一种基于单总线信息传输的数据流控方法、装置及通信系统

    公开(公告)号:CN115361345A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202211302058.2

    申请日:2022-10-24

    Abstract: 本发明实施例提供一种基于单总线信息传输的数据流控方法、装置及通信系统,属于通信技术领域。所述数据流控方法基于数据接收端,包括:检测数据接收端的数据缓冲区的状态,所述状态包括数据缓冲区空闲和数据缓冲区饱和;当所述数据缓冲区的状态发生改变时,向数据发送端发送初始化信号;当超过预设时间未接收到所述数据发送端的初始化应答信号时,重复发送所述初始化信号;响应于所述数据发送端的所述初始化应答信号,依次向所述数据发送端发送写数据准备信号和所述数据缓冲区的状态;其中,所述初始化信号、写数据准备信号和数据缓冲区的状态通过单根流控总线发送。通过本发明实施例,可以实现总线设备间的通信状态传输,可以有效防止通信数据丢失。

    SOC芯片单元混合布局方法和系统

    公开(公告)号:CN114925650A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210863596.2

    申请日:2022-07-22

    Abstract: 本发明提供一种SOC芯片单元混合布局方法和系统,属于集成电路版图设计领域。所述方法包括:获取前端网表,根据所述前端网表形成初始布局规划;确定需要混合布局的模块单元;根据所述初始布局规划和需要混合布局的模块单元确定用于限制需要混合布局的模块单元的放置位置的限制框;将需要混合布局的模块单元混合放置在所述限制框内。使用上述方法在布局过程中将同层级的SOC芯片单元混合布局,使得SOC芯片单元的运算时间、功耗以及电磁辐射等物理信息不具有规律性,攻击者无法通过分析物理信息来猜测安全芯片的密钥信息,提升安全芯片防功耗攻击的能力。

    SCR器件和芯片
    94.
    发明公开
    SCR器件和芯片 审中-实审

    公开(公告)号:CN114464614A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202210015941.7

    申请日:2022-01-07

    Abstract: 本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)器件和芯片。SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。高压P阱区依次设置有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区。高压N阱区依次设置有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区,第二N+掺杂区与第一P+掺杂区之间的距离小于预设距离,预设距离为位于高压N阱区和高压P阱区共同形成的区域的最外侧的两个掺杂区之间的距离。本申请的SCR器件和芯片中,将高压P阱区中的第一P+掺杂区与高压N阱区中的第二N+掺杂区之间的距离设置为小于预设距离,当SCR器件被ESD激励并导通时,SCR器件能够分段导通,提高SCR器件的维持电压,实现了维持电压的大幅度提升。

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