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公开(公告)号：CN101074369B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200710072412.6
申请日：2007-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/56
Abstract: 一种晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点及其制备方法，它涉及一种稀磁半导体量子点及其制备方法。它解决了目前钴离子掺杂量子点的方法都无法将钴离子掺杂到CdS量子点晶格内部，无法得到晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点的问题。晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点是钴离子掺杂摩尔浓度为0.076～0.185的CdS量子点。制备方法：一、十六烷基胺真空脱气；二、降温在氮气氛条件下将(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]和(Me4N)2[Co4(SC6H5)10]加入，然后升温；三、待达到设定颗粒尺寸，降温；四、离心分离、沉淀物再真空干燥；五、表面配体交换。本发明晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点在室温条件下兼具荧光和磁性双重特性。
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公开(公告)号：CN102136394A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010582662.6
申请日：2010-12-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 勾状宽温区记忆合金温控微开关及其制备方法，它涉及记忆合金温控开关及其制备方法，本发明解决了现有的钛镍合金温控开关温控范围窄及利用偏置机构的温控开关结构复杂的问题。本发明的温控微开关由固定在基板上的V形第一钛镍记忆合金丝和V形第二钛镍记忆合金丝构成，其中第一钛镍记忆合金丝的自由边和第二钛镍记忆合金丝的自由边搭在一起；方法：将对应设计上、下限温度的钛镍记忆合金丝弯成V形后定形，再经多次冷、热交替训练后，分别通过固定点固定在基板上，并使两钛镍记忆合金丝的自由边搭在一起，得到勾状宽温区记忆合金温控微开关。该开关控制的温度范围达70℃～100℃，电阻仅为1～1.8欧姆，可用于线路板上。
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公开(公告)号：CN101982290A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201010509118.9
申请日：2010-10-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23P15/00
Abstract: 记忆合金均载连接减振元件的制造方法，它涉及一种减振元件的制造方法。本发明解决了现有复合材料脆性大，性能各向异性，机械加工易分层，局部强度差，接头受力复杂，一旦构件局部过载，会因应力集中导致整个构件迅速破坏的问题。其制造方法如下：一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20％以上，然后在300℃～550℃退火处理1小时，然后机械加工，再约束时效即得元件；二、将元件按照先放入液氮再放入沸水的顺序重复20～100次，即得记忆合金均载连接减振元件。采用本发明方法制备的均载连接减振元件，同时具有优良的超弹性性能(恒弹力应变可达8％、高的上平台应力大于490MPa)以及优异的阻尼行为，可实现完美的均载连接，避免局部应力集中而导致的失效破损问题。
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公开(公告)号：CN101508766A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910071532.3
申请日：2009-03-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 聚癸二酸丙三醇酯系生物可降解形状记忆聚合物及其制备方法，它涉及生物可降解形状记忆聚合物及其制备方法。本发明提供了聚癸二酸丙三醇酯系生物可降解形状记忆聚合物及其制备方法。本发明的产品主要由癸二酸与丙三醇经共聚后再交联固化而成。本发明的方法如下：a.制备预聚物；b.浇模，交联固化后即可。本发明产品具有形变量大、形变恢复率高、生物相容性好的优点；其形状恢复温度为0～45℃，拉伸强度为0.5～10MPa，降解时间为30～300天；其可作为人体软组织损伤修复用材料，如角膜、视网膜、皮肤、血管、结缔组织、胰岛组织、肌肉组织和神经组织等。本发明方法工艺简单，便于操作。
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公开(公告)号：CN100494519C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710071637.X
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99%的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成；其中ZrO2的掺杂量为2～6mol%、Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.04wt%、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下：一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5，充分混合；二、把混合好的原料放入Pt坩锅中，采用提拉法进行晶体生长；三、将经步骤二得到的晶体极化；再把极化后的晶体准确定向，并按照Y面切割，再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光；即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101413094A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810209626.8
申请日：2008-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22F1/16
Abstract: 一种TiNi合金多功能一体化的复合热处理方法，它涉及一种TiNi合金多功能一体化的热处理方法。本发明解决了现有热处理方法处理的TiNi合金性能单一的问题。本发明的方法按以下步骤进行：一、深冷处理；二、中温退火；三、约束时效处理；即实现了TiNi合金的多功能一体化。本发明的复合热处理方法处理后的TiNi合金，同时具有良好的形状记忆效应、良好的超弹性性能以及优异的阻尼行为，本发明的复合热处理方法使得TiNi合金具有良好的多功能一体化性能。
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公开(公告)号：CN101298657A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810064609.X
申请日：2008-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种在TiNi合金表面制备类金刚石膜的方法，它涉及一种在合金表面制备类金刚石膜的方法。本发明解决了现有TiNi合金表面的防腐膜存在容易脱落及难以在TiNi合金基体表面制备类金刚石膜的问题。本发明在TiNi合金表面制备类金刚石膜的方法按如下步骤进行：一、将TiNi合金基体表面均进行机械抛光，再以超声波振荡清洗，晾干后立即放入真空室；二、用碳阴极电弧在石墨靶表面移动，控制脉冲电压和工作气压；即在TiNi合金表面形成DLC膜。本发明在TiNi合金表面制备的类金刚石膜与基体的结合力高。
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公开(公告)号：CN101254941A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810064236.6
申请日：2008-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 一种无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法，它涉及一种无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法。它解决了现有CdS纳米线制备方法需要大型设备、制备温度高、后续处理工艺繁琐、纳米线容易被污染或损伤性能、尺寸和形貌难于控制或者工艺条件苛刻，难于操作，难以工业化大规模实施的问题。制备方法：一、将十六烷基胺真空脱气；二、降低温度、在氮气氛条件下将(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]加入，然后升温、并保温反应；三、降低混合物温度；四、分离、沉淀、干燥。本发明直接用无机分子簇单源前体合成CdS纳米线方法无需大型设备，操作安全、简便、易行、且成本低，便于控制CdS纳米线的尺寸、形貌和性能，易于工业化大规模生产，可重复性好，可一次性进行大剂量CdS纳米线的制备。
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公开(公告)号：CN101235459A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810064044.5
申请日：2008-02-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多晶Ni－Mn－Ga－RE合金及其制备方法，它涉及一种Ni－Mn－Ga铁磁形状记忆合金及其制备方法。本发明解决了现有Ni－Mn－Ga合金的强度低、脆性大、可加工性能差的问题。本发明产品的结构通式为Ni50Mn29Ga21－XREX，其中0＜X≤5，RE表示稀土元素，RE为镝、钆或钇；它的制备方法如下：将电解镍、电解锰、镓和RE按分子式的化学计量比放入熔炼室中，在1500℃～1700℃、纯度为99.999％氩气保护气氛下熔炼10～15分钟，翻转合金块重复上述操作四至六次；然后经机械抛光去除表面杂质，再用丙酮清洗三至四次后封入真空度为10－1Pa～10－2Pa的石英管中，在750～850℃条件下保温20～24小时进行均匀化处理，尔后在水中淬火。与Ni－Mn－Ga合金相比，本发明产品的强度高、脆性小、便于加工。本发明方法的工艺简单，便于操作。
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公开(公告)号：CN101220448A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810063981.9
申请日：2008-02-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增韧磁性形状记忆合金的制备方法，它涉及一种磁性形状记忆合金的制备方法。本发明解决了现有磁性形状记忆合金Ni－Mn－Ga存在脆性大、强度低、驱动磁场门槛值高的问题。本发明的增韧磁性形状记忆合金按如下步骤进行制备：按照摩尔份数比取料、电弧熔炼、清洗、保温、淬入水中，即得到增韧磁性形状记忆合金Ni53Mn23.5Ga18.5Ti5。本发明制备的磁性形状记忆合金Ni53Mn23.5Ga18.5Ti5具有韧性大、强度大、驱动磁场门槛值低的优点。
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