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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101497988A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910071349.3
申请日：2009-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: TiNi合金表面镀钽的方法，它涉及一种合金表面镀钽的方法。本发明方法解决了现有TiNi合金长期植于人体内抗腐蚀性能差的问题。本发明的方法如下：一、将TiNi合金机械抛光，再超声波清洗，吹干；二、进行溅射清洗；三、用钽离子轰击TiNi合金并沉积，冷却至室温；四、真空退火，即得镀钽的TiNi合金。本发明方法制备的镀钽的TiNi合金抗腐蚀性能好，同时抑制Ni离子溶出，改善生物相容性。本发明的生产工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN101402399A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810137546.6
申请日：2008-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 记忆合金智能解锁机构，本发明涉及一种空间飞行器用的分离解锁器。本发明是为解决现有航天器的空间解锁采用火工装置实现解锁，存在安全性差以及记忆合金解锁方式存在解锁时间长的问题。本发明的壳体上部侧壁上设有连接板槽，壳体的上部设有与连接板槽垂直的插销孔，连接板设置在连接板槽内，连接板上设有与插销孔相对应且相同直径的连接孔，插销设置在插销孔和连接孔中，记忆合金的上端与插销的下端面固接，记忆合金的下端装在壳体底端面的中心孔内，电路的两端分别与记忆合金连接。本发明采用记忆合金丝、记忆合金片或者记忆合金弹簧通过直接电加热提供驱动力实现智能解锁，解锁时间短、结构简单、具有安全性高、低冲击、可重复使用等优点。
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公开(公告)号：CN101252009A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810064311.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11B11/105
Abstract: Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用，它涉及Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金的新用途，特别是Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用。本发明解决了磁存储介质存在受超顺磁效应限制，记录密度高密度化受到限制的问题以及相变光存储介质需要一定的热积累过程，同时受存储介质热传导效应影响，导致信息存储密度低、写入及擦除速度慢的问题。一种Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用是以所述Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金用作光磁混合存储材料。光磁混合存储是一种全新的信息存储方式，它结合磁存储和光存储的优点，具有理论极限记录密度高、读出分辨率及灵敏度高、存取速度快等优点。
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公开(公告)号：CN101074370A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710072413.0
申请日：2007-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/56
Abstract: 一种CdS量子点的制备方法，它涉及一种量子点的制备方法。它解决了目前采用胶体化学法制备CdS量子点所用前体有毒、不稳定，操作条件十分严格、并且需要使用真空线设备，难以控制量子点的尺寸及CdS量子点产量低的缺陷。CdS量子点制备步骤：一、将十六烷基胺真空脱气；二、降低温度将(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]加入，然后升温；三、待量子点达到设定颗粒尺寸，降低混合物；四、用无水甲醇离心分离、沉淀物再真空干燥，即得到CdS量子点。本发明选用的单源前体无毒，在空气条件下稳定，所以本发明CdS量子点的制备方法操作工艺简单、安全，而且不需要使用真空线设备和手套箱。本发明方法可以通过对反应温度和时间的控制来控制CdS量子点的粒径。
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公开(公告)号：CN2303639Y
公开(公告)日：1999-01-13
申请号：CN97223628.7
申请日：1997-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: A61M29/00
Abstract: 本实用新型涉及一种人体血管及空腔脏器用管状支架,它是由带孔的镍钛合金薄板卷制而成,外形呈管状,其主要优点为:(1)支架为自膨胀型,植入简单、方便;(2)支架使用时纵向无位移,容易准确定位;(3)支架使用时无塑性变形,容易与生物组织或生物材料结合;(4)支架收缩后尺寸小,手术创伤小。本实用新型用于治疗血管及空腔脏器疾病可简化手术过程,降低手术费用,提高手术的安全性和可靠性。
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