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公开(公告)号：CN103809369A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310724734.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/62
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
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公开(公告)号：CN101261440B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200710146403.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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公开(公告)号：CN101140416B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710167651.X
申请日：2007-04-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/58 , G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，光掩模坯具有一层光屏蔽膜和一层或多层铬基材料膜，光屏蔽膜由一个单独的层或多个层构成，一个单独的层由含有过渡金属、硅以及氮的材料制成，多个层中包括至少一层由含有过渡金属、硅以及氮的材料制成。高的过渡金属含量确保了电导率，防止了在光掩模制造工艺中的充电，并且还提供了在光掩模制造中清洗时的足够的化学稳定性。对于存在氯和氧的情况下的铬基材料膜的干法刻蚀，光屏蔽膜具有良好的阻抗，从而确保了高加工精度。
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公开(公告)号：CN101052917B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200580036565.4
申请日：2005-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料及光掩模，其是形成在透明基板上设置了具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，是在透明基板上，经过或不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)的光掩模坯料及使用该光掩模坯料在透明基板上形成具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模。
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公开(公告)号：CN101140416A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710167651.X
申请日：2007-04-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/58 , G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，光掩模坯具有一层光屏蔽膜和一层或多层铬基材料膜，光屏蔽膜由一个单独的层或多个层构成，一个单独的层由含有过渡金属、硅以及氮的材料制成，多个层中包括至少一层由含有过渡金属、硅以及氮的材料制成。高的过渡金属含量确保了电导率，防止了在光掩模制造工艺中的充电，并且还提供了在光掩模制造中清洗时的足够的化学稳定性。对于存在氯和氧的情况下的铬基材料膜的干法刻蚀，光屏蔽膜具有良好的阻抗，从而确保了高加工精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102385241B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110383933.X
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN101082768B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200710136300.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板，其包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN1900819B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200610107711.4
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
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公开(公告)号：CN103324027A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245718.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN101261440A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710146403.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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