-
公开(公告)号：CN105047670A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510367258.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种SONOS器件的制造方法，SONOS器件的单元结构的制作方法包括如下步骤：提供硅衬底，分别形成ONO层和栅氧化硅层；淀积多晶硅层并光刻刻蚀；进行LDD注入；进行HALO注入，注入离子包括铟和硼离子。本发明利用铟离子比硼离子的质量大、注入后分布浅且集中且随热过程扩散量更小的特点，通过增加铟离子注入来调节HALO注入的离子分布，在SONOS器件的尺寸不断缩小时通过增加铟离子注入使得HALO注入的离子分布集中于多晶硅栅的底部，能降低SONOS器件的漏电并有利于SONOS器件的尺寸缩小，能降低高电压下的栅致漏极漏电以及能提高器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN104681609A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310643175.X
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种n型LDMOS器件,在p型硅衬底中具有深n阱和轻掺杂p阱一。在深n阱中具有轻掺杂p阱二、重掺杂p阱二和重掺杂n阱二；在轻掺杂p阱二中具有重掺杂n阱一；在重掺杂p阱二中具有源极和体区引出区；在重掺杂n阱一中具有漏极；在重掺杂n阱二中具有保护环引出区；在部分的重掺杂p阱二、部分的轻掺杂p阱二和部分的重掺杂n阱一之上具有栅氧化层；在栅氧化层和紧邻的部分隔离结构四之上具有多晶硅栅极。在轻掺杂p阱一中具有环形的重掺杂p阱一；在重掺杂p阱一中具有衬底引出区。在硅材料的表面具有多个隔离结构。本申请能够提高n型LDMOS器件中的寄生PNP三极管的纵向穿通电压，而不改变衬底与深n阱之间的PN结的耐压。
-
公开(公告)号：CN103021852B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110282838.0
申请日：2011-09-22
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高压P型LDMOS的制造方法，在P型硅衬底上形成掩蔽膜，刻蚀掩蔽膜到硅衬底上表面，形成相隔离的左右两个离子注入选择窗口；经两个离子注入选择窗口进行N型离子注入、扩散而形成一深N阱；进行P型离子注入及扩散，以经扩散交叠而形成的深N阱区域为中央区域形成p漂移区；形成浅沟槽隔离；进行N离子注入，在所述p漂移区左侧的深N阱上形成N阱；在N阱的右部及p漂移区左部上方形成多晶硅栅；在p漂移区形成漏端，在多晶硅栅左侧的N阱上形成源端。本发明的高压P型LDMOS的制造方法，能使p漂移区-深N阱区的PN结击穿得以提高，并同时改善垂直方向上的P漂移区-深N阱区-P型衬底的穿通问题。
-
公开(公告)号：CN104617097A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310544948.9
申请日：2013-11-05
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246
Abstract: 本发明公开了一种掩模型只读存储器，通过对NMOS存储单元的源区、漏区或栅极结构所覆盖区域设置浅沟槽场氧来将器件的源漏之间的导电通道截断从而实现1编码设置，未设置浅沟槽场氧的源区和漏区还是保持为重掺杂结构、栅极结构所覆盖区域还是保持为P阱结构，这样漏区和同一位线相连的各相邻的NMOS存储单元之间能够共用漏区和源区，不再需要单独设置漏区。本发明还公开了一种掩模型只读存储器的制造方法。本发明能降低器件的面积、提高器件的集成度、降低工艺成本，不需要额外增加新的光罩层，还能降低漏电。
-
公开(公告)号：CN104600071A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310526470.7
申请日：2013-10-30
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246
Abstract: 本发明公开了一种掩模型只读存储器，NMOS存储单元所存储的信息包括信息1和信息0两种；信息0所对应的NMOS存储单元都包括：源区、漏区、轻掺杂漏区和栅极结构，在读取时沟道导通；信息1所对应的NMOS存储单元在信息0所对应的NMOS存储单元的基础上增加了漏端P型重掺杂区，漏端P型重掺杂区的掺杂浓度和漏区相当，在横向位置上漏端P型重掺杂区位于漏端的轻掺杂漏区和漏区之间；在读取时漏端P型重掺杂区对轻掺杂漏区和漏区进行夹断并使沟道不导通。本发明还公开了一种掩模型只读存储器的制造方法。本发明能降低器件的面积、提高器件的集成度、降低工艺成本，能提高器件的击穿电压并易于集成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094473B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201110344324.3
申请日：2011-11-04
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种氧化钨阻变存储器的制备方法，在形成氧化钨阻变存储单元后，包括步骤：在氧化钨阻变存储单元的顶部表面和侧面形成氮硅化合物牺牲层；进行回蚀刻处理，在氧化钨阻变存储单元的侧面形成侧壁阻挡层；形成顶层金属层。本发明能消除顶层金属层和氧化钨阻变存储单元的底部的金属层间的漏电通路，从而能提高氧化钨阻变存储器的擦写操作窗口及可靠度。
-
公开(公告)号：CN103855161A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210516633.9
申请日：2012-12-05
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种SONOS闪存存储器的结构，该存储器由一个选择管和一个存储管构成，该闪存存储器的存储管由ONO层和多晶硅栅组成；该闪存存储器的选择管由中压氧化层和多晶硅栅组成；存储管和选择管之间距离很小，存储管多晶硅栅到选择管多晶硅栅的距离为0.06～0.16μm；存储管多晶硅栅和选择管多晶硅栅上方有侧壁氧化层和氮化硅层；存储管多晶硅栅和选择管多晶硅栅的侧壁有氮化硅侧墙。此外，本发明还公开了该SONOS闪存存储器的制造方法。本发明能够有效的缩小存储单元的面积。
-
公开(公告)号：CN103794718A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210427831.8
申请日：2012-10-31
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法，该方法采用PECVD？O2plasma方法对钨表面进行氧化，来制备所述钨氧化物变阻材料。本发明通过采用PECVD氧化方法制备WOx，提高了RRAM中的变阻材料WOx表面的氧含量，从而在保持忆阻特性的前提下，提升了RRAM的初始电阻和最小操作电流，为RRAM的发展提供了更宽阔的选择。
-
公开(公告)号：CN103681341A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210356394.5
申请日：2012-09-21
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28044
Abstract: 本发明公开了一种抑制PMOS器件阈值电压漂移的方法，包括步骤：在栅极多晶硅中进行硼离子注入；在栅极多晶硅的表面形成金属硅化钨；在金属硅化钨中进行硼离子注入。本发明方法通过在金属硅化钨生长之后，采用硼离子注入向金属硅化钨进行硼掺杂，使金属硅化钨的硼掺杂浓度接近或达到硼原子在金属硅化钨中的固溶度，由于金属硅化钨中硼掺杂浓度已经达到或接近最大值，故能够防止在后续热过程中栅极多晶硅中的硼向栅极多晶硅和金属硅化钨的接触表面扩散，降低了硼原子在金属硅化钨中聚集的风险，从而有效抑制PMOS器件的阈值电压漂移。
-
公开(公告)号：CN103632970A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210300836.4
申请日：2012-08-22
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/02664
Abstract: 本发明公开了一种抑制NMOS器件的双峰效应的方法，本发明方法通过在P阱注入之后进行一次N型离子注入并在有源区的表面形成N型杂质层，N型杂质层和P阱都具有有源区表面的顶角边缘处的杂质浓度低的特征，故N型杂质层和相同位置处的P阱的P型杂质进行中和后，能使得有源区表面的顶角边缘处的P型杂质的净掺杂浓度会相对提高、而有源区表面的中间区域的P型杂质净掺杂浓度会相对降低，能使得后续形成的NMOS器件的位于所述有源区的边缘位置处的阈值电压大于等于所述有源区中间区域的阈值电压，从而能够消除在有源区边缘位置处存在的寄生NMOS器件，降低有源区边缘处器件漏电，从而能有效抑制NMOS器件中的双峰效应。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
274
records
(took 0.073 seconds)
