公开(公告)号：CN104485421A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410650540.4

申请日：2014-11-14

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 颜鑫 ,  张霞 ,  吴瑶 ,  王思佳 ,  张辰 ,  任晓敏

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4293 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明公开一种钙钛矿/纳米线混合型太阳能电池及其制备方法，本发明的电池包括衬底、纳米线、钙钛矿以及电介质，所述纳米线经过掺杂形成轴向pin结，并生长于所述衬底上；所述钙钛矿填充于相邻所述纳米线的i区之间，所述电介质填充于相邻所述纳米线的p区之间以及相邻所述纳米线n区之间。本发明将钙钛矿与III-V族纳米线结合起来，可以大幅拓展吸收光谱，提高光电转换效率，同时降低了成本。

公开(公告)号：CN104008960A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310057279.2

申请日：2013-02-22

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王琦 ,  边志强 ,  任晓敏 ,  贾志刚 ,  闫映策 ,  蔡世伟 ,  黄永清

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L33/0062 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；将纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；以纳米小球为掩膜，在纳米小球间隙内沉积外延层材料，并与衬底或虚拟衬底紧密结合，增大外延层材料的沉积厚度，使外延层材料高出纳米小球，外延层材料横向生长并合并，完全覆盖住纳米小球，降低外延层材料的表面粗糙度。本发明纳米小球间隙的生长窗口具有宽度窄、深宽比高的特征，纳米小球可以有效阻挡衬底与外延层之间由于晶格失配产生的穿透位错在外延层中继续向上穿通，大幅度提高异变外延材料质量，解决晶格失配材料间异变外延生长问题。

公开(公告)号：CN102054772A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910207134.X

申请日：2009-10-27

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 黄永清 ,  段晓峰 ,  王琦 ,  任晓敏 ,  黄辉 ,  杨一粟 ,  李轶群

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明涉及一种具有多波长处理功能的单片集成光探测器阵列的制备方法，特别涉及此器件中阶梯型谐振腔结构，以及基于该结构的单片集成光探测器阵列的制备方法，和基于该阵列器件的多波长处理功能的实现方法。本发明用于多波长处理的单片集成光探测器阵列的制备方法，包括如下工艺步骤：经多次刻蚀工艺和二次外延生长工艺制备多台阶F-P谐振腔；通过GaAs/InP大失配异质外延生长工艺实现InP系有源器件与GaAs系无源滤波器件的单片集成。本发明解决了可重构光分插复用器件对具有多波长处理功能的单片集成光探测器件的需求问题，并广泛用于光通信及光信号处理等领域，对今后光电子器件的集成化产生重要的影响。

公开(公告)号：CN101615564B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200810132429.0

申请日：2008-07-15

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 黄辉 ,  任晓敏 ,  吕吉贺 ,  蔡世伟 ,  王琦 ,  黄永清

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问题，特别为硅基半导体光电子集成中的材料兼容技术提供新的思路。实现无裂纹、高质量的异质外延生长方法。

公开(公告)号：CN101685774A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200810161833.0

申请日：2008-09-24

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  黄辉 ,  叶显 ,  吕吉贺 ,  蔡世伟 ,  黄永清 ,  王琦

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外延层。本发明利用高晶体质量的纳米线作为横向生长的窗口，横向生长的外延层与衬底之间间隔着掩膜层，消除了外延层材料和衬底材料之间晶格匹配的限制。本发明能成功解决晶格失配的晶体材料间异质生长的问题，为实现光电子集成提供新思路。

公开(公告)号：CN101615564A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810132429.0

申请日：2008-07-15

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 黄辉 ,  任晓敏 ,  吕吉贺 ,  蔡世伟 ,  王琦 ,  黄永清

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问题，特别为硅基半导体光电子集成中的材料兼容技术提供新的思路。实现无裂纹、高质量的异质外延生长方法。

公开(公告)号：CN1140972C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN01120077.4

申请日：2001-07-11

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  黄永清 ,  黄辉

IPC: H04J14/02 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明涉及一种光电子器件，特别涉及一种具有非平行腔结构的集成解复用光电子器件及制备方法。本发明其特征在于在需要形成楔型结构的外延层表面形成引导层以及掩膜层，在需要形成的楔型结构顶端的位置除去掩膜层，然后置于腐蚀液中，引导层的腐蚀速率较快，引导层在侧向腐蚀的同时，逐渐露出相邻的腐蚀速率较慢的外延层，在相邻的外延层上就腐蚀出楔型结构，使得腔之间形成一个θ角，其中0°＜θ＜90°。

公开(公告)号：CN2381043Y

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN99216875.9

申请日：1999-07-14

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  黄永清 ,  刘凯

IPC: H01S3/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型涉及一种光电子器件,特别涉及一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件。本实用新型其特征在于半导体光波与光电子器件内部的两个半导体分器件的相邻表面之间形成一个θ角,其中0°

公开(公告)号：CN2492960Y

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN01229463.2

申请日：2001-07-11

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  黄辉 ,  黄永清

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/00 ,  H04B10/00

Abstract: 本实用新型涉及一种光电子器件,特别涉及一种具有非平行腔结构的集成解复用光电子器件。本实用新型其特征在于半导体光波与光电子器件内部具有楔形结构,使得腔之间形成一个θ角,其中0°

公开(公告)号：CN2492945Y

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN01229462.4

申请日：2001-07-11

Applicant: 北京邮电大学 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 钟源 ,  任晓敏 ,  黄永清 ,  潘钟

IPC: H01L31/00 ,  G01J1/00

Abstract: 本实用新型涉及一种特殊的具有平顶和陡边响应的半导体光电探测器。本实用新型半导体光电探测器具有多个高反射镜和由多个高反射镜构成的多个腔,由多个高反射镜构成的多个腔的光学长度都为或者近似为工作中心波长的一半的整数倍。由多个高反射镜构成的多个腔中的某一个腔中有薄吸收层,用来进行光电转换,即把光信号转换为电信号。本实用新型的结构的探测器可以获得平顶徒边的响应曲线,同时获得高的响应度和高的响应速度。