相位偏移光掩模坯料、相位偏移光掩模及其制造方法

    公开(公告)号:CN1862377A

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN200610076905.2

    申请日:2006-04-25

    CPC classification number: G03F1/32 Y10T428/31616

    Abstract: 在对曝光光线透明的基板(1)上设置层合2层由金属硅化物的化合物(2a、2b)组成的层的相位偏移多层膜(2)。而且,在表面侧的金属硅化物的化合物(2b)表面上形成氧化稳定化层(2c)。相位偏移多层膜(2)中基板侧(下面)的层(2a)是金属组成相对高的金属硅化物的化合物,上面的层(2b)是金属组成相对低的金属硅化物的化合物。氧化稳定化层(2c)的金属含量为下面的层(2a)的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比),为低金属组成,化学稳定性优异,显示高耐药品性。下面的层(2a)由具有较高金属含量的金属硅化物的化合物膜构成,因此,容易控制相位偏移多层膜的光学特性,能得到所希望的光学特性。

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