公开(公告)号：CN113162401B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202110420715.2

申请日：2021-04-19

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 陈惠强 ,  王建新

IPC: H02M3/155 ,  H02M7/06 ,  H02M3/07

Abstract: 本发明公开了电源转换器，通过在现有的AC‑DC线性电路后级联一电压转换器，使得AC‑DC线性电路输出的第一输出电压升高，在直流电压和晶体管的预定电流均相同时，能够降低晶体管导通阶段直流电压的平均值，从而第一输出电压与所述直流电压的平均值的比值提高，也即使得电源转换器的效率得到提高。

公开(公告)号：CN114189166B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202111544577.5

申请日：2021-12-16

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 郑智文 ,  韩云龙

IPC: H02M7/217 ,  H02M1/12 ,  H02M3/06

Abstract: 本申请公开了一种轻载控制电路、方法及谐振变换器。所述轻载控制电路在谐振变换器的负载处于轻载或空载模式下产生驱动信号以控制谐振变换器中开关管的导通和断开，包括：基准电流产生模块，根据调光电压以及谐振变换器的交流输入电压产生基准电流；处理模块，根据基准电流和谐振变换器的输入电流产生补偿信号；PWM产生模块，基于补偿信号生成驱动信号，基准电流包括交替的使能阶段和禁止阶段，在使能阶段基于驱动信号控制开关管交替导通和断开，在禁止阶段控制开关管保持断开。本申请通过调光电压控制间歇模式的使能时间以及通过交流输入电压控制间歇模式的周期，进而降低输出纹波。

公开(公告)号：CN113872461B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202111250658.4

申请日：2021-10-26

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 齐雨 ,  陈威 ,  赵晨

IPC: H02M7/49 ,  H02M1/088

Abstract: 公开了一种级联电路及其对应的控制方法和集成电路。通过在每个功率变换单元与相邻的下一级功率变换单元共地时，控制该功率变换单元向下一级功率变换单元发送需要传输的信号。由此，可以减少隔离模块的数量，有利于级联电路的集成化。

公开(公告)号：CN117220504A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311179626.9

申请日：2023-09-11

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 徐懿

IPC: H02M3/158 ,  H02M3/156 ,  H02M1/08

Abstract: 公开了一种多相功率变换器的控制电路及控制方法。多相功率变换器在负载突然增加时采用开环控制产生触发脉冲，以使各相功率级电路在负载变化时都能处于自动交错并联的状态，从而使得各路电感电流的分配平衡得到了保证。

公开(公告)号：CN117153827A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311174044.1

申请日：2023-09-11

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 吕政 ,  彭川 ,  宋洵奕

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种高压电容器及其形成方法，其中，高压电容器包括：第一极部；位于所述第一极部上的呈堆叠设置的至少一层层间介质层；位于处于最顶层的层间介质层上的第一耐压介质层；位于所述第一耐压介质层上的所述高压电容的第二极部，所述第一极部和所述第二极部沿垂直方向相对设置，以及至少覆盖所述第二极部侧表面和部分上表面的第二耐压介质层，其中，所述第一耐压介质层和所述第二耐压介质层的介电系数大于所述层间介质层的介电系数，以提高所述高压电容器的耐压。

公开(公告)号：CN114024454B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202111202025.6

申请日：2021-10-15

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 王龙奇 ,  王建新

IPC: H02M7/04 ,  H02M1/44 ,  H02M3/06 ,  H02M3/08 ,  H02M3/335 ,  H05B45/36 ,  H05B45/382 ,  H05B45/39 ,  H05B45/38

Abstract: 公开了一种电源转换器。通过改变电源转换器中电荷泵模块以及EMI滤波电路中元件的位置，从而实现采样电阻与输入直流电压共地，进而简化了控制电路的设计。

公开(公告)号：CN112689364B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202110082041.X

申请日：2021-01-21

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 王龙奇 ,  王建新

IPC: H05B45/38 ,  H05B45/36

Abstract: 本申请公开了一种电源转换器，通过在整流电路和谐振电路之间设置无源的升压电路，可以使得电源转换器实现良好的功率因数、低的总谐波失真，且输出纹波较小以适应LED驱动电源的应用场合。

公开(公告)号：CN111510119B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202010361701.3

申请日：2020-04-30

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 朱循宇 ,  叶棪

IPC: H03K7/06 ,  H03L7/08 ,  H03L7/099 ,  H03L7/093 ,  H04B1/04

Abstract: 公开了一种频率调制电路以及应用其的发射机，所述频率调制电路包括调制电路及一种带有压控振荡器的锁相环。所述调制电路产生模拟调制信号与数字调制信号，对所述频率调制电路进行频率调制。其中，所述模拟调制信号与所述数字调制信号由同一输入信号产生。本发明将模拟调制与数字调制相结合，减小了频率调制电路的输出噪声和功耗，节省了芯片面积，同时在一定程度上克服了频率调制范围与频率调制分辨率的矛盾。

公开(公告)号：CN113659815B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202111003899.9

申请日：2021-08-30

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 罗迪 ,  孙良伟

IPC: H02M1/088 ,  H02M3/156

Abstract: 公开了一种用于开关变换器的控制电路。该控制电路可以在定频控制的基础上，在最小导通时间限制下实现自适应降频，以实现更小的占空比；在最小关断时间限制下实现自适应降频，以实现更大的占空比，从而满足电路的运行要求。

公开(公告)号：CN116682809A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310896316.2

申请日：2023-07-19

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 姚刚 ,  袁华锋 ,  俞芳琴

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种电容器，该电容器包括依次设置的底层导电结构、至少一个中间导电结构和顶层导电结构。其中，中间导电结构包括形成插指图案的第一导电图案和第二导电图案，顶层导电结构包括形成插指图案的第三导电图案和第四导电图案。第一导电图案和第三导电图案相互电连接并作为第一电容极部，底层导电结构、第二导电图案和第四导电图案相互电连接并作为第二电容极部，相邻且不属于同一电容极部的导电图案在层叠方向上部分重叠。本发明通过上述设置，使得电容器同一层在两个导电图案之间形成侧壁电容，增大单位电容的电容密度，减小匹配电容的失配。