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公开(公告)号：CN113296364A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010113358.0
申请日：2020-02-24
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光刻控制方法、装置及存储介质，属于微纳加工技术领域，该方法包括：获取光刻任务；对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点；对每层光刻网点进行区域划分，得到区域内的光刻网点数据；按照每层每个区域内的光刻网点数据进行光刻，直至完成光刻任务；判断是否还有下一个光刻任务，若无，则结束；若有则再次执行光刻任务；可以解决拼接平台自身的定位精度误差无法消除，导致光刻后的目标出现周期暗纹、区域不均的现象的问题；由于不同层光刻网点所属的层区域存在交集，因此，对于需要拼接光刻的部分通过不同层的交集部分可以重新进行振镜扫描，实现拼接部分的过渡，减少平台自身定位精度带来的误差影响。
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公开(公告)号：CN111427237B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910024456.4
申请日：2019-01-10
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种大面积纳米光刻系统，包括工件台、位置反馈系统、干涉光学系统和控制系统，工件台上设有待光刻的光刻基片；位置反馈系统用于测量和计算工件台的误差；干涉光学系统用于产生干涉曝光场，对光刻基片进行干涉光刻，干涉光学系统包括衍射光学器件；控制系统分别与该工件台、该位置反馈系统和该干涉光学系统电性连接；该控制系统控制该衍射光学器件的运动，用以补偿该工件台的误差。本发明的大面积纳米光刻系统能达到大面积纳米结构高精度制备。本发明还涉及一种大面积纳米光刻方法。
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公开(公告)号：CN112684677B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110270751.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构及其制备方法。所述制备方法包括：提供三维模型图；将所述三维模型图在高度方向上进行划分，获得至少一个高度区间；将三维模型图在平面上进行投影得到映射关系，映射关系包括三维模型图上每个点对应在平面上的坐标，三维模型图上每个点的高度对应高度区间里的高度值，根据所述映射关系，将映射关系与曝光剂量进行对应，基于所述曝光剂量进行光刻。这样，可以得到任意三维微纳形貌结构。
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公开(公告)号：CN112987501A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911303595.7
申请日：2019-12-17
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种直写光刻系统和直写光刻方法，其中直写光刻系统包括直写光源、运动机构、中央控制器、光斑图形输入装置以及投影光学装置；运动机构用于带动投影光学装置沿预设路径扫描，并用于发出参考点的位置数据；中央控制器用于根据位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据；光斑图形输入装置用于根据光斑图像数据将直写光源提供的起始光束调制生成图形光；投影光学装置用于根据图形光向光刻件的表面投影出变形光斑，并在运动机构的带动下沿预设路径扫描，在扫描过程中光斑图像数据随位置数据而变化，形成预设的可控变形光斑。本发明的直写光刻系统和直写光刻方法实现了复杂表面三维形貌结构的无掩模灰度光刻，并提高了光刻精度和光刻效率。
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公开(公告)号：CN112083568A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201910512591.3
申请日：2019-06-13
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B27/01
Abstract: 一种增强现实显示装置，包括微投系统和纳米波导镜片，微投系统设置于纳米波导镜片的上方，微投系统包括光源和功能薄膜，功能薄膜上设有聚焦成像的纳米结构,光源发出的光经过功能薄膜后聚焦成像，图像光由纳米波导镜片输出。本发明的增强现实显示装置减小了微投系统的体积与重量，提高了用户舒适性。本发明还涉及一种增强现实眼镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111123612A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811297770.1
申请日：2018-11-01
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学 , 苏州工业园区中为柔性光电子智能制造研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电致变色显示面板及电子纸，该电致变色显示面板包括依次设置的第一基板、电致变色像素阵列和第二基板，电致变色像素阵列包括若干阵列排布，独立控制的电致变色单元所述电致变色单元包括黑色结构层和彩色结构层，黑色结构层包括依次设置的第一电极、黑色电致变色像素层和第二电极，彩色结构层设置在黑色结构层一侧，彩色结构层包括横向排布的RGB结构单元或RGBW结构单元；第一电极具有与第二电极相对的第一相对面，第二电极具有与第一电极相对的第二相对面，第一相对面和/或第二相对面上设有若干微纳结构。该电致变色显示面板及电子纸既能显示黑色，又能显示其他颜色，且其透明电极之间电场分布均匀，具有较佳的显示效果。
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公开(公告)号：CN111123610A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811292820.7
申请日：2018-11-01
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学 , 苏州工业园区中为柔性光电子智能制造研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电致变色显示面板及电子纸，该电致变色显示面板包括依次设置的第一基板、电致变色像素阵列和第二基板，电致变色像素阵列包括若干阵列排布，独立控制的电致变色单元，电致变色单元包括黑色结构层和彩色结构层，黑色结构层包括设置在第一基板上的第一电极、黑色电致变色像素层和第二电极，彩色结构层包括若干纵向叠加排布的青色结构单元、黄色结构单元及品红色结构单元，彩色结构层设置在黑色结构层一侧。该电致变色显示面板及电子纸既能显示黑色，又能显示其他颜色，其显示颜色丰富，并在电极上设有不平整面，使两电极之间的电场的分布更均匀，从而加强其导电性效果、加快变色层的变色效果，且结构简单，易于制备。
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公开(公告)号：CN111123605A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811292789.7
申请日：2018-11-01
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学 , 苏州工业园区中为柔性光电子智能制造研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电致变色显示面板及电子纸，该电致变色显示面板包括依次设置的第一基板、电致变色像素阵列层和第二基板，所述电致变色像素阵列层包括若干阵列排布，独立控制的电致变色单元，所述电致变色单元包括依次设置的第一电极、黑色电致变色像素层以及第二电极。该电致变色显示面板及电子纸将黑色电致变色像素层设置在第一电极和第二电极之间形成若干独立的电致变色单元，再将若干电致变色单元设置在第一基板和第二基板之间。该电致变色显示面板及电子纸以黑色电致变色像素层形成电致变色单元，能实现黑色、灰色和白色显示，且结构简单，易于制备，同时具有较佳的显示效果。
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公开(公告)号：CN106646885B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201611270017.4
申请日：2016-12-30
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B27/01
Abstract: 本发明公开了一种大视场投影物镜，包括分光器件、中继透镜组、分光组件。所述中继透镜组包含：非球面透镜组和一片纳米透镜，本发明在光学系统中引入设有衍射面的纳米透镜，用纳米透镜代替双胶合透镜可降低系统的重量。将本发明设计的投影物镜，与DMD、LCD或LCOS显示器件以及相应照明光源配合使用，将显示器件反射的光束收集在出瞳处，出瞳在投影结构外部，和后续的纳米波导镜片匹配，构建的三维显示装置，特别是近眼三维显示装置，具有显示大视场、高像质、光利用效率高特点。
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公开(公告)号：CN110531459A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810513235.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B6/00 , G02F1/13357 , G02B27/22 , G02B27/26 , H04N13/31
Abstract: 本发明涉及显示技术，特别涉及背光板和包含其的显示装置。按照本发明一个方面的背光板包含：导光板，其包含位于导光板上表面、下表面或内部的第一微结构，该第一微结构具有周期性分布的第一单元，所述光源发出的光束经所述第一微结构散射至导光板的外部；以及光学膜，其设置于经第一微结构散射至导光板外部的光束的传播方向上并且包含位于光学膜表面的第二微结构，该第二微结构具有周期性分布的第二单元，经所述第一微结构散射至导光板的外部的光束经第二微结构变换为准直光束或会聚光束。
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