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公开(公告)号：CN100370530C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN00804035.4
申请日：2000-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24316
Abstract: 在基片上形成至少一层信息层，后者包括以经激光照射能在两种不同的光学状态之间变化的材料为主要成分的记录层。这种材料的能隙在非结晶状态下为0.9eV至2.0eV。受到波长在300nm至450nm的范围内的激光照射时，上述信息层的透光率在30%以上。用该波长范围内的激光照射该介质一侧即可把信息记录在多个记录层上，并将其重放出来。
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公开(公告)号：CN1681021A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510065134.2
申请日：2000-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24316
Abstract: 在基片上形成至少一层信息层，后者包括以经激光照射能在两种不同的光学状态之间变化的材料为主要成分的记录层。这种材料的能隙在非结晶状态下为0.9eV至2.0eV。受到波长在300nm至450nm的范围内的激光照射时，上述信息层的透光率在30％以上。用该波长范围内的激光照射该介质一侧即可把信息记录在多个记录层上，并将其重放出来。
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公开(公告)号：CN1447967A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN01814228.1
申请日：2001-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/0051 , G11B7/006 , G11B7/24079 , G11B7/26
Abstract: 一种光学信息记录介质，包括第一基底；第二基底；和在第一基底和第二基底之间形成的记录层。光学信息记录介质包括凸脊和凹槽，并且照射光学信息记录介质的激光的光源和凸脊之间的距离大于光源和凹槽之间的距离。凸脊在光学信息记录介质中以小于或等于0.40μm的间距形成。每一个凸脊或者处于具有第一反射比的第一状态，或者处于具有低于第一反射比的第二反射比的第二状态，并且第一状态和第二状态可以通过激光的照射可逆地改变。
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公开(公告)号：CN100466077C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410048920.7
申请日：2004-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 本发明提供光学信息记录介质，其含有记录层，且通过激光束照射所述记录层而进行信息的记录与再现，其特征在于：所述记录层含有低氧化物Te-O-M与材料X的混合物，其中M是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素，X是从氟化物、碳化物、氮化物以及除Te氧化物外的氧化物之中选择的至少一种化合物，其中低氧化物是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物；在所述Te-O-M中所述M的原子浓度为x原子%、所述Te的原子浓度为y原子%的场合，所述x以及所述y满足0.05y≤x≤y的关系；所述混合物中含有的所述材料X为30摩尔%或以下；以及所述记录层的厚度为3nm至20nm。还提供该光学信息记录介质的制造方法。
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公开(公告)号：CN1251193C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200410031702.2
申请日：1999-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/006 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 提供一种既能抑制改写失真、又能获得快的结晶速度、能快速地记录信息的相变型的光学信息记录媒体。设定记录层(3)呈结晶状态时激光在该记录层中的吸收率Ac比记录层呈非结晶状态时激光在该记录层中的吸收率Aa大，而且与记录层(3)的两侧相接地设置结晶促进层(7、8)，用来促进记录层从非结晶状态向结晶状态变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1606080A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410084969.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0036 , C23C14/08 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 在生产包含氧含量更低的氧化物作为主要成分的一次书写记录介质时，如果通过引入大量氧到膜形成气体中进行记录层的膜形成并且溅射靶子不含氧，那么生产出的每个介质具有不同性能，这是因为气体中的氧流量容易变化，并且记录层中所含的氧的组分比也容易变化。为解决上述问题，在基质上至少具有记录层和能够记录与复制信息的信息记录介质含有氧化物A－O或A－O－M(A是至少含有Te，Sb，Ge，Sn，In，Zn，Mo和W中任意一种的材料，而M是至少含有金属元素、半金属元素和半导体金属元素中任意一种的材料)，在生产该层的过程中使用的溅射靶子至少含有A－O和，A和/或M。使用该方法，甚至可在大规模生产线上生产出具有高重现性和稳定性的记录层。
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公开(公告)号：CN1573993A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048920.7
申请日：2004-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 本发明的光学信息记录介质中包含的记录层14，含有低氧化物Te－O－M(M是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素)或低氧化物A－O(A是从Sb、Sn、In、Zn、Mo以及W之中选择的至少一种元素)与材料X(X是从氟化物、碳化物、氮化物以及氧化物之中选择的至少一种化合物)的混合物。其中所谓低氧化物，是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物。
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公开(公告)号：CN1221951C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN01816626.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24 , G11B7/0045 , G11B7/007 , G11B7/00718
Abstract: 一种光学信息记录介质包括第一基片；第二基片；以及在第一基片和第二基片之间形成的记录层。光学信息记录介质包括凸脊和凹槽，照射光学信息记录介质的激光光源和凸脊之间的距离大于光源和凹槽之间的距离。激光光源到凸脊之间的距离和激光光源到凹槽之间的距离之差D处于0＜D＜λ/(4N)的范围内(N为基片的折射率)，其中λ是激光的波长。凹槽以小于或等于0.40μm的间距在光学信息记录介质中形成。
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公开(公告)号：CN1542758A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031702.2
申请日：1999-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/006 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 提供一种既能抑制改写失真、又能获得快的结晶速度、能快速地记录信息的相变型的光学信息记录媒体。设定记录层(3)呈结晶状态时激光在该记录层中的吸收率Ac比记录层呈非结晶状态时激光在该记录层中的吸收率Aa大，而且与记录层(3)的两侧相接地设置结晶促进层(7、8)，用来促进记录层从非结晶状态向结晶状态变化。
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公开(公告)号：CN1174399C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN99124895.3
申请日：1999-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2548 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
Abstract: 通过实现可以提高记录介质的冷却能力和降低重写标记畸变的高透过率的介质，提供更高速度、高记录密度的光学信息记录介质。在基板(1)上，顺序沉积保护层(2)、界面层(3)、利用激光照射使光学特性可逆变化的记录层(4)、界面层(5)、透过波长λ的所述激光的透光型反射层(6)和热扩散层(7)。在热扩散层(7)的折射率为n时，将热扩散层(7)的膜厚d设定在0＜d≤(5/16)λ/n或(7/16)λ/n≤d≤(1/2)λ/n的范围内，上述反射层位于上述热扩散层和上述记录层之间。
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