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公开(公告)号：CN110323293A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910372257.2
申请日：2019-05-06
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0749
Abstract: 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池，包括基板，基板表面由内向外依次层叠背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层以及金属栅电极层，其特征在于，所述吸收层包括m组相层叠的基础吸收层，每组基础吸收层均包含由下至上层叠的铜铟镓膜层与硒膜层，2≤m≤5；吸收层厚度为1～2.5μm；背电极层背电极层厚度为0.3～2μm的；缓冲层厚度为20～200nm；窗口层厚度为20～200nm；透明电极层厚度为0.3～2μm；金属栅电极层厚度为2～10μm；本发明镓的梯度沿吸收层背面和吸收层表面两个方向，从而促进镓元素在铜铟镓硒吸收层中深度分布及吸收层带隙宽度的增大，进而提高薄膜太阳能电池的开路电压及光电转换效率。
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公开(公告)号：CN109713052A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811613001.8
申请日：2018-12-27
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392
Abstract: 本发明公开一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法，包括以下步骤：选取聚合物基板或金属柔性基板作为柔性基底；通过离子源溅射，对柔性基底进行清洗；通过磁控溅射，依次生长合金膜层、ZnAl膜层、降阻膜层、防腐蚀膜层、Mo膜层；最后将得到的膜层结构放入真空炉中退火，得到所述柔性薄膜太阳能电池用背电极；方法制备得到的背电极具有质量轻、可弯曲、便于携带、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点，且多层膜结构与基底附着强度高，能够避免基底中Na+向吸收层的扩散且与CIGS有良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN106756847B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201611188596.8
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将经过丙酮、酒精、去离子水等严格超声波清洗的衬底置于载物台上。（2）钨W、石墨C两靶材分别置于两个靶基座上，分别进行起辉溅射。（3）通入氩气，辉光放电，Ar+离子轰击靶材，以达到清除靶材表面杂质和氧化物的目的。（4）衬底在镀膜之前进行200C°‑400C°的加热。（5）在进行镀膜过程中，先在C靶上进行镀膜，而后转到W靶上，再转到C靶上，如此反复，达到制备高性能W掺杂类金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN109473494A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811611244.8
申请日：2018-12-27
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0445
Abstract: 本发明公开一种柔性CIGS薄膜太阳能电池用背电极，包括柔性基底，柔性基底顶面由下至上依次层叠有合金膜层、ZnAl膜层、降阻金属膜层、防腐蚀膜层与Mo膜层；所述合金膜层为CuAl、CuZn、TiAl或TiCu薄膜；所述降阻金属膜层为Ti、Al、Ag或Cu膜层；所述防腐蚀膜层为MoN、MoO、Al2O3、TiN或TiON膜层；该背电极具有质量轻、可弯曲、便于携带、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点，且与基底附着强度高，能够避免基底中Na+向吸收层的扩散且与CIGS有良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN109273540A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811441161.9
申请日：2018-11-29
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0445
Abstract: 本发明公开铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层；第一阻挡层为厚度10～200nm的SiN膜层或SiOxNy膜层；金属层为厚度20～200nm的Al层或Cu层；第二阻挡层为厚度5～50nm的MoN膜层或TiN膜层；内Mo层的厚度为100～800nm，所述外Mo层的厚度为20～200nm；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面溅镀各膜层即得到本电极，电极在有效降低铜铟镓硒薄膜电池成本的同时，更进一步提高了薄膜电池的性能，且工艺简单，制备方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037361A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811029637.8
申请日：2018-09-05
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L31/0216 , H01L31/0392
Abstract: 本发明涉及一种高效率碲化镉薄膜太阳能电池，包括现有碲化镉薄膜太阳能电池基板玻璃（1）、碲化镉薄膜发电层（2），其特征在于：在碲化镉薄膜太阳能电池基板玻璃（1）的背面制备一层减反增透薄膜（3）；所述的减反增透薄膜（3）材料为氧化硅、氟化镁、氧化钛任一种低折射率薄膜，减反增透薄膜（3）的膜折射率为1.1~1.5，厚度为45~200nm；减反增透薄膜（3）可通过溶胶‑凝胶、蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积、酸刻蚀方法制备。本发明具有的优点：利用本发明技术制备的碲化镉薄膜电池组件发电效率可增加3%以上；工艺简单，成本低；透光率和功率增加值高。
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公开(公告)号：CN108707866A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810560834.6
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种多层梯度透光掺杂AZO薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面的油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以Al2O3靶与ZnO靶为溅射靶材，使Al2O3靶与ZnO靶的延长线相交于一点，衬底置于Al2O3靶与ZnO靶的相交点上；S3、通入工作气体氩气，在衬底上溅镀第一AZO薄膜层；S4、在第一AZO薄膜层上溅镀第二AZO薄膜层，第二AZO薄膜层的Al掺杂浓度大于第一AZO薄膜层的Al掺杂浓度；S5、在第二AZO薄膜层上溅镀第三AZO薄膜层，第三AZO薄膜层的Al掺杂浓度大于第二AZO薄膜层的Al掺杂浓度；最终得到AZO薄膜；磁控溅射方法简单，可控性强；无需制备各种浓度的掺杂AZO靶，节约成本，提高靶材利用率。
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公开(公告)号：CN108707864A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810560497.0
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0036 , C23C14/0641
Abstract: 本发明公开一种稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以Cu靶和Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar，反应气体N2，在衬底表面溅镀得到 Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜；两个靶材相互独立，工艺参数可根据需要进行独立设定，可进行任意掺杂浓度稀磁半导体薄膜的制备；整个镀膜过程只进行Cu膜与AlN薄膜的镀制，过程简单，变量较少；制备工艺简单，重复性好，并且可节约大量靶材的成本。
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公开(公告)号：CN108642462A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810560499.X
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/0617 , C23C14/14 , C23C14/221 , C23C14/5806 , H01F41/18
Abstract: 本发明公开一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用离子束沉积设备与磁控溅射设备，衬底置于离子束沉积设备的真空腔室内，通过离子束在衬底表面沉积Cu层；S3、沉积有Cu层的衬底转入磁控溅射设备的真空腔室内，采用Al靶为溅射靶材，工作气体Ar，反应气体N2，在Cu层表面溅镀AlN层，得到复合薄膜；S4、加热磁控溅射设备放置衬底的样品台至500℃，对步骤S3得到的复合薄膜退火处理，最终得到Cu掺杂稀磁半导体薄膜；本方法工艺简单，可控性、操作性强；利用样品台加热系统对样品进行加热，达到对掺杂Cu进行在薄膜中进行再均匀化分布的作用，同时可以提高整个薄膜的结晶质量。
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公开(公告)号：CN108640532A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810560496.6
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: C03C17/36 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , C03C17/3657 , C03C17/3644 , C03C2217/734 , C03C2218/156 , H01L31/02366
Abstract: 本发明公开一种薄膜太阳能电池用陷光玻璃的制备方法，包括以下步骤：S1、将玻璃基底浸入食人鱼溶液，清洁玻璃基底；S2、将玻璃基底置于磁控溅射腔室内，采用Ar离子束轰击玻璃基底表面进一步清洁玻璃基底；S3、采用Al掺杂浓度为0.5～1.5 wt%的AZO靶作为靶材，以射频直流耦合溅射工艺，溅射生长第一AZO薄膜；S4、采用Al掺杂浓度为1.5～2.5 wt%的AZO靶作为靶材，以射频直流耦合溅射工艺溅射生长第二AZO薄膜；S5、采用Ag靶材，以射频直流耦合溅射工艺溅射生长Ag薄膜；S6、采用Al掺杂浓度为2.5～3.5 wt%的AZO靶作为靶材，以射频直流耦合溅射工艺溅射生长第三AZO薄膜；本方法能提高陷光玻璃的雾度及电学性能，获得透过率高且具有陷光功能的AZO透明导电玻璃。
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