磁体中心产生的磁场强度不低于9.4T，中心直径500mm的球形区域范围内磁场均匀度峰峰值不超过10ppm。磁场屏蔽房为六面体结构，采用硅钢片进行建造，沿磁体轴向的端面设置开口用于人员进出，整体硅钢片使用量不超过500吨。
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