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公开(公告)号：CN107508142A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710804830.3
申请日：2017-09-07
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/125
Abstract: 本发明提供了一种非平行反射镜构成的光学谐振腔和产生光谐振的方法，所述光学谐振腔包括：顶部反射镜和底部反射镜，所述顶部反射镜和所述底部反射镜之间形成腔体，所述腔体内填充介质；所述顶部反射镜包括相对设置的两块平面反射镜，所述两块平面反射镜相对于所述底部反射镜具有相同倾角；所述底部反射镜为平面反射镜。本发明通过使谐振腔具有倾斜的顶部反射镜，使得垂直于底部反射镜的入射光束在谐振腔内行进过程中自再现时光程增加，与平行平面谐振腔具有不同的谐振条件，可获得较小的线宽和较大的Q值，并且将光场能量有效地控制在一定的区域内，减小了衍射损耗。
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公开(公告)号：CN107167180A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710359385.4
申请日：2017-05-19
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明提供一种弹性纤维传感器及其制备方法，制备方法包括：将弹性纤维在氧化石墨烯分散液中浸渍提拉，干燥后获得表面包覆氧化石墨烯的弹性纤维；将氯化锡溶液或氯化亚锡溶液与氧化石墨烯分散液混合均匀，获得混合溶液；将所述表面包覆氧化石墨烯的弹性纤维浸入所述混合溶液中进行水热反应，得到表面包覆有二氧化锡/还原氧化石墨烯复合材料的弹性纤维；在制得的表面包覆有复合材料的弹性纤维两端分别固定电极，获得成品。本发明制得的传感器兼具应变传感、气敏传感和光敏传感功能，不仅具有穿戴舒适度高、与被测试身体部位贴合度好等优势，同时应变传感的检测范围广、灵敏度高，对于多种气体和光波信号响应灵敏。
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公开(公告)号：CN107026390A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710154807.4
申请日：2017-03-15
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: H01S5/1042 , H01S5/34 , H01S5/34313
Abstract: 本发明提供一种1.55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置，所述方法包括以下步骤：S1、在单晶GaAs衬底一侧依次外延生长缓冲层、限制层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和欧姆接触层；S2、在欧姆接触层上制作图形掩膜层，并以图形掩膜层为掩膜制作微腔；S3、在微腔表面沉积氮化硅薄膜，并在微腔上制作侧向介电限制层，在微腔顶层制作二氧化硅绝缘层；S4、在二氧化硅绝缘层上制作p电极，在GaAs衬底另一侧制作n电极。通过在GaAs衬底上外延生长InP材料，实现GaAs基1.55微米的发光波段，并采用微腔激光器的结构,具备高品质因子、低阈值电流、便于集成、制备工艺简单等优势。
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公开(公告)号：CN105807378B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610346546.1
申请日：2016-05-24
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种收发一体的光电集成芯片，属于光通信技术领域。所述光电集成芯片包括芯片的衬底，衬底上依次为第一反射镜R2、第一层光学腔C1、第二反射镜R2、第二层光学腔C2、第三反射镜R3、第三层光学腔C3和第四反射镜R4，其中，R2、C2、R3、C3、R4形成等效顶面反射镜，与C1、R1构成谐振腔增强光探测器；R3、C2、R2、C1和R1形成的等效底面反射镜，与R4、C3构成垂直腔面发射激光器。本发明创造性地提出了自解耦垂直多腔集成器件结构，将垂直腔面发射激光器和谐振腔增强型光探测器集成在一个芯片当中，在一个集成芯片上同时实现了光通信信号的收发功能，并且可以进一步提高光通信收发模组的集成度和可靠性，并同时降低其功耗。
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公开(公告)号：CN105140330B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510613957.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104008960B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201310057279.2
申请日：2013-02-22
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；将纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；以纳米小球为掩膜，在纳米小球间隙内沉积外延层材料，并与衬底或虚拟衬底紧密结合，增大外延层材料的沉积厚度，使外延层材料高出纳米小球，外延层材料横向生长并合并，完全覆盖住纳米小球，降低外延层材料的表面粗糙度。本发明纳米小球间隙的生长窗口具有宽度窄、深宽比高的特征，纳米小球可以有效阻挡衬底与外延层之间由于晶格失配产生的穿透位错在外延层中继续向上穿通，大幅度提高异变外延材料质量，解决晶格失配材料间异变外延生长问题。
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公开(公告)号：CN105807378A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610346546.1
申请日：2016-05-24
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: G02B6/4296 , G02B6/4286 , G02B6/4287 , H01S5/183 , H01S5/18361
Abstract: 本发明公开了一种收发一体的光电集成芯片，属于光通信技术领域。所述光电集成芯片包括芯片的衬底，衬底上依次为第一反射镜R2、第一层光学腔C1、第二反射镜R2、第二层光学腔C2、第三反射镜R3、第三层光学腔C3和第四反射镜R4，其中，R2、C2、R3、C3、R4形成等效顶面反射镜，与C1、R1构成谐振腔增强光探测器；R3、C2、R2、C1和R1形成的等效底面反射镜，与R4、C3构成垂直腔面发射激光器。本发明创造性地提出了自解耦垂直多腔集成器件结构，将垂直腔面发射激光器和谐振腔增强型光探测器集成在一个芯片当中，在一个集成芯片上同时实现了光通信信号的收发功能，并且可以进一步提高光通信收发模组的集成度和可靠性，并同时降低其功耗。
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公开(公告)号：CN105448675A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410514645.7
申请日：2014-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层；在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层；在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层；在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层；在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层；在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层；在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备，降低所生长材料的位错密度，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN103325663B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210080333.0
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，涉及纳米工程领域。所述方法采用MOCVD设备，具体包括步骤：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；以纳米合金颗粒作为催化物，沿与衬底相垂直的方向生长纳米线；结束纳米线的轴向生长，在纳米线的侧壁上生长单层或者多层量子点。所述方法采用MOCVD设备，直接在六棱柱形的纳米线的侧壁上生长量子点，简化了现有制备方法的繁琐步骤，并且降低了制备成本；同时，所述方法通过在量子点的外面覆盖与纳米线相同材料的薄膜，可以在纳米线的侧壁生长多层量子点，使得到的复合纳异质结构性能更佳，在新一代的纳米光电子器件中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104851947A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510189107.X
申请日：2015-04-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法，属于LED芯片制造及LED照明领域。所述的带有表面糙化透光结构的LED芯片，包括芯片的衬底、n型半导体结构、i型有源区和p型半导体结构，以及形成在芯片表面的糙化透光结构；所述糙化透光结构是切面角度连续变化的糙化层。所述糙化透光结构在p型半导体结构上，或者在p型半导体结构的钝化层上，或者在p型半导体结构的透明电极上，或者在p型半导体结构的透明有机层上或者在n型半导体结构上，或者在衬底上。本发明可以改善LED器件出光受全反射角的影响，从而提升LED器件的出光效率。
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