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公开(公告)号：CN111572118A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010468307.X
申请日：2020-05-28
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: B32B9/00 , B32B13/02 , B32B13/04 , B32B17/06 , B32B33/00 , B32B3/24 , B32B5/16 , B32B7/12 , E04F13/077 , E04F15/02
Abstract: 本发明涉及一种硅基多孔复合板材，包括支撑体层，其特征在于：在支撑体层上从里到外依次有致密层和多孔层；所述致密层为建筑用防水胶或0.12~0.30 mm厚的超薄玻璃；所述多孔层，按质量百分比计，由10%-25%硅溶胶、70%-85%硅藻土、5%-15%玻璃粉烧结制得。本发明的有益效果：该复合板材结构简单、各结构单元制备工艺成熟、易大尺寸规模化生产；吸水率是多孔层体积的2-4倍；复合板材适用于有消毒需求的居家或公共环境的室内墙面或地面。
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公开(公告)号：CN111517626A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010579302.4
申请日：2020-06-23
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: C03B23/025
Abstract: 本发明提供一种玻璃微波热弯炉，它包括腔体（1），在腔体（1）一端设有进料口（6）另一端设有出料口（7），其特征紫玉：腔体（1）内设有一组微波发生器（2），腔体（1）内设有玻璃辊道（5），在玻璃辊道（5）一侧的腔体（1）内设有托辊（4）。本发明结构简单、使用方便，玻璃热弯成形迅速，成形效果好等有优点。
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公开(公告)号：CN106591789B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201611188145.4
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 安徽省包装印刷产品质量监督检验中心
Abstract: 本发明公开一种直接制备绒面AZO薄膜的方法，包括采用直流磁控溅射工艺，将玻璃衬底加热至300℃后，在玻璃衬底上溅射厚度为180～220nm的底层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在底层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的中间层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在中间层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的顶层AZO薄膜，最终得到层叠的绒面AZO薄膜；在反复的冷却和加热过程中，晶粒尺寸大幅度增加，使得每层AZO薄膜表面都呈凹凸结构，三层叠加后，得到具有绒面织构的AZO薄膜；本发明舍弃了传统的蚀刻方式，能够避免薄膜材料的消耗，节省生产成本，并且保证薄膜质量。
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公开(公告)号：CN108754443A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810560533.3
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种提高N掺杂ZnO薄膜荧光特性的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，将衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，以陶瓷ZnO靶为基材，通入Ar和N2在衬底表面进行N掺杂ZnO薄膜的制备；S3、将得到的N掺杂ZnO薄膜置于退火炉中，以N2为保护气氛，在1000℃的温度下退火3小时；S4、持续向退火炉通入N2，使N掺杂ZnO薄膜随炉冷却至室温；高温退火可以提高薄膜的结晶质量；在N2的保护气氛中退火可以使薄膜中的N离子或ZnO中的错位粒子迁移到合适的位置，另一方面由于N2的作用，也可进一步提高薄膜中的N含量，得到荧光特性增强的ZnO薄膜。
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公开(公告)号：CN108642465A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810560534.8
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/46 , C23C14/0658 , C23C14/48
Abstract: 本发明公开一种离子束沉积制备CN薄膜的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污与杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与离子注入机，离子束沉积设备采用C靶，将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室内，以氩离子轰击C靶；同时，开启离子注入机，注入N离子，在衬底表面得到CN薄膜；C靶的工艺参数通过离子束沉积设备进行独立控制，N离子源的提供由离子注入机完成，整个过程中离子束沉积设备与离子注入机都是单独工作，不相互干扰；C与N的简单的进行反应得到CN薄膜，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108396298A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810560606.9
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086
Abstract: 本发明公开一种Al、Mn、ZnO共掺杂复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以ZnO靶、Al2O3靶与MnO2靶为溅射靶材，ZnO靶、Al2O3靶与MnO2靶在水平面以三角形分布，且ZnO靶、Al2O3靶与MnO2靶分别与水平面形成60º夹角，所述衬底位于ZnO靶、Al2O3靶与MnO2靶的延长线交点处；S3、向磁控溅射设备的真空腔室内通入溅射气体氩气，ZnO靶的功率400W、Al2O3靶的功率150W、MnO2靶的功率150W，Ar总通入量为100sccm，工作气压2.0Pa，溅射1.5小时，得到Al、Mn、ZnO共掺杂复合薄膜；改变靶材各自的溅射参数可进行任意掺杂元素、任意掺杂量的掺杂，且所制备薄膜掺杂都非常均匀。
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公开(公告)号：CN108183000A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711415243.1
申请日：2017-12-25
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: H01B13/0026 , C23C14/086 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗基底并吹干；S2、通过磁控溅射工艺在基底表面沉积下TCO膜层；S3、采用旋涂法在下TCO膜层表面制备单层聚苯乙烯微球，聚苯乙烯微球在下TCO膜层表面呈矩形阵列式分布；S4、通过磁控溅射工艺，在各个聚苯乙烯微球的间隙之间沉积金属；S5、利用有机溶剂超声清洗去除聚苯乙烯微球，得到表面分布有矩形阵列式半球形凹坑的金属层；S6、通过磁控溅射工艺，在金属层顶面沉积上TCO膜层，得到所述透明导电薄膜；利用聚苯乙烯微球作为模板，进而溅射出特殊结构的金属层，能有效的提高整个膜系的导电性和耐弯折性，同时可以减少TCO膜层的厚度，节约材料成本；并且使整个膜系透过率良好。
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公开(公告)号：CN108179391A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711415407.0
申请日：2017-12-25
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0641 , C23C14/08 , C23C14/14 , H01B5/14
Abstract: 本发明公开信息显示用柔性多层透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：清洗柔性衬底并吹干；采用磁控溅射工艺，在柔性衬底顶面依次沉积下SiO2层、下Si3N4层与下TiO2层；在下TiO2层顶面蒸发沉积AgPt合金层，并对AgPt合金层进行Ar等离子辐照；采用磁控溅射工艺，在AgPt合金层顶面依次沉积上TiO2层、上Si3N4层与上SiO2层，最终得到所述柔性多层透明导电薄膜；由SiO2、Si3N4与TiO2构成的复合介质层结构，具有梯度化匹配的折射率，使整个膜系具有更加优良的光学透过率；AgPt合金层作为导电层，能有效的提高整个膜系的力学柔韧性和抗弯折能力，AgPt合金层经过等离子体辐照处理，使整个复合膜系具有更好的透过率和导电性。
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公开(公告)号：CN108165939A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711415267.7
申请日：2017-12-25
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/086 , C03B11/00 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开一种绒面AZO薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、采用熔融法制备超白玻璃，在超白玻璃出炉过程中,采用表面具有绒面结构的模板对超白玻璃表面进行压模，得到表面具有绒面结构的超白玻璃；S2、将制得的超白玻璃进行钢化、切割、清洗工序得到表面具有绒面结构的玻璃基片；S3、将玻璃基片作为衬底，通过磁控溅射在玻璃基片的绒面沉积AZO，得到绒面AZO薄膜；本方法无需酸蚀刻步骤，降低薄膜的制备成本，避免环境污染；AZO薄膜的绒面由表面具有绒面结构的模板决定，能够有效地控制绒面；绒面AZO薄膜的质量容易控制，性能稳定，重复性好。
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公开(公告)号：CN108149196A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711415408.5
申请日：2017-12-25
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开一种氮掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底；S2、使用磁控溅射镀膜设备，将ZnO陶瓷靶作为靶材，清洗后的衬底置入磁控溅射真空腔内，通入溅射气体氩气、氧气与氮气，通过磁控溅射制备得到氮掺杂p型ZnO薄膜；氩气、氧气与氮气的体积比为20：6：0.5；氮气的通入采用环形供气装置，环形供气装置包含水平设于磁控溅射真空腔内的环形饼柱，环形饼柱为空心，环形饼柱的内环壁设有一组出气孔，环形饼柱还连接有延伸出磁控溅射真空腔的供气管；磁控溅射时，环形饼柱环绕包围衬底；直接以氮气为掺杂源，同时改变氮气的供气方式，只需要少量的氮气就可达到氮的离子化，并且容易掺入到ZnO薄膜中实现p型转变，得到p型ZnO薄膜。
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