公开(公告)号：CN103852951A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201410055784.8

申请日：2014-02-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张培 ,  张晓伟 ,  谭大猛 ,  绪欣 ,  李伟 ,  徐岭 ,  余林蔚 ,  陈坤基

IPC: G02F1/355

Abstract: 利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法，包括以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术在单晶硅衬底或者石英衬底制备非晶硅/二氧化硅交替的多层薄膜，非晶硅/二氧化硅的层数一般为4-16层，通过控制非晶硅的生长时间及原位等离子氧化时间来控制非晶硅子层和二氧化硅子层的厚度；控制非晶硅子层和二氧化硅子层厚度，随后形成纳米硅量子点时获得尺寸和密度不同的材料；2）对非晶硅/二氧化硅多层薄膜进行热退火处理。本发明可以在较大范围增强非线性光学系数，还可以调控其非线性光学性能。

公开(公告)号：CN103275703A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310162355.6

申请日：2013-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张晓伟 ,  张培 ,  李伟 ,  林少兵 ,  徐岭 ,  余林蔚 ,  陈坤基

IPC: C09K11/59

Abstract: 利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法，包含以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术制备非晶硅基薄膜；2）铋离子注入非晶硅基薄膜，铋离子注入时，衬底的温度为室温，注入能量为200±50KeV，铋离子注入剂量范围从1×1012/cm2到1×1014/cm2；经过以上两个步骤就可以制备不同剂量铋离子注入的非晶硅氮氧薄膜或非晶富硅二氧化硅薄膜。本发明利用平板电容型射频等离子体增强化学气相淀积（PECVD）技术和离子注入技术在非晶硅基薄膜中注入不同剂量的铋离子。成功观测到稳定、高效的1157nm处稳定高效的近红外光致发光。

公开(公告)号：CN103000742A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210514093.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  曹蕴清 ,  绪欣 ,  李淑鑫 ,  芮云军 ,  李伟 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  孙胜华 ,  张晓伟 ,  陆鹏 ,  许杰

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。

公开(公告)号：CN103852951B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201410055784.8

申请日：2014-02-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张培 ,  张晓伟 ,  谭大猛 ,  绪欣 ,  李伟 ,  徐岭 ,  余林蔚 ,  陈坤基

IPC: G02F1/355

Abstract: 利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法，包括以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术在单晶硅衬底或者石英衬底制备非晶硅/二氧化硅交替的多层薄膜，非晶硅/二氧化硅的层数一般为4‑16层，通过控制非晶硅的生长时间及原位等离子氧化时间来控制非晶硅子层和二氧化硅子层的厚度；控制非晶硅子层和二氧化硅子层厚度，随后形成纳米硅量子点时获得尺寸和密度不同的材料；2）对非晶硅/二氧化硅多层薄膜进行热退火处理。本发明可以在较大范围增强非线性光学系数，还可以调控其非线性光学性能。

公开(公告)号：CN103000742B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210514093.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  曹蕴清 ,  绪欣 ,  李淑鑫 ,  芮云军 ,  李伟 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  孙胜华 ,  张晓伟 ,  陆鹏 ,  许杰

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。

公开(公告)号：CN103275703B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310162355.6

申请日：2013-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张晓伟 ,  张培 ,  李伟 ,  林少兵 ,  徐岭 ,  余林蔚 ,  陈坤基

IPC: C09K11/59

Abstract: 利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法，包含以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术制备非晶硅基薄膜；2）铋离子注入非晶硅基薄膜，铋离子注入时，衬底的温度为室温，注入能量为200±50KeV，铋离子注入剂量范围从1×1012/cm2到1×1014/cm2；经过以上两个步骤就可以制备不同剂量铋离子注入的非晶硅氮氧薄膜或非晶富硅二氧化硅薄膜。本发明利用平板电容型射频等离子体增强化学气相淀积（PECVD）技术和离子注入技术在非晶硅基薄膜中注入不同剂量的铋离子。成功观测到稳定、高效的1157nm处稳定高效的近红外光致发光。