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公开(公告)号：CN119900072A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411961642.8
申请日：2024-12-30
Applicant: 中能兴盛(香河)半导体精密制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种集成捕捉器的晶体炉的控制方法，涉及晶体炉控制技术领域，包括：根据若干张表面热成像，判断熔体表面是否具有漂浮物；若具有漂浮物时，判断漂浮物的漂浮位置是否变化，若漂浮位置未变化时，则获取目标高度和目标区域，获取捕捉器主体的当前位置，根据当前位置和目标高度，得到第一目标垂直位移，根据当前位置和目标区域，得到目标转动角度；控制捕捉器主体绕第一转动轴转动目标转动角度后，控制捕捉器主体下移第一目标垂直位移，本发明提出的晶体炉能够灵活地调整捕捉器的位置和角度，适应不同的晶体生长条件和漂浮物分布情况，从而提高漂浮物的捕捉效率。
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公开(公告)号：CN119877083A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510079247.5
申请日：2025-01-17
Applicant: 珠海东锦石英科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种晶棒加工产线及其生产工艺，属于晶棒加工技术领域。原料提纯线：用于对准备好的晶棒生产原料进行提纯；晶棒生成线：用于将高纯度多晶硅熔炼最终生成晶棒；头尾去除线：用于将生成的晶棒头部和尾部裁切掉；取样检测线：用于对掐头去尾的晶棒切片取样、检测；研磨线：用于对晶棒外径研磨；打码线：用于对晶棒进行打码；晶棒缓存线：用于对打码完成的晶棒进行存储。本发明的晶棒加工产线及其生产工艺是一个复杂而精细的生产过程，具有先进的设备、自动化加工、严格的管理和质量控制手段来确保产品质量和生产效率，以确保生产过程的稳定性和可控性，确保产品的质量符合使用要求，产品的一致性好，使得加工成品率有效提高。
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公开(公告)号：CN119824521A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411411175.1
申请日：2024-10-10
Applicant: 爱思开矽得荣株式会社
Inventor： 崔峻赫
Abstract: 一种用于籽晶缆的长度校正设备，可以包括：编码器，该编码器被配置为测量籽晶缆的长度；负荷传感器，该负荷传感器被配置为测量使用籽晶缆生长的铸锭的重量；以及控制器。控制器被配置为：通过将籽晶缆的所测量的长度与铸锭的所测量的重量相乘来获得校正值；以及基于所获得的校正值来校正籽晶缆的长度。
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公开(公告)号：CN119824520A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510093344.X
申请日：2025-01-21
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种料辅助装置、单晶炉系统以及化料工艺，包括连接夹头、与连接夹头相连接的连接杆以及与连接杆相连接保温组件，保温组件包括相连接的盖体和托盘，盖体与托盘连接，盖体与托盘均可相对连接杆移动，托盘与连接杆卡接，连接夹头与连接杆卡接，盖体与托盘之间具有容纳空间。本发明的有益效果是进行辅助化料，将单晶炉内热气流聚集在石英坩埚内，使得单晶炉内温度升高，加速硅原料熔化，挂边，架桥等异常现象明显减少，缩短化料时间，同时通过化料辅助装置的在单晶炉内上下移动，改变保护气体的流动方向，使得粉尘杂质随保护气体排出或被吹入石英坩埚内，并结合粘渣工艺，将硅熔体内的杂质清除，提高长晶成功率及单晶品质。
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公开(公告)号：CN119775053A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411994225.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 烟台凯泊复合材料科技有限公司
IPC: C04B41/89 , C04B35/66 , C04B35/532 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/10 , C04B35/515 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B15/10
Abstract: 本申请涉及碳碳复合材料的技术领域，尤其是涉及一种碳碳热场结构件表面陶瓷隔离膜的制备方法及应用，所述碳碳热场结构件表面陶瓷隔离膜的制备方法包括如下制备步骤：S1、制备陶瓷浸渍液，并将炭布通过陶瓷浸渍液浸渍，制得浸渍炭布；S2、制备陶瓷胶粘剂；S3、制备陶瓷浆料；S4、将碳碳热场结构件内表面打磨、涂覆陶瓷胶粘剂、粘贴浸渍炭布并涂刷陶瓷浆料，然后进行等静压渗透；S5、将等静压渗透后的碳碳热场结构件进行瓷化烧结，碳碳热场结构件内表面形成陶瓷隔离膜；其具有使碳碳热场结构件表面陶瓷隔离膜连续且耐腐蚀的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119352143B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411919132.4
申请日：2024-12-25
Applicant: 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
Abstract: 本申请涉及保温结构及晶体生长炉，包括：本体，所述本体内部具有一保温腔，所述本体的顶部具有一顶部保温层，所述顶部保温层上开设有一允许提拉轴穿设进入所述保温腔的通道；所述通道包括：第一空间，所述第一空间位于所述通道的中心，所述第一空间用于容置提拉轴；第二空间，所述第二空间与所述第一空间连通，所述第二空间呈环形且绕设于所述第一空间的周侧，所述第二空间用于向提拉轴晃动时提供活动空间。解决了保温结构和提拉轴碰撞的技术问题，达到提高防止提拉轴和保温结构碰撞的技术效果。
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公开(公告)号：CN119753814A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411954380.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 张志强
Abstract: 本发明提供一种单晶硅棒产品、单晶生长设备及单晶生长方法，单晶生长设备包括炉体、坩埚、加热器、绝缘支架、支撑杆、短路连接块和驱动装置，加热器被短路连接块分成发热区和短路区，在长晶过程中，随着坩埚的向上移动，使用驱动装置驱动支撑杆，以使得短路连接块缓慢上升，进而控制加热器的发热区的长度，从而增强对生长界面温度梯度分布的调控能力，提升生长界面V/G的均匀性，促进高品质的单晶硅棒产品的生长，此外，通过对加热器发热区长度的调节实现对加热器的发热面积的调整，拓展了加热器的应用工艺窗口，使得同一加热器能够满足生产多种不同含氧量的单晶硅棒产品，且通过该单晶生长方法实现了含氧量为3nppma～20nppma的低氧含量的单晶硅棒产品的生产。
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公开(公告)号：CN119737871A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411879769.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安奕斯伟硅片技术有限公司
Inventor： 秦浩
Abstract: 本发明提供了一种拉晶炉副炉、晶棒直径测量方法及装置，该拉晶炉副炉包括：副炉室、籽晶夹具以及直径测量装置；所述籽晶夹具设置于所述副炉室的顶部，用于固定所述副炉室内的晶棒一端的籽晶；所述直径测量装置，包括：测量装置主体、四个测距仪以及计算模块；所述测量装置主体为环状结构，设置于所述副炉室的底部，且所述晶棒穿过所述测量装置主体；四个所述测距仪均匀设置于所述测量装置主体的内壁且与所述副炉室内壁齐平，用于测量到所述晶棒表面的距离；所述计算模块设置在所述测量装置主体上，用于根据所述测距仪到所述晶棒表面的距离计算所述晶棒的直径。解决了现有技术中在拉晶结束后需要将晶棒移出拉晶炉才能进行直径的测量的问题。
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公开(公告)号：CN119710920A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411828729.8
申请日：2024-12-12
Applicant: 安徽光智科技有限公司
Abstract: 一种超高纯锗单晶的制备方法包括步骤：S1，将腐蚀好的12N高纯锗多晶装入坩埚中；S2，抽真空通氮气吹扫，保压；S3，通高纯氢气，维持排气，以维持流动式真空；S4，在流动式真空下，升温至950‑1000℃，化料；S5，将籽晶下降至距离坩埚内的熔体的液面，预热籽晶；S6，开启旋转方向相反的埚转和晶转，将籽晶插入熔体的液面以下，出现光圈，提拉生长出晶棒；S7，提拉炉降温，使晶棒进行退火；S8，使晶棒下降至坩埚中；S9，提拉炉升温，将晶棒重新完全熔化，籽晶提升离开坩埚；S10，重复步骤S6至步骤S9，重复规定次数；S11，步骤S10重复规定次数完成之后，重复步骤S6和步骤S7，晶棒即为产品晶棒；S12，降温，关闭晶转和埚转，打开提拉炉，将产品晶棒剪下。
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公开(公告)号：CN119710895A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411756292.1
申请日：2024-12-03
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
Abstract: 提供一种锑化镓晶体生长装置以及生长方法。锑化镓晶体生长装置包括液封剂补充机构，液封剂补充机构用于采用液封直拉法生长锑化镓晶体时随着晶体的生长补充相应量的NaCl+KCl液封剂熔体。锑化镓晶体生长方法包括步骤：将锑化镓多晶、掺杂剂和液封剂装入长晶坩埚内，液封剂为NaCl+KCl混合固体颗粒；将液封剂NaCl+KCl固体颗粒装入续料坩埚中；抽真空、赶气、检漏；充氮气至炉体内；升温；温度稳定后，晶体生长；随着晶体生长，调节流量开关，使续料坩埚中的液封剂连续地补充流入到长晶坩埚中；晶体生长结束后，长晶坩埚开始降温程序，直至降温结束，续料坩埚停止给长晶坩埚补充液封剂；抽气并注入空气，之后打开炉体，将晶棒剪下。
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