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公开(公告)号：CN100377239C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510056039.6
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆的相转移的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆的相转移的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶结构的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN100372010C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200510052928.5
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN100336125C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200410045805.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种光信息记录介质，具有至少两个信息层。设置在前侧(从激光入射侧观察)的第一信息层(100)至少包括：反射层(3)；相对于反射层(3)设置在激光入射侧的记录层(6)，用于产生通过施加激光束光学地进行检测的、非晶相和晶相之间的可逆变化；以及设置在反射层(3)和记录层(6)之间的介电层(50)。所述介电层50至少包括锆、硅和铬，在反射层侧的介电层(50)的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝p∶q∶r(p+q+r＝100)，在记录层侧的接触面附近的介电层中的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝s∶t∶u(s+t+u＝100)，并且r＜u，或t＜q。
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公开(公告)号：CN1326133C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN03107320.4
申请日：2003-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质，其特征为，至少含有一个信息层，该信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at%以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at%以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。
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公开(公告)号：CN1967688A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610160332.1
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1224969C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN02140664.2
申请日：2002-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/00456 , G11B7/0062 , G11B7/126 , G11B7/2433 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2538 , G11B7/2585 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的课题是，提供可以以高线速度和高可靠性进行信息记录的光学信息记录介质和使用了它的记录方法。设置第1基板(11)、与第1基板(11)平行配置的第2基板(12)、配置在第1基板(11)和第2基板(12)之间的信息层(20)，信息层(20)包含记录层(22)和以与记录层(22)的距离在20nm以下的方式配置的电介质层(下侧电介质层(21)/上侧电介质层(23))。记录层(22)是借助于从第1基板(11)侧入射的光束(14)的照射在可用光学方法识别的2种以上的不同状态之间变化的层，电介质层包含ZnS和Si作为其主成分。
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公开(公告)号：CN1224966C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03154825.3
申请日：1998-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/0062 , G11B7/0901 , G11B7/0906 , G11B7/0938 , G11B7/24 , G11B7/24079 , G11B7/246 , G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24316
Abstract: 记录信号时用推挽法或通过机械进给进行跟踪控制，再生时用相位差跟踪法进行跟踪控制，从而可以进行相位差再生、并能实现可重写的相变型光盘。此外，在具有相位差再生结构的相变光盘中，通过使未记录部分的反射率大于记录标记部的反射率，在信号再生时可以稳定地进行伺服控制。
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公开(公告)号：CN1677525A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510054377.6
申请日：2005-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00456 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种具有很高的用于记录信息的记录灵敏性和优异的重复重写性能的信息记录介质。该信息记录介质至少具有记录层和介电层，记录层在应用激光束或电流时能够在晶相和非晶相之间变化，介电层至少含有C、Si、Sn和O。一种替代方案是，该信息记录介质中包括至少两个信息层和一个介电层，至少一个信息层包括在应用激光束或电流时能够在晶相和非晶相之间变化的至少一个记录层，介电层至少含有C、Si、Sn和O。
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公开(公告)号：CN1221951C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN01816626.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24 , G11B7/0045 , G11B7/007 , G11B7/00718
Abstract: 一种光学信息记录介质包括第一基片；第二基片；以及在第一基片和第二基片之间形成的记录层。光学信息记录介质包括凸脊和凹槽，照射光学信息记录介质的激光光源和凸脊之间的距离大于光源和凹槽之间的距离。激光光源到凸脊之间的距离和激光光源到凹槽之间的距离之差D处于0＜D＜λ/(4N)的范围内(N为基片的折射率)，其中λ是激光的波长。凹槽以小于或等于0.40μm的间距在光学信息记录介质中形成。
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公开(公告)号：CN1542758A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031702.2
申请日：1999-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/006 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 提供一种既能抑制改写失真、又能获得快的结晶速度、能快速地记录信息的相变型的光学信息记录媒体。设定记录层(3)呈结晶状态时激光在该记录层中的吸收率Ac比记录层呈非结晶状态时激光在该记录层中的吸收率Aa大，而且与记录层(3)的两侧相接地设置结晶促进层(7、8)，用来促进记录层从非结晶状态向结晶状态变化。
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