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公开(公告)号：CN105845768B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610460603.9
申请日：2016-06-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/07 , H01L31/0304 , H01L31/028 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例公开了一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及装置，太阳能电池包括：衬底、纳米线阵列、电介质、石墨烯、正电极和负电极；所述纳米线阵列生长在所述衬底上；所述电介质填充在所述纳米线阵列包含的纳米线周围，所述电介质的顶部不高于所述纳米线阵列的顶部；所述石墨烯覆盖在所述纳米线阵列和所述电介质的顶部；所述正电极沉积在所述石墨烯之上，且不完全覆盖所述石墨烯；所述负电极沉积在所述衬底的外部。应用本发明实施例，能够提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN107313046A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710334855.1
申请日：2017-05-12
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种SERS基底及其制备方法，涉及拉曼光谱技术领域。所述方法包括：S0，对衬底依次进行清洗和亲水性处理；S1，采用单分散的纳米小球、纳米晶或量子点，在所述衬底表面形成至少一层规则排布的自组装阵列结构；S2，在所述自组装阵列结构的顶部沉积金属活性层；S3，在所述金属活性层上覆盖碳基纳米材料层得到所述SERS基底。本发明在大面积规则排布的自组装阵列结构上沉积金属活性层，无需退火就可以形成周期性的金属纳米结构，接着覆盖碳基纳米材料层使得金属纳米结构与空气隔绝而避免或减缓其氧化过程，进而使得SERS基底不仅具有非常高的灵敏度，还能维持长久的活性。
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公开(公告)号：CN106876418A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710149708.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括半绝缘的衬底层；覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。本发明将多个光电探测器按照以信号大电极为中心的对称结构设计，克服了单个光电探测器无法处理过大功率的光信号的弊端，以及传统光电探测器阵列的各光电探测器电信号容易在输出端产生相位失配而引起信号畸变的缺点；工艺简单、饱和功率大且响应度高。
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公开(公告)号：CN106480498A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610888922.X
申请日：2016-10-12
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: C30B25/183 , C30B25/04 , C30B29/42 , H01S5/34353
Abstract: 本发明公开了一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。本发明在单晶硅衬底上制作种子层、位错阻挡层和激光器材料。所述的种子层包括GaAs低温成核层和GaAs高温缓冲层；位错阻挡层包括纳米尺寸图形掩膜和GaAs侧向外延层；激光器材料包括n型欧姆接触层、n型限制层、下波导层、量子点有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。本发明通过图形衬底对穿透位错的阻挡作用，能有效地降低GaAs外延层的位错密度，提高GaAs外延层的晶体质量，进而提高量子点激光器性能和质量。本发明能够大面积、高重复性、均匀地完成材料生长和制备，更加符合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN104485421B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410650540.4
申请日：2014-11-14
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开一种钙钛矿/纳米线混合型太阳能电池及其制备方法，本发明的电池包括衬底、纳米线、钙钛矿以及电介质，所述纳米线经过掺杂形成轴向pin结，并生长于所述衬底上；所述钙钛矿填充于相邻所述纳米线的i区之间，所述电介质填充于相邻所述纳米线的p区之间以及相邻所述纳米线n区之间。本发明将钙钛矿与III-V族纳米线结合起来，可以大幅拓展吸收光谱，提高光电转换效率，同时降低了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104569064B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510062429.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种石墨烯气体传感器及其制备方法。该方法首先在衬底上依次沉积牺牲层和应变薄膜，接着，直接在应变薄膜上制备石墨烯层或将已制备好的石墨烯层转移至应变薄膜上，通过光刻和腐蚀形成台面，同时将牺牲层暴露出来；然后在石墨烯层上继续沉积金属电极；最后，侧向腐蚀掉牺牲层，使得应变薄膜与衬底脱离自卷曲成管，从而得到附着在管内壁上的卷曲石墨烯气体传感器。该石墨烯气体传感器对多种气体分子都具有较高的灵敏度且为三维结构，器件尺寸小，制备方法简单，适于大批量、低成本制备。此外，直径可调控的管状结构不仅提供了待测气体的天然输运通道，还可与其它片上微纳功能单元集成构筑芯片实验室。
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公开(公告)号：CN104016294B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310066230.3
申请日：2013-03-01
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅基光子学、微电机系统、传感等领域都有极大的应用价值。本发明集成了“由下至上”的异变外延生长和“由上而下”的光刻腐蚀技术。通过侧向腐蚀III-V族牺牲层，使III-V族应变双层薄膜从Si上释放并卷曲成管。该方法与III-V族光电子与微电子器件工艺兼容，具有制管工艺简单、管形貌好、管尺寸可控等优点，易在Si上形成大面积、规则一致的III-V族纳米管或微米管阵列。
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公开(公告)号：CN103050564B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210564670.7
申请日：2012-12-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池，其特征在于，包括：径向pn结、重掺杂隧道结、电介质薄膜、衬底、透明电极、背电极；其中：径向pn结，包括纳米线和壳层，壳层位于纳米线外侧，所述径向pn结至少为二个，沿纳米线轴向方向排列；位于上一节的径向pn结的材料的带隙宽度比位于下一节的径向pn结的材料的带隙宽度大；重掺杂隧道结，位于二节径向pn结之间；电介质薄膜，包裹于径向pn结和重掺杂隧道结的外侧；衬底，位于所述器件的底层；透明电极，位于所述器件的顶层；背电极，位于衬底的底面。本发明提供的技术方案充分结合了纳米线径向pn结高的转化效率和轴向多节结构宽的吸收光谱的优点，进一步提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN104555899B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410795565.3
申请日：2014-12-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提出一种借助金属纳米颗粒缩小自卷曲微米管直径的方法，包括步骤：在衬底上，或在虚拟衬底上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积牺牲层；在牺牲层上沉积应变薄膜；进行第一次光刻和腐蚀，使应变薄膜形成台面，使牺牲层暴露出来；进行第二次光刻，利用光刻胶形成图形窗口；沉积金属薄膜，高温退火使得金属薄膜形成金属纳米颗粒；对牺牲层进行侧向腐蚀，使得表面覆盖有金属纳米颗粒的应变薄膜自卷曲成管。本发明可在不改变薄膜厚度和应变下，仅借助金属纳米颗粒就能显著缩小自卷曲微米管的直径，可以容易地制备出直径在1微米附近的自卷曲微米管，甚至直径低至几百纳米的纳米管及其规则阵列，同时可保证微米管或纳米管具有优良的机械特性和结构特性。
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公开(公告)号：CN103378209B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210147762.5
申请日：2012-05-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种混合集成光探测器及其制备方法，涉及光通信领域。所述混合集成光探测器包括：键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管；所述介质膜型滤波器包括衬底，以及设置在衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减反射膜；所述衬底采用Si、InP或者GaAs；所述介质膜层为垂直多腔结构。所述混合集成光探测器及其制备方法，采用Si、InP或者GaAs作为衬底，有利于与其他有源或无源光器件进行集成；采用InGaAs光电二极管与介质膜型滤波器键合在一起，使所述混合集成光探测器具有更好的平顶陡边窄带频谱响应，提高了通带效果，可用于信道间隔为100GHz的密集波分复用接收的应用，降低了通信成本。
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