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公开(公告)号：CN103000742B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210514093.0
申请日：2012-12-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。
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公开(公告)号：CN103275703B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310162355.6
申请日：2013-05-06
Applicant: 南京大学
IPC: C09K11/59
Abstract: 利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法，包含以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术制备非晶硅基薄膜；2）铋离子注入非晶硅基薄膜，铋离子注入时，衬底的温度为室温，注入能量为200±50KeV，铋离子注入剂量范围从1×1012/cm2到1×1014/cm2；经过以上两个步骤就可以制备不同剂量铋离子注入的非晶硅氮氧薄膜或非晶富硅二氧化硅薄膜。本发明利用平板电容型射频等离子体增强化学气相淀积（PECVD）技术和离子注入技术在非晶硅基薄膜中注入不同剂量的铋离子。成功观测到稳定、高效的1157nm处稳定高效的近红外光致发光。
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公开(公告)号：CN104394072A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410527787.7
申请日：2014-10-10
Applicant: 南京大学
IPC: H04L12/701
Abstract: 本发明涉及一种用于三维片上网络的双泵垂直通道设计，包括网络节点与由硅穿孔技术制成的垂直连线，每个节点由一个处理单元或存储单元以及路由器组成，处理单元或存储单元通过网络接口与路由器连接，还包括发送端模块与接收端模块，所述垂直连线的发送通道连接所述发送端模块，接收通道连接接收端模块，形成双泵垂直通道；所述发送端模块包括两个分别采集高位数据和低位数据的触发器与时钟电平选通的二选一多路选择器，所述触发器分别与多路选择器通信连接；所述接收端模块包括高位数据采集单元与低位数据采集单元。有益效果为：本发明可以在三维片上网络垂直连线密度减半的情况下以双倍速率有效、可靠地传输数据，且提升了芯片的成品率、减小了芯片的面积。
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公开(公告)号：CN103838704A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310739716.9
申请日：2014-03-20
Applicant: 南京大学
IPC: G06F17/14
Abstract: 本发明涉及一种高吞吐率的FFT加速器，特征在于包括数据存储模块，用于数据的读写与传输；地址生成模块，为数据存储模块提供数据传输的目标地址；FFT加速模块，对由数据存储模块输出的数据进行FFT。有益效果为：采用单路延迟反馈结构，具有吞吐率高的特点，又能有效的节约片内存储资源。该FFT加速器一方面支持高级可扩展接口接口流水输入，另一方面支持乒乓输出。即在数据输入时，无需缓存空间，直接将数据送入到FFT运算部件，进行FFT运算，而数据输出时，通过缓存进行倒序输出。
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公开(公告)号：CN103513063A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310439812.1
申请日：2013-09-24
Applicant: 南京大学
IPC: G01Q60/24
Abstract: 一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法，利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构，其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下，给原子力显微镜导电探针外加+3V和–3V的偏压扫描样品硅衬底上纳米硅浮栅结构表面，实现电荷注入；电荷注入后，原子力显微镜立即从轻敲模式切换为表面电势模式，此模式通过两步扫描和开尔文方法获得试样的表面电势信号；采用静电场分析和数值计算定量研究电荷注入，并通过静电场分析和数值计算获得电荷注入数目。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102255016B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110235565.4
申请日：2011-08-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种近红外光发射硅基材料及其制备方法，属于通讯材料技术领域。该材料包括单晶硅衬底或者石英衬底，所述衬底上沉积有脱氢的硼磷共掺的非晶硅/二氧化硅多层膜；所述多层膜的二氧化硅薄膜之间具有成核并结晶于非晶硅薄膜中的硼磷纳米硅量子点。其制备方法包括采用平板电容型射频等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）制备硼磷共掺杂的非晶硅/二氧化硅多层膜、后处理退火薄膜晶化步骤。本发明的纳米晶硅多层结构材料具有低于硅带隙的复合能级，同时克服体硅材料发光效率低下的问题，因此为光互连奠定了基础。其制备方法与微电子技术兼容，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102158380A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110041623.X
申请日：2011-02-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于统计时分复用技术的多簇片上网络架构，该架构在簇内采用基于统计时分复用技术的总线结构；在总线上设有主设备、从设备、总线部件及统计时分复用控制单元；统计时分复用控制单元与主设备、从设备及总线部件连接；其中，从设备包括存储器及具有等待机制的网络接口；总线部件包括仲裁器、解码器以及多路选择器；统计时分复用控制单元统筹控制总线上主设备、从设备来实现统计时分复用机制；具有等待机制的网络接口接收总线上主设备发起的数据传输请求，并在满足触发条件情况下触发传输。本发明可以有效降低网络负荷、减小通信延时，进而提高片上网络系统整体性能，因此有着良好的实用价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102075578A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110021693.9
申请日：2011-01-19
Applicant: 南京大学
IPC: H04L29/08
Abstract: 本发明公开了一种基于分布式存储单元的层次化片上网络架构，该层次化片上网络架构顶层采用二维网格架构集成运算簇及全局共享存储单元；在运算簇内部采用由簇内总线和私有总线构成的层次化总线架构，且簇内总线和私有总线通过总线桥通讯；所述簇内总线上集成网络接口和簇内共享存储单元；所述私有总线上集成私有存储单元和处理器核。本发明中存储系统分为三级：单核私有存储单元，簇内共享存储单元和全局共享存储单元。本发明采用层次化总线及网络架构混合互连方式构建整个NoC通信系统，同时将存储单元也划分到各个层次，有效提高系统通信性能，缓解访存压力，改善片上网络整体通讯性能。
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公开(公告)号：CN101808032A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010118584.4
申请日：2010-03-04
Applicant: 南京大学 , 中国电子科技集团公司第十四研究所
IPC: H04L12/56
Abstract: 本发明公开了一种面向静态XY路由算法的二维网格片上网络路由器优化设计方法，该方法分别对路由器的输入和输出通道进行优化设计，并根据路由器在网格中的不同位置，对其进行异构设计。在输入通道中，由于静态XY路由算法中南、北方向的输入通道不向东、西方向的输出通道发出请求，且任一输入通道都不产生回传请求，因此对各输入通道中的路由逻辑分别进行简化。在输出通道中，东、西方向输出通道只需处理2个输入通道的请求，而其余通道也只需处理4个输入请求。对于二维网格结构的NoC，位于网格边缘和拐角的路由器分别只需4对和3对输入、输出通道。本发明可以有效提高片上网络路由器的最大工作频率，减小其硬件开销，有着良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN101570312A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910033256.1
申请日：2009-06-11
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法，属于纳米光电子器件技术领域。该方法包括制备掺杂非晶硅薄膜、制备掺杂非晶硅多层膜、以及借助激光照射制备掺杂纳米硅量子点等步骤。本发明提供了一种便捷有效的纳米硅量子点的可控掺杂制备方法，其处理时间短，在纳秒量级，不会对薄膜和衬底造成损伤，且与当前的微电子工艺技术相兼容。在实施过程中，主要采用高能量激光辐照薄膜表面，获得尺寸均匀的纳米硅量子点，并同时实现杂质浓度的可控掺杂，改善薄膜的光电学性质。基于该方法制备的掺杂纳米硅量子点在未来纳米电子和纳米光电子器件等领域中将具有广阔应用前景。
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