公开(公告)号：CN103094473B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201110344324.3

申请日：2011-11-04

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 唐立文 ,  郁新举 ,  陈昊瑜 ,  陈广龙 ,  陈华伦 ,  袁苑

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化钨阻变存储器的制备方法，在形成氧化钨阻变存储单元后，包括步骤：在氧化钨阻变存储单元的顶部表面和侧面形成氮硅化合物牺牲层；进行回蚀刻处理，在氧化钨阻变存储单元的侧面形成侧壁阻挡层；形成顶层金属层。本发明能消除顶层金属层和氧化钨阻变存储单元的底部的金属层间的漏电通路，从而能提高氧化钨阻变存储器的擦写操作窗口及可靠度。

公开(公告)号：CN103094301B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201110344168.0

申请日：2011-11-04

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 陈广龙 ,  唐立文 ,  陈昊瑜 ,  陈华伦

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物阻变存储器，阻变存储介质层的材料为由氧化硅和金属氧化物组成的复合材料。本发明还公开了一种金属氧化物阻变存储器的制造方法。本发明金属氧化物阻变存储器通过在金属氧化物阻变存储器材料中引入不具备阻变性能的高阻态硅氧化物网络，能降低阻变存储介质层的有效界面面积，从而能提高器件的工作电阻区间、降低器件的操作功耗。

公开(公告)号：CN102592674B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201110002380.9

申请日：2011-01-07

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 唐立文 ,  陈广龙 ,  陈昊瑜 ,  陈华伦

IPC: G11C16/14

Abstract: 本发明公开了一种单管存储器阵列擦除的方法，先将各目标存储器单元的阈值电压擦除到给定的阀值电压上限值以下，再利用热载流子注入性质随存储管单元阈值电压不同而变化的特性，最终使单管存储器阵列的各目标存储器单元的擦除状态下的阈值电压分布在给定的安全窗口范围之内：阈值电压较低的过擦除的目标存储器单元被注入热电子，使其阈值电压被提高至给定的阀值电压下限值以上，以避免读取干扰；阈值电压较高的弱擦除的目标存储器单元被注入空穴，使其阈值电压收敛于给定的阀值电压上限值以下，使其有足够的擦除窗口以满足数据保持力可靠性的要求。