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公开(公告)号：CN107530785B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201680002026.7
申请日：2016-06-22
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 本发明涉及一种表面被覆切削工具，其包括基材以及形成在基材上的覆膜。该覆膜包括硬质层。该硬质层包含多个具有氯化钠型晶体结构的晶粒。当使用EBSD系统在平行于基材的表面的法线方向的硬质层的横截面中分析多个晶体各自的晶体取向，从而测量作为晶粒的晶面的(111)面的法线方向与基材的表面的法线方向之间的夹角时，夹角为0度以上且小于20度的晶粒的比例A为50％以上。关于晶粒的粒界，Σ3晶界的长度小于Σ3‑29晶界的长度的50％。晶粒具有这样的层叠结构，其中由AlxTi1‑x的氮化物或碳氮化物构成的第一层和由AlyTi1‑y的氮化物或碳氮化物构成的第二层交替层叠。彼此相邻的第一层和第二层的总厚度为3nm以上40nm以下。
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公开(公告)号：CN109070235B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201780024349.0
申请日：2017-03-03
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 表面被覆切削工具具有基材和在基材的表面上形成的覆膜。覆膜包括交替层。交替层包括具有第一组成的第一层和具有第二组成的第二层。交替层通过交替地层叠一个或多个第一层以及一个或多个第二层而构成。第一层和第二层各自的厚度为2nm至100nm(含端点)。第一组成由TiaAlbSicN(其中0.25≤a≤0.45，0.55≤b≤0.75，0≤c≤0.1并且(a+b+c)＝1)表示。第二组成由TidAleSifN(其中0.35≤d≤0.55，0.45≤e≤0.65，0≤f≤0.1并且(d+e+f)＝1)表示。第一组成和第二组成满足0.05≤(d‑a)≤0.2和0.05≤(b‑e)≤0.2。
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公开(公告)号：CN108367363B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201680066342.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
IPC: B23B27/14 , B23B51/00 , B23C5/16 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 一种表面被覆切削工具，其具有包括前刀面和后刀面的表面，并且其中在所述前刀面和所述后刀面之间的边界处的部分形成切削刃。该表面被覆切削工具设置有基材和覆盖所述基材的表面的覆膜，并且所述覆膜包括具有NaCl型晶体结构的TiAlN层。如果位于所述切削刃处的切削刃区域中所述TiAlN层的组成表示为Ti1‑XEA1XEN，位于所述前刀面处的前刀面区域中所述TiAlN层的组成表示为Ti1‑XRAlXRN，并且位于所述后刀面处的后刀面区域中所述TiAlN层的组成表示为Ti1‑XFAlXFN，则满足0.65
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公开(公告)号：CN110352107A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201780087549.0
申请日：2017-07-07
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种表面被覆切削工具，包括基材以及形成在所述基材的表面上的覆膜，其中：覆膜包括一层或多层；层中的至少一层为含有硬质颗粒的富Al层；硬质颗粒具有氯化钠型晶体结构并且包含多个聚集的第一单元相以及介于第一单元相之间的第二单元相；第一单元相包含AlxTi1-x的氮化物或碳氮化物；第一单元相中Al的原子比x为0.7至0.96；第二单元相包含AlyTi1-y的氮化物或碳氮化物；第二单元相中Al的原子比y为0.5以上且小于0.7；并且，当通过X射线衍射法从覆膜表面的法线方向进行分析时，富Al层在(200)面具有最大峰。
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公开(公告)号：CN106660136B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201580003733.3
申请日：2015-07-13
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 根据本发明的表面被覆切削工具设置有基材、以及形成于所述基材上的覆膜，所述覆膜包括α‑Al2O3层，所述α‑Al2O3层包含多个α‑Al2O3的晶粒并且示出(001)取向，所述晶粒的粒界包括CSL粒界和一般粒界，并且CSL粒界中的Σ3晶界的长度超过Σ3‑29晶界长度的80％，并且为全部粒界的总长的10％以上50％以下，其中所述全部粒界的总长为所述Σ3‑29晶界的长度和所述一般粒界的长度的总和。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107980013B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780002260.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: B26B9/00 , B32B15/04 , C23C16/0272 , C23C16/029 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/403 , C23C16/45523
Abstract: 一种表面被覆切削工具，包括基材以及形成在该基材上的覆膜。该覆膜包括α‑Al2O3层。该α‑Al2O3层包含多个α‑Al2O3晶粒和氯，并且其织构系数TC(hkl)中的TC(006)大于5。该α‑Al2O3层包括下层和上层，在该α‑Al2O3层的厚度方向上，该下层比该上层更靠近于该基材，并且该上层隔着该下层与该基材相对。该下层的厚度为1.0μm。该上层的厚度为0.5μm以上。该下层中的氯具有这样的浓度分布：在该下层的厚度方向上，该氯的原子浓度CCl沿着远离基材的方向减少。
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公开(公告)号：CN109641283A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052009.9
申请日：2017-04-25
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 该表面被覆切削工具具有前刀面和后刀面，其具有基材和形成在所述基材上的覆膜，该基材为硬质合金或金属陶瓷，该覆膜包括含有多个氧化铝晶粒的氧化铝层，所述氧化铝层包括：第一区域，其包括前刀面上的区域A和后刀面上的区域B；第二区域，其为前刀面上除了区域A之外的区域；和第三区域，其为后刀面上除了区域B之外的区域，并且在氧化铝层中，将a定义为第一区域内的取向指数TC(hkl)中的TC(110)的平均值，并将b定义为第二区域或第三区域内的上述TC(110)的平均值，满足关系式：b-a>0.5。
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公开(公告)号：CN109641282A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051563.5
申请日：2017-04-25
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
IPC: B23B27/14 , B23B51/00 , B23C5/16 , B23D77/00 , B23F21/00 , B23G5/06 , C22C29/04 , C22C29/08 , C23C16/40
Abstract: 该表面被覆切削工具具有前刀面和后刀面，其具有基材和形成在所述基材上的覆膜，该基材包括连接前刀面与后刀面的切削刃，并且在距离所述切削刃0.4μm的深度位置处的氧浓度为1原子％以下，该覆膜包括含有多个氧化铝晶粒的氧化铝层，所述氧化铝层包括：第一区域，其包括前刀面上的区域A和后刀面上的区域B；第二区域，其为前刀面上除了区域A之外的区域；和第三区域，其为后刀面上除了区域B之外的区域，并且在氧化铝层中，将a定义为第一区域内的取向指数TC(hkl)中的TC(006)的平均值，并将b定义为第二区域内的TC(006)的平均值，满足关系式：b-a>0.5。
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公开(公告)号：CN107848040B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201780001560.0
申请日：2017-03-02
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 表面被覆切削工具具有基材和形成在所述基材的表面上的覆膜。该覆膜包括第一交替层和形成在所述第一交替层上的第二交替层。该第一交替层包括第一层和第二层，该第二交替层包括第三层和第四层。一个或多个所述第一层和一个或多个所述第二层交替层叠，一个或多个所述第三层和一个或多个所述第四层交替层叠。所述第一层由AlaCrbM11‑a‑b的氮化物或碳氮化物组成，所述第二层由AlcTidM21‑c‑d的氮化物或碳氮化物组成，所述第三层由AleTifM31‑e‑f的氮化物或碳氮化物组成，以及所述第四层由AlgTihM41‑g‑h的氮化物或碳氮化物组成。M1、M2、M3和M4是选自由Si、B、以及元素周期表中的除了Cr和Ti之外的第4族元素、第5族元素和第6族元素构成的组中的一种或多种元素。
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公开(公告)号：CN106536101B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201580003730.X
申请日：2015-07-13
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 根据本发明的表面被覆切削工具(10)包括基材(11)和形成在基材上的覆膜(12)。该覆膜包括α‑Al2O3层，所述α‑Al2O3层包含多个α‑Al2O3的晶粒，所述晶粒的粒界包括CSL粒界和一般粒界。位于前刀面(1)侧和后刀面(2)侧的α‑Al2O3层均示出(001)取向。在位于前刀面侧的所述α‑Al2O3层内，Σ3晶界的长度LR3超过Σ3‑29晶界的长度LR3‑29的80％，并且为全部粒界的总长LR的10％以上50％以下。在位于后刀面侧的所述α‑Al2O3层内，Σ3晶界的长度LF3超过Σ3‑29晶界的长度LF3‑29的80％，并且为全部粒界的总长LF的10％以上50％以下。所述长度LR3与所述长度LR3‑29之比LR3/LR3‑29大于所述长度LF3与所述长度LF3‑29之比LF3/LF3‑29。
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