双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法

    公开(公告)号:CN111855704A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010735183.7

    申请日:2020-07-28

    Abstract: 本发明提供了一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法,包括以下步骤:选择辐照源,针对待测双极晶体管开展辐照试验;将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上,设置测试参数;选择至少2个不同的偏置电压,测试双极晶体管获取深能级瞬态谱;根据深能级瞬态谱中的信号峰位置,判定缺陷是否为电离缺陷;根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级,判定缺陷类型为氧化俘获电荷或界面态;根据缺陷信号类型的判断结果,判定双极晶体管的电离损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析,能够快速判断和评估双极晶体管辐射损伤的敏感区,有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。

    基于自由基含量预测辐致聚合物基复合材料热膨胀系数的方法

    公开(公告)号:CN108333212B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201810136601.3

    申请日:2018-02-09

    Abstract: 一种基于自由基含量预测辐致聚合物基复合材料热膨胀系数的方法,它属于复合材料的尺寸稳定性的评价技术领域,本发明解决了航天器在轨运行期间,由于受到实验条件和设备条件的限制,对结构复杂的聚合物基复合材料的热膨胀系数的测量需要的时间较长,且测量难度较高的问题。本发明利用聚合物基复合材料作为实验样品,在真空度小于1Pa条件下,对实验样品进行辐照实验,得出该聚合物基复合材料的自由基含量随着辐照注量或剂量的变化规律与热膨胀系数随着辐照注量或剂量的变化规律一致,因此,在轨运行期间,可以仅测量自由基含量来预测聚合物基复合材料的热膨胀系数。本发明可以应用于复合材料的尺寸稳定性的评价技术领域用。

    一种深能级瞬态谱触发信号的控制方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN111766498A

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN202010735277.4

    申请日:2020-07-28

    Abstract: 本发明提供了一种深能级瞬态谱触发信号的控制方法、装置及存储介质,涉及测试技术领域,包括:根据预设时长确定触发信号曲线数据,触发信号曲线数据包括零电压数据段、过渡曲线数据段、保持幅度数据段,过渡曲线数据段构成平滑的上升沿曲线或下降沿曲线,用于实现零电压数据段和保持幅度数据段之间的平滑过渡;将触发信号曲线数据转化为模拟信号;对模拟信号进行调制形成注入电压信号,以将注入电压信号注入至被测器件。本发明采用零电压注入形式,使注入脉冲信号由零电压沿分段指数函数波形形式构成信号的上升沿和下降沿,消除波形的尖锐边沿,消除其瞬态变化高频畸变,从而保证了触发的瞬态性,又减小了系统的干扰。

    一种高精度微弱瞬态电流测试系统及方法

    公开(公告)号:CN111766497A

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN202010735257.7

    申请日:2020-07-28

    Abstract: 本发明提供了一种高精度微弱瞬态电流测试系统及方法,涉及测试技术领域,包括:信号施加电路,用于向被测器件施加偏置电压、激励信号和同步信号,其中,偏置电压使被测器件反向偏置,同步信号对激励信号进行同步控制,以使被测器件产生周期性的微弱电流变化量;信号采样电路,用于获取同步信号,并根据同步信号对微弱电流变化量进行周期性的采样,确定多组同步电流数据;数据处理电路,用于对多组同步电流数据形成的数字序列进行积分处理,确定检测微弱电流信号。本发明通过同步信号,对同步电流数据形成的数字序列进行周期性的积分运算,利用重频叠加的方法,有效获取检测微弱电流信号,保证了测试检测微弱电流信号的准确度和高效性。

    一种高精度电容参数测试的系统及方法

    公开(公告)号:CN111766451A

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN202010735273.6

    申请日:2020-07-28

    Abstract: 本发明提供了一种高精度电容参数测试的系统及方法,涉及测试技术领域,包括:获取注入微弱高频信号后的被测电容的调制电压和调制电流,其中,高精度电容参数测试系统的信号注入电路用于产生微弱高频信号,高精度电容参数测试系统的检测电路用于检测检测电压和检测电流,高精度电容参数测试系统的IQ调制电路用于对检测电压和所述检测电流进行IQ调制输出调制电压和所述调制电流;根据调制电压和调制电流,确定被测电容的电容值。本发明提供微弱高频信号注入的方法可以实现电容在线测量,简化了测试环境搭建过程,同时,对检测电流和检测电压进行同步IQ变换,利用其零频信息进行信息获取,实现高精度和高速度兼备的电容测量。

    一种确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法

    公开(公告)号:CN108303629B

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201810128665.9

    申请日:2018-02-08

    Abstract: 一种基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法,它涉及一种双极晶体管器件的辐照效应评价,尤其涉及异种辐照源等效评价试验方法。本发明的目的要解决现有方法不能精确的判断出导致双极器件电性能下降由于电离效应、位移效应或电离/位移协同效应的问题。方法:一、开帽得到开帽的双极型晶体管;二、氢气浸泡得到氢气浸泡双极型晶体管;三、辐照,并进行原位测试;四、电性能进行分析对比;判断产生辐射效应属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。优点:能够快速判定辐照源产生属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。本发明主要用于基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应。

    一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法

    公开(公告)号:CN108346565B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201810136630.X

    申请日:2018-02-09

    Abstract: 一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法,本发明涉及一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法,本发明的目的是为了解决粒子辐射会引起器件的位移损伤的问题,本发明基于Monte Carlo计算方法,计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系,以及试样特征,确定入射粒子的类型,保证入射粒子在试样的输运过程中,能够促使试样内部已有的位移缺陷退火。本发明应用基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法,步骤简单,易于操作。本发明应用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。

    一种抑制双极工艺电子元器件中氧化物俘获正电荷形成的方法

    公开(公告)号:CN108364887A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201810135806.X

    申请日:2018-02-09

    Abstract: 一种抑制双极工艺电子元器件中氧化物俘获正电荷形成的方法,涉及一种抑制电子元器件氧化物俘获正电荷形成的方法。是要解决现有双极工艺电子元器件存在辐射产生氧化物俘获电荷现象,改变载流子的表面复合速率,进而影响少子寿命的问题。方法:一、确定试样的芯片厚度a;二、计算入射粒子在试样芯片中的入射深度d;三、计算电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd;四、使log[(Id+Dd)/Dd]>5;五、调整入射粒子的辐照通量或剂量率;六、进行一次辐照试样;七、进行二次辐照,即完成。该方法通过改变辐照通量或剂量率的方法来实现抑制电子器件内氧化物俘获正电荷的过程,本发明用于抑制电子元器件中氧化物俘获正电荷。

    一种基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法

    公开(公告)号:CN108303629A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201810128665.9

    申请日:2018-02-08

    Abstract: 一种基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法,它涉及一种双极晶体管器件的辐照效应评价,尤其涉及异种辐照源等效评价试验方法。本发明的目的要解决现有方法不能精确的判断出导致双极器件电性能下降由于电离效应、位移效应或电离/位移协同效应的问题。方法:一、开帽得到开帽的双极型晶体管;二、氢气浸泡得到氢气浸泡双极型晶体管;三、辐照,并进行原位测试;四、电性能进行分析对比;判断产生辐射效应属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。优点:能够快速判定辐照源产生属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。本发明主要用于基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应。

    电子材料及器件热循环与带电粒子辐照综合环境试验方法

    公开(公告)号:CN106569055A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610911384.1

    申请日:2016-10-19

    CPC classification number: G01R31/003

    Abstract: 电子材料及器件热循环与带电粒子辐照综合环境试验方法,属于空间环境效应领域。为了解决目前的倒闸操作票托板在特殊情况下使用不便的问题。所述方法包括:步骤一:根据待模拟的综合环境,设定环境因素:真空度、热循环条件和辐照条件;步骤二:控制各环境因素的作用次序,对待测电子材料或器件产生损伤,进行综合环境试验。本发明的应用不同类型地面单因素及多因素环境,步骤简单,易于操作。本发明所提出方法能够大幅度降低试验的费用,对电子材料和器件空间环境效应地面模拟试验和研究具有重大的意义。

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