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公开(公告)号：CN106485075A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610889682.5
申请日：2016-10-12
Applicant: 福州大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明涉及一种基于鹰策略和自适应NM单纯形的光伏模型参数辨识方法，其包括以下步骤：步骤S1：采用光伏IV曲线测试仪器获取光伏模型进行IV特性曲线,根据光伏阵列的串联和并联太阳能电池的数量,设置光伏模型参数的范围；步骤S2：采用蜂群智能优化算法对光伏模型参数的进行粗略全局搜索，获取若干个的较优的光伏模型参数初始值向量；步骤S3：采用多个Nelder-Mead单纯形在步骤S2中的一组最优的光伏模型参数向量附件进行进一步的粗略局部搜索；步骤S4：采用单个自适应Nelder-Mead单纯形对步骤S3中的最优的模型参数向量进行进一步的精细局部搜索,以获取最优的光伏模型参数向量。本发明的技术方案能够显著提高光伏模型参数辨识的精度、速度和可靠性。
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公开(公告)号：CN105811881A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610364749.3
申请日：2016-05-27
Applicant: 福州大学
IPC: H02S50/10
CPC classification number: H02S50/10
Abstract: 本发明涉及一种在线的光伏阵列故障诊断系统实现方法，首先，通过逆变器实现对光伏阵列故障诊断模型的输入变量进行采样；其次，将输入变量通过通信电路，送到上位机软件；再次，上位机软件实现输入变量的处理，将结果输入到故障诊断模型中；最后，将故障诊断模型的输出结果在上位机的界面中显示。本发明能够令传统的光伏并网逆变器具有在线光伏阵列故障诊断的功能。
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公开(公告)号：CN105355781A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510665228.7
申请日：2015-10-16
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1641 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器，包括衬底、第一端电极、第二端电极以及双层阻变介质；所述第一端电极设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触，所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方；所述双层阻变介质包括氧化层1和氧化层2组成的叠层结构，其中氧化层1设置于第二端电极侧，所述氧化层2设置于第一端电极侧，所述氧化层2经等离子处理。本发明制备过程中，采用等离子处理的手段调节电子输运中需要克服的能量，从而获得功耗可调的效果。
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公开(公告)号：CN105185914A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510675102.8
申请日：2015-10-19
Applicant: 福州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0032 , H01L51/0034 , H01L51/0047
Abstract: 本发明属于有机太阳能电池的活性层改进领域，公开了一种以KLaF4:Yb3+,Er3+上转换材料掺杂P3HT:PCBM为活性层的有机光伏电池，包括透明导电衬底、电子传输层、有机活性层，空穴传输层和金属电极，所述的有机活性层是由KLaF4:Yb3+,Er3+上转换材料掺杂P3HT:PCBM而制得的薄膜，其中，KLaF4:Yb3+,Er3+上转换材料、P3HT、PCBM的质量比为：0.5~1.0:15:15。通过在活性层中掺杂上转换材料来吸收太阳光谱中的近红外光，进而转化成活性层可以吸收的可见光，提高了太阳光的利用效率，解决了单纯的P3HT:PCBM活性层制得的电池光电转化效率有限的问题。
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公开(公告)号：CN104916714A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510356897.6
申请日：2015-06-25
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0264 , H01L31/0725
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0264 , H01L31/0725
Abstract: 本发明属于电池薄膜材料与器件领域，具体涉及一种以La-TiO2为电子传输层的有机光伏电池及其制备方法。该电池包括氧化物透明导电衬底、有机活性层、空穴传输层和金属电极，其中，电子传输层是将La-TiO2溶液经溶胶凝胶法漩涂在氧化物透明导电衬底上而形成的La-TiO2透明薄膜。La-TiO2透明薄膜中La的掺杂比例为0.25-2wt%。本发明制得的光伏电池成本低廉、稳定、耐腐蚀性较好，对环境友好，易于大范围生产。
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公开(公告)号：CN104103756A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410357066.6
申请日：2014-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法，所述阻变存储器包括：一基片；一第一端电极，设置于基片上；一经等离子处理过的阻变存储介质，设置于第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，设置于阻变存储介质的右侧。采用所述阻变存储器实现多值存储的方法为：采用限制流经阻变存储介质电流的方式，对阻变存储介质的阻态进行调整。通过不同限制电流获得阻变存储介质的不同阻态，从而重复、稳定地实现多值存储。
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公开(公告)号：CN116223927B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202211735781.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法，该方法通过测试Bi2O2Se纳米片的圆偏振光电流随离子液体栅压的变化趋势，可简单区分二维Bi2O2Se表面极性；若圆偏振光电流随栅压增大而线性增大，说明Bi2O2Se的初始表面极性为Bi原子截止，其初始表面带正电；若圆偏振光电流幅值随栅压先减小至0，反号后继续反向增大，则说明Bi2O2Se的初始表面极性为Se原子截止，其初始表面带负电。该方法测量准确，简单易行，对样品表面没有破坏，广泛适用于表面具有极性且存在自旋轨道耦合的材料。
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公开(公告)号：CN119654035A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411835914.X
申请日：2024-12-13
Abstract: 本发明提供了一种宽带隙籽晶层实现高效载流子输运硒化锑太阳电池的方法。本发明通过在CdS/Sb2Se3异质结界面处引入宽带隙Sb2(S,Se)3籽晶层来辅助Sb2Se3纳米带的垂直生长，并在异质结界面处引入S元素，拓宽异质结界面带隙，从而有效抑制了异质结界面反应。相比于目前广泛采用的Sb2S3和Sb2Se3种子层，Sb2(S,Se)3种子层更有利于兼顾取向和界面带隙匹配，从而促进器件载流子输运的同时增大器件的开路电压。
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公开(公告)号：CN114843355B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210422926.4
申请日：2022-04-21
Abstract: 本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITO/CdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITO/CdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。
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