公开(公告)号：CN109557442B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201811404082.0

申请日：2018-11-23

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  中国空间技术研究院 ,  锦州七七七微电子有限责任公司

Inventor： 李鹏伟 ,  李兴冀 ,  罗志勇 ,  杨剑群 ,  吕贺 ,  万鹏飞

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明提供了一种线性电路辐射缺陷提取方法，其包括：步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。本发明所述的线性电路辐射缺陷提取方法，通过切割筛选的方式，对线性电路中的分立器件进行分离，并引出电极，从而可以对线性电路中的分立器件独立地进行缺陷测试，从而丰富现有的低剂量率增强效应的研究，达到更好的研究效果。

公开(公告)号：CN115061029B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202210759798.2

申请日：2022-06-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨剑群 ,  李兴冀 ,  万鹏飞 ,  吕钢 ,  董尚利

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，包括：测试AlGaN/GaN‑HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；在不同栅极电压下对AlGaN/GaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试；分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度，还能够确定缺陷的位置，且步骤简单，易于操作，对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。

公开(公告)号：CN115061029A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210759798.2

申请日：2022-06-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨剑群 ,  李兴冀 ,  万鹏飞 ,  吕钢 ,  董尚利

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，包括：测试AlGaN/GaN‑HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；在不同栅极电压下对AlGaN/GaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试；分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度，还能够确定缺陷的位置，且步骤简单，易于操作，对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。

公开(公告)号：CN109557442A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811404082.0

申请日：2018-11-23

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  中国空间技术研究院 ,  锦州七七七微电子有限责任公司

Inventor： 李鹏伟 ,  李兴冀 ,  罗志勇 ,  杨剑群 ,  吕贺 ,  万鹏飞

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供了一种线性电路辐射缺陷提取方法，其包括：步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。本发明所述的线性电路辐射缺陷提取方法，通过切割筛选的方式，对线性电路中的分立器件进行分离，并引出电极，从而可以对线性电路中的分立器件独立地进行缺陷测试，从而丰富现有的低剂量率增强效应的研究，达到更好的研究效果。