公开(公告)号：CN107026390A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710154807.4

申请日：2017-03-15

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王俊 ,  马星 ,  成卓 ,  胡海洋 ,  杨泽园 ,  樊宜斌 ,  张然 ,  黄永清 ,  任晓敏

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/1042 ,  H01S5/34 ,  H01S5/34313

Abstract: 本发明提供一种1.55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置，所述方法包括以下步骤：S1、在单晶GaAs衬底一侧依次外延生长缓冲层、限制层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和欧姆接触层；S2、在欧姆接触层上制作图形掩膜层，并以图形掩膜层为掩膜制作微腔；S3、在微腔表面沉积氮化硅薄膜，并在微腔上制作侧向介电限制层，在微腔顶层制作二氧化硅绝缘层；S4、在二氧化硅绝缘层上制作p电极，在GaAs衬底另一侧制作n电极。通过在GaAs衬底上外延生长InP材料，实现GaAs基1.55微米的发光波段，并采用微腔激光器的结构,具备高品质因子、低阈值电流、便于集成、制备工艺简单等优势。