-
公开(公告)号：CN105110793B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510662440.8
申请日：2015-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 一种具有高抗热震性的氧化钇陶瓷的制备方法，涉及一种氧化钇陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有氧化钇陶瓷抗热震性较差的问题。方法：一、氧化钇及中间层粉体造粒；二、氧化钇陶瓷坯体成型；三、烧结，即得到具有高抗热震性的氧化钇陶瓷。本方法增强了氧化钇陶瓷的抗热震能力和抗弯强度，同时利用该方法得到的氧化钇陶瓷还具有较高的致密度。本发明用于陶瓷材料领域。
-
公开(公告)号：CN106568702A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610911385.6
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01N17/00 , G01N23/02 , G01N2033/0003 , G01N2223/104 , G01N2223/107
Abstract: 中高轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，涉及空间环境效应技术领域。它是为了解决现有航天器用暴露材料地面模拟试验方法中，均未能全面模拟中高轨道航天器用暴露材料空间综合环境的问题。本发明所述的中高轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，将待试验样品置于密封腔内，并对密封腔体抽真空；将待试验样品进行热循环试验；根据待试验样品的厚度t，选择入射电子及质子的能量，对待实验样品进行带电粒子辐照试验，进行中高地球轨道航天器用暴露材料性能测试。本发明适于在空间环境效应研究与抗辐照加固技术应用中。
-
公开(公告)号：CN105110793A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510662440.8
申请日：2015-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 一种具有高抗热震性的氧化钇陶瓷的制备方法，涉及一种氧化钇陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有氧化钇陶瓷抗热震性较差的问题。方法：一、氧化钇及中间层粉体造粒；二、氧化钇陶瓷坯体成型；三、烧结，即得到具有高抗热震性的氧化钇陶瓷。本方法增强了氧化钇陶瓷的抗热震能力和抗弯强度，同时利用该方法得到的氧化钇陶瓷还具有较高的致密度。本发明用于陶瓷材料领域。
-
公开(公告)号：CN115203916B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210762560.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/15 , G06F30/17 , G06F17/10 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种基于太阳翼活动姿态的原子氧或紫外通量蒙特卡罗模拟法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：建立或导入航天器几何模型数据，将航天器的各组件分成可见组件和非可见组件；将各个可见组件的几何体表面进行网格剖分，生成对应的多边形网格文件；在航天器几何模型上，选择太阳翼基准点参数，并设置太阳翼旋转轴线；读取航天器运动轨道文件，根据航天器本体变换四元数参数和/或太阳翼旋转角度参数，生成航天器运动轨道点的各个多边形网格数据，进行航天器表面原子氧通量或紫外通量的蒙特卡罗模拟计算，得到航天器表面原子氧通量或紫外通量。本发明能够减少蒙特卡罗模拟的时间，提高计算精度和效率。
-
公开(公告)号：CN115061029B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210759798.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，包括：测试AlGaN/GaN‑HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；在不同栅极电压下对AlGaN/GaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试；分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度，还能够确定缺陷的位置，且步骤简单，易于操作，对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115169105B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210769647.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体缺陷深能级瞬态谱精确模拟方法，涉及模拟技术领域，本发明通过结合精确缺陷结构设计和模拟手段，精确定义深能级瞬态谱探测实验中观测缺陷的种类及结构，且模拟方法完全基于精确第一性原理杂化泛函获得各物理参数，并在量子力学密度泛函理论框架下构建，可准确预测DLTS缺陷表征实验结果，相比实验手段，本发明能够准确获得缺陷结构的详细信息，且成本低、效率高。
-
公开(公告)号：CN111865225B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010735158.9
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器和电荷灵敏放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏放大子电路的输入端电连接，使输入电容和冲击传感器各自直接与电荷灵敏放大子电路的输入端耦合，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容具备防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，避免了冲击传感器通过输入电容与电荷灵敏放大子电路耦合，防止输入电容跟随冲击传感器工作，克服了现有微弱脉冲信号放电电路中的输入电容在冲击传感器与电荷灵敏放大子电路之间造成信号干扰的缺陷。
-
公开(公告)号：CN111785656B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202010735209.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种电子器件氧化层中固定负电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择N型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备P型外延层；在外延层上形成N+源区、N+漏区和P+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持负偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获负电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定负电荷陷阱检测与判定的目的。
-
公开(公告)号：CN115906449A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211405276.9
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种器件与工艺仿真的异步调试方法、装置及存储介质，其中，器件与工艺仿真的异步调试方法包括：根据半导体器件的工艺仿真结果进行所述半导体器件的器件仿真过程；当所述器件仿真过程出现数据不收敛情况时，根据所述工艺仿真结果描述所述半导体器件的简化结构；根据所述简化结构重新进行所述器件仿真过程；根据重新进行的所述器件仿真过程进行评价。本方法能够实现器件、工艺联合仿真计算的诊断，以帮助用户定位直接将工艺仿真结果应用于器件物理特性仿真计算时出现数值计算不收敛的原因；且本方法能够利用提供的工具快速构建基于工艺仿真结果的器件结构并验证结构在器件仿真过程的数值计算收敛性，由此判定工艺仿真结果的合理性。
-
公开(公告)号：CN115866866A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211559321.6
申请日：2022-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H3/02
Abstract: 本发明公开一种高通量中性原子氧束流发生系统及发生方法，其系统包括包括等离子输出模块、供气模块、真空室和磁场约束模块，所述等离子输出模块和供气模块均与真空室连接，磁场约束模块安装于等离子输出模块和真空室的连接处；本发明采用等离子输出模块中的微波输出单元对放电等离子枪输出微波，并利用放电等离子枪对真空室输出微波等离子体，同时配合供气模块对真空室输出的高密度氧气产生高密度氧等离子体，再与被施加负偏压的中性化靶板进行碰撞复合，以反射生成高通量的中性原子氧束流，相比传统的发生中性原子氧束流的方法效率更高，获得的原子氧束流通量更高，动能更小，可以满足航天器表面材料耐原子氧测试试验中对原子氧束流的要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
162
records
(took 0.033 seconds)
