公开(公告)号：CN105084360A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510582414.4

申请日：2015-09-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  刘博慧 ,  贾德昌 ,  孙亚建 ,  杨治华 ,  周玉

IPC: C01B31/30 ,  B82Y40/00 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622

Abstract: 一种微波加热辅助超声剥离二维纳米Ti3C2片层的方法，本发明涉及纳米陶瓷材料合成与制备领域。本发明要解决现有方法在制备中存在产物中大部分仍然是粘附在一起的多层Ti3C2片，而单层或几层纳米片所占的比重很少的技术问题。方法：一、制备Ti3AlC2粉末；二、通过氢氟酸腐蚀掉Al元素；三和四、微波加热保温；五、离心；六、震荡分散，抽滤，烘干。本方法中采用微波加热后超声分散可以有效地剥离层片，获得比仅通过超声分散更好的效果，且实现工艺简单、效率高，具有较强的推广和应用价值。本发明用于制备二维纳米Ti3C2片层。

公开(公告)号：CN105081503A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510582412.5

申请日：2015-09-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  贾德昌 ,  吴祖亮 ,  杨治华 ,  何培刚 ,  田卓 ,  王胜金 ,  周玉

IPC: B23K1/20 ,  B23K1/008

CPC classification number: B23K1/20 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/008 ,  B23K1/206

Abstract: 一种利用NiCrSi钎料实现SiC基复合陶瓷与Invar合金连接的钎焊方法，本发明涉及一种钎焊方法，本发明是要解决SiC基复合陶瓷与Invar合金连接难度大，接头性能不好的问题，方法为：打磨、抛光、清洗然后将NiCrSi钎料粘在SiC复合陶瓷和Invar合金之间，再放入真空钎焊炉中压紧，抽真空，升温至400～700℃，保温，再进行钎焊连接，然后降温至500℃，最后随炉冷却，即完成。本发明通过连接层与母材之间的成分扩散均匀化，进一步提高接头的耐高温性能，最终获得综合性能良好的接头，剪切强度可达76mpa，本发明属于异种材料的连接技术领域。

公开(公告)号：CN104987078A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510391020.0

申请日：2015-07-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张茜 ,  杨治华 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: Co@SiNBC陶瓷材料的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的Co@PDCs材料工艺复杂、合成条件有局限性的技术问题。本方法：一、合成聚硅硼氮烷；二、制备钴金属配合物晶体；三、制备陶瓷前驱体；四、将陶瓷前驱体放入管式炉中，保温，然后随炉冷却至室温，即得。本发明反应条件温和，操作简单，产率较高，污染少。本发明的Co@SiNBC陶瓷材料为灰色固体，在200～800nm可见光区均有紫外吸收，室温下以330nm在激发波长显示出良好的荧光性能，表现出了良好的光学半导体特性。本发明应用于硅基功能陶瓷材料领域。

公开(公告)号：CN103964860A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410186383.6

申请日：2014-05-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  田卓 ,  叶书群 ,  段小明 ,  杨治华 ,  周玉

IPC: C04B35/5833 ,  C04B35/63

Abstract: 一种以纳米硅溶胶为烧结助剂热压制备的氮化硼基透波复合材料及其制备方法，本发明涉及氮化硼基透波复合材料及其制备方法。本发明要解决现有氮化硼透波陶瓷复合材料的度低、韧性差的不足的技术问题。氮化硼基透波复合材料按体积百分比非晶态纳米SiO2为10％～40％和六方氮化硼粉末为60％～90％制成；方法：一、混合，球磨，制得浆料；二、研碎、过筛，得到混料；三、烧结，冷却。本发明获得的氮化硼基透波复合材料的力学性能，热学性能和介电性能均达到天线窗材料的要求。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸天线窗陶瓷材料，适于批量生产的优点。本发明用于制备氮化硼基透波复合材料。

公开(公告)号：CN103588483A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310625254.8

申请日：2013-11-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  贾德昌 ,  胡成川 ,  段小明 ,  王胜金 ,  梁斌

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/622

Abstract: 硅硼碳氮锆陶瓷复合材料及其制备方法，它涉及一种陶瓷复合材料及其制备方法。本发明是要解决现有的硅硼碳氮陶瓷复合材料抗热震损伤性能和抗高温烧蚀损伤性能仍不够理想，不能够在高于1500℃高温烧蚀环境下安全服役的问题。本发明硅硼碳氮锆陶瓷复合材料以硅粉、石墨粉、六方氮化硼粉、锆粉和硼粉为原料，经球磨混合以及热压烧结而成。制备方法：将原料按一定比例称取后球磨混合，然后再进行烧结即得到硅硼碳氮锆陶瓷复合材料；另一种方法：先将称取的锆粉和硼粉球磨混合，再加入硅粉、石墨粉、六方氮化硼粉继续球磨混合，然后再进行烧结即得到硅硼碳氮锆陶瓷复合材料。本发明可用于制备硅硼碳氮锆陶瓷复合材料。

公开(公告)号：CN102807389B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210315790.3

申请日：2012-08-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  王胜金 ,  杨治华 ,  段小明 ,  周玉

IPC: C04B38/02 ,  C04B35/586 ,  C04B35/597

Abstract: 一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，涉及多孔复相陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有制备Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的方法存在的制备方法复杂，且最终产物中易残留SiO2的技术问题。本发明的制备方法如下：一、制备原料；二、制备块体材料；三、制备生坯；四、制备多孔结构生坯；五、制备Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。本发明制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的抗弯强度132～267MPa，断裂韧性1.8～4.3MPa·m1/2，实际密度1.8～2.7g/cm3，介电常数4.0～6.7，可作为热防护材料和透波材料用于航空航天、机械工业等领域。

公开(公告)号：CN101870586A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010219674.2

申请日：2010-07-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  贾德昌 ,  段小明 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622

Abstract: 非晶和纳米晶的硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法，它涉及硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的硅硼碳氮陶瓷复合材料性能差、制备工艺复杂、成本高的问题。复合材料由硅粉、石墨和六方氮化硼制成。方法：将原料称取后球磨混合，然后再进行烧结即得到复合材料；另一种方法：原料称取后，先将硅粉和一部分的石墨球磨，再加入称取的六方氮化硼和剩余的石墨继续球磨后再进行烧结即得到复合材料。本发明的硅硼碳氮陶瓷复合材料性能好、制备工艺简单、成本低。

公开(公告)号：CN101857425A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010206954.X

申请日：2010-06-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  杨治华 ,  罗芳 ,  段小明 ,  周玉

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/645

Abstract: 一种飞行时间探测器用Al2O3-TiN基复合材料及其制备方法，它涉及一种飞行时间探测器用的复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的玻璃电阻板在高电压下的电流大、耐高压性能差的问题。Al2O3-TiN基复合材料由Al2O3、TiN和SiO2制成。方法：1.称取原料；2.球磨、3.混料；4.预压成型；5.烧结即得到了飞行时间探测器用的Al2O3-TiN基复合材料。本发明的Al2O3-TiN基复合材料的力学性能和电学性能好，均能满足飞行时间探测器用电阻板材料的要求。

公开(公告)号：CN101671029A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910073009.4

申请日：2009-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  左军超 ,  段小明 ,  杨治华 ,  周玉

IPC: C01B33/14

Abstract: 常压干燥制备SiO 2 气凝胶的方法，它涉及一种SiO 2 气凝胶的制备方法。本发明克服了超临界干燥制备SiO 2 气凝胶方法存在设备复杂、生产成本高、危险性高的缺点，以及现有常压干燥工艺不易得到完整的SiO 2 气凝胶块体的缺点。本发明的SiO 2 气凝胶制备方法如下：经溶胶凝胶、老化、溶剂置换、表面修饰、清洗以及干燥处理后得到SiO 2 气凝胶。本方法具有成本低、对设备要求不高、安全性好等特点。本发明方法制备的SiO 2 气凝胶块体质地均匀、完整性好，气孔率在90％～95％，憎水，热导率低。

公开(公告)号：CN101434488A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810209685.5

申请日：2008-12-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  周玉 ,  段小明 ,  杨治华 ,  徐东

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/63 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出一种以磷酸盐为烧结助剂的氮化硅基复合陶瓷及制备方法，它是一种将磷酸盐引入氮化硅，并通过冷压后无压烧结的方法得到的氮化硅基复合陶瓷，包括氮化硅粉体和磷酸盐粉体，磷酸盐粉体包括磷酸钙或磷酸铝，其质量占总质量的10～20％，原料的纯度均在99％以上，粒径在1～20μm。制备方法为：首先将氮化硅粉体和磷酸盐粉体按照质量比8∶2～9∶1配比混合，原料的纯度均在99％以上，粒径在1～20μm，其次是混合粉末的预压成型和冷等静压处理，最后对其进行无压烧结，其中，磷酸盐粉体为磷酸钙或磷酸铝，其质量占总质量的10～20％。本发明具有成本低，工艺简单，制成效率高等优点，而且还具有可以制备复杂形状构件的特点，适于制造航天防热等核心零部件。