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公开(公告)号：CN115951566A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211731871.1
申请日：2023-02-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/30 , H01L21/027 , H01L21/3205 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法及金属图形的制作方法。本发明提供表面具有一定厚度的负性光刻胶层的基底，对基底表面的光刻胶层进行不充足曝光，在对光刻胶层进行第一和第二显影，实现充分显影，最终形成具有倒凸型结构的光刻胶条。本发明中的光刻胶层具有倒凸型结构，在基底表面与倒凸型结构光刻胶条表面沉积金属层时，由于金属层的厚度小于底部光刻胶层的厚度，使得基底表面的金属层与顶部光刻胶层的边缘断开，且倒凸形结构与基底的接触面积更小，使得光刻胶与金属的彻底断开，保证了形成的金属图形中金属线条的尺寸，金属层也不会和光刻胶层的侧壁粘在一起，达到改善金属剥离效果的目的。
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公开(公告)号：CN115855741A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310177946.4
申请日：2023-02-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本公开涉及用于评估掺杂面密度的方法及设备。该方法包括：对待测样品的待测区域进行电子束照射；获得待测区域的亮度检测信息；及响应于亮度检测信息，通过亮度与掺杂面密度之间的映射关系获得待测区域的掺杂面密度，映射关系根据获得亮度密度模型步骤得到包括：形成至少两个基准样品，基准样品的掺杂面密度相互不同；获得至少两个基准样品中每个的基准掺杂面密度；对基准样品的基准区域进行电子束照射，并获得基准区域的亮度基准信息；及根据至少两个基准样品具有的至少两组基准掺杂面密度与亮度基准信息，获得映射关系。该方法不需要对待测样品进行改造加工，适用于已经制作完成的器件，可以满足在线监控工艺进展的需求。
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公开(公告)号：CN115621163A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211123950.4
申请日：2022-09-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了光刻工艺中用于晶圆去胶过程中同时进行胶盘清洗的方法，包含将晶圆放置于载台上并固定，电机控制载台旋转带动所述晶圆进行一定速度的旋转，同时EBR喷嘴移动至晶圆的圆心处并从晶圆上方向下喷EBR，EBR喷嘴移动至晶圆边缘继续向下喷出EBR,喷出的EBR随晶圆快速旋转离开晶圆表面至胶盘侧壁，与胶盘侧壁上残胶发生溶解反应后从底部排废流走。这种方法可用于晶圆表面和胶盘残胶同时清除干净，避免胶盘单独清洗的工序。
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公开(公告)号：CN115440687A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211042448.0
申请日：2022-08-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/427 , H01L23/44
Abstract: 本发明涉及半导体器件散热技术领域中的一种电力电子器件冷却装置和系统，包括冷却箱体、箱盖以及两组以上的换热组件，箱盖可拆卸安装在冷却箱体上，两组以上的换热组件固定安装在箱盖上，且换热组件位于冷却箱体内，冷却箱体内安装有电力电子器件阵列，且电力电子器件阵列安装在冷却箱体的内壁上，冷却箱体内不完全填充有冷却液，且冷却液浸没电力电子器件阵列，冷却液部分浸没换热组件，解决了冷却液损耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN115084231A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210846369.9
申请日：2022-07-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种二极管及其制造方法，包括衬底层、半导体层、阴极层和阳极层，半导体层设置在衬底层上，阳极层设置在半导体层上，阴极层设置在衬底层上或设置在半导体层上，半导体层上还设置有若干组电场扩散层，每组电场扩散层间隔设置，且电场扩散层与半导体层形成肖特基接触，具有耐压性能高的优点，突破了器件电场集聚导致终端区域电场无法有效调制的瓶颈。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112599524B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202011510548.2
申请日：2020-12-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出一种具有增强可靠性的碳化硅功率MOSFET器件，包含多个传统碳化硅MOSFET元胞，以及多个增强可靠性元胞，其结构包含衬底、源极和漏极，还包括第一N型碳化硅区域，位于衬底上方；第一源极区域，包含第一P型体区，第二P型体区和第二N型碳化硅区域，位于所述第一N型碳化硅区域上方；第一隔离栅极区域，位于第一源极区域上方。元胞在第一表面为多边形或圆形布局设计，且增强可靠性元胞内的第一P型体区连为一体。这种结构减小了JFET区域的面积，提高了器件栅氧的可靠性；增加了第一P型体区面积，提高了器件的雪崩耐量；通过连为一体的第一P型体区设计，使得各个元胞第一P型体区的电位相等，有效提升了器件的短路能力。
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公开(公告)号：CN114958004A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210788734.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C08L83/07 , C08K3/34 , C08K3/28 , C08K9/06 , C08K5/5419
Abstract: 本发明提供一种同时具有高非线性电导特性和击穿特性的有机硅弹性体复合材料，包括以下质量分数的制备原料：乙烯基封端聚二甲基硅氧烷：35～40％；交联剂：35～40％；改性微米碳化硅：18～22％；改性纳米氮化铝：0.1～5％；所述改性微米碳化硅由微米碳化硅、硅烷偶联剂KH570在酸性的醇水溶液中水解制得；所述改性纳米氮化铝由纳米氮化铝、硅烷偶联剂KH570在酸性的醇水溶液中水解制得。本发明将改性的纳米氮化铝加入有机硅弹体/微米碳化硅复合材料中，既可以提高其非线性电导特性又可以提高其击穿特性。本发明还提供了一种同时具有高非线性电导特性和击穿特性的有机硅弹性体复合材料的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN114220848B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210162096.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通的浮岛器件及其制造方法，包括表面层、底层和漂移区，漂移区包括若干组衬底层和若干组浮岛层，每两组所述衬底层之间设置有一组浮岛层，或每两组所述浮岛层之间设置有一组衬底层，在浮岛层中设置重掺杂反型区，具有消除空间电荷对电流的阻碍的优点，缓解了漂移区中有相反类型掺杂区域的浮岛器件在较低的偏压下不能够恢复导通能力的问题。
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公开(公告)号：CN114300374A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111630451.X
申请日：2021-12-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/66
Abstract: 碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：使用光谱椭偏仪测量碳化硅上介质层的介质膜厚H1，并通过公式计算得到介质膜厚的评价函数MSE1；制作掩膜层，使用台阶仪量测掩膜层厚度Ht；基于所述步骤S2量测的掩膜层厚度Ht，使用光谱椭偏仪测量掩膜层厚度Hy，并通过公式计算得到所述掩膜层厚度的评价函数MSEy；刻蚀含有掩膜的碳化硅上介质层，使用台阶仪量测刻蚀后台阶深度Het，使用椭偏仪测量刻蚀后掩膜层厚度Hey；根据公式计算刻蚀选择比。本方法使刻蚀过程中的碳化硅上掩膜层的厚度量测更加精确，从而使碳化硅上的介质层相对于掩膜层的选择比刻蚀工艺调试结果更加具有可信度。
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公开(公告)号：CN114284224A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111295803.0
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种带翅片的嵌入式功率芯片微通道热沉，包括：微通道基板，冷却液进出口基板，冷却液进口，入口缓冲区，缩口段，扩口段，出口缓冲区，冷却液出口等。本发明采用刻蚀工艺，在晶圆上一体化刻蚀出单个功率芯片或多个功率芯片组及带翅片的微通道结构，翅片的存在强化了微通道中的传热，提高了芯片表面的散热能力，进而可提高功率芯片的可靠性和使用寿命。
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