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公开(公告)号：CN119486482A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311017194.1
申请日：2023-08-11
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 梁文林
Abstract: 本申请公开了一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置，所述薄膜的材料包括N型半导体材料和第一材料，所述第一材料包括具有如下式(1)所示的结构的第一化合物中的一种或多种。本申请薄膜包括第一材料和N型半导体材料，所述第一材料可以钝化N型半导体材料表面的缺陷，降低薄膜的缺陷密度，同时起到提高薄膜电子迁移率的作用。
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公开(公告)号：CN114068828B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202010774469.6
申请日：2020-08-04
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/115 , H10K85/10 , H10K71/12 , H10K99/00
Abstract: 本申请涉及显示技术领域，提供了一种复合膜层及其制备方法和发光二极管。本申请提供的复合膜层包括：至少一层金属有机框架材料层和至少一层量子点层，量子点层和金属有机框架材料层层叠设置，金属有机框架材料层的表面含有活性官能团，量子点层的表面含有阳离子，至少部分活性官能团与至少部分阳离子连接。如此，金属有机框架材料层通过活性官能团连接量子点层，使得量子点层中的量子点能够紧密地锚定在金属有机框架材料层的表面，使得量子点颗粒之间紧密连接，量子点层致密，从而形成膜层致密均匀、平整度高的量子点层。
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公开(公告)号：CN112712792B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201911021766.7
申请日：2019-10-25
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 吴洁
Abstract: 本申请属于计算机技术领域，尤其涉及一种方言识别模型的训练方法、计算机可读存储介质及终端设备。所述方法中预设的方言识别模型根据预设的质心确定语音样本对应的输出方言类别，其中，每一个质心用于表征一种方言类别的特征；所述方言识别模型根据所述输出方言类别和与所述语音样本对应的目标方言类别，对模型参数进行调整，并继续执行所述根据预设的质心确定语音样本对应的输出方言类别的步骤，直至满足预设的训练条件，以得到已训练的方言识别模型。由于在训练过程中，使用了预设的各种方言类别的质心，而其中每一种方言类别的质心均可表征该方言类别的特征，从而为方言的识别提供了可靠的依据。
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公开(公告)号：CN119384193A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310932781.7
申请日：2023-07-26
Applicant: TCL科技集团股份有限公司 , 广东聚华新型显示研究院
Inventor： 张天朔
Abstract: 本申请公开了一种光电器件及其制备方法及显示装置，制备方法包括以下步骤：提供预制器件，所述预制器件包括层叠的阴极和金属层；在所述金属层背离所述阴极的一侧设置氧化锌层；以及，形成阳极，得到光电器件；其中，所述金属层的材料包括金、铂中的一种或两种。本申请旨在延长光电器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119384158A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310924896.1
申请日：2023-07-25
Applicant: 广东聚华新型显示研究院 , TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 王华民
IPC: H10K50/826 , H10K71/60 , H10K50/115 , H10K59/10
Abstract: 本申请提供复合电极、制备方法、光电器件以及柔性显示器件，涉及光电器件技术领域。该复合电极包括液态金属。本申请通过在复合电极上设置液态金属，即使本申请中的复合电极在不断弯折情况下产生裂纹，液态金属能够对裂纹进行填充修复，从而提高复合电极的性能稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119370846A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310939099.0
申请日：2023-07-27
Applicant: TCL科技集团股份有限公司 , 广东聚华新型显示研究院
Inventor： 刘铭恕
IPC: C01B32/921 , C01G9/02 , C01B32/90 , C01B21/082 , C01B21/06 , C01G25/02 , C01G19/02 , C01G35/00 , C01G23/053 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H10K71/30 , H10K50/165
Abstract: 本申请公开了一种复合材料的其制备方法、复合材料、光电器件和显示装置。所述复合材料的制备方法包括：提供前驱体溶液，所述前驱体溶液中包括Mxene、金属阳离子源和第一溶剂；水热处理，得到无机半导体粒子/Mxene复合材料溶液；对所述无机半导体粒子/Mxene复合材料溶液进行微波处理，得到复合材料，所述复合材料包括无机半导体粒子和Mxene量子点。本申请所述的复合材料的制备方法可使无机半导体粒子与Mxene量子点之间具有较强的电场稳定性，进而使包含其的光电器件具有较好的发光性能。
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公开(公告)号：CN119220246A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310801363.4
申请日：2023-06-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司 , 广东聚华新型显示研究院
Inventor： 陈虹滨
IPC: C09K11/02 , B01L3/00 , C09K11/88 , C09K11/56 , C09K11/70 , C09K11/62 , C09K11/74 , C09K11/75 , C09K11/64 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种量子点的制备方法及微流控反应系统。所述量子点的制备方法包括以下步骤：提供前驱体溶液，所述前驱体溶液包括前驱体和第一溶剂；提供第二溶剂，并将所述第二溶剂和所述前驱体溶液混合得到量子点；其中，所述第二溶剂和所述第一溶剂互溶，且与所述前驱体不溶。本申请提供了一种新型的合成量子点的方法。
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公开(公告)号：CN119183313A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310750837.7
申请日：2023-06-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K59/10
Abstract: 本申请公开了一种发光器件及显示装置，所述发光器件依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述发光层的材料包括量子点，所述发光层的厚度为所述量子点的平均粒径的0.8n～1.2n倍，n为大于等于3的整数；所述空穴传输层的材料的迁移率为10×10‑3～100×10‑3cm2/Vs。本申请旨在同时提升器件的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN119183312A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310750810.8
申请日：2023-06-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K59/10 , H10K85/00 , H10K101/30
Abstract: 本申请公开了一种发光器件及显示装置，所述发光器件包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述空穴传输层与所述发光层的能级差为0.1～0.7eV，且所述空穴传输层的材料的迁移率小于等于1×10‑5cm2/Vs；其中，所述发光层的材料包括核壳量子点，所述发光层的厚度为所述核壳量子点的平均粒径的1～1.5倍。本申请旨在针对空穴传输层采用低迁移率材料时，同时提升发光器件的发光效率和寿命。
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公开(公告)号：CN119183311A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310750696.9
申请日：2023-06-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K59/10 , H10K85/00 , H10K101/30
Abstract: 本申请公开了一种发光器件及显示装置，所述发光器件包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述空穴传输层与所述发光层的能级差的绝对值为0.1～1.6eV，且所述空穴传输层包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，所述第一空穴传输材料的迁移率为2×10‑6～1×10‑3cm2/Vs，所述第二空穴传输材料的迁移率大于等于1×10‑3cm2/Vs；所述发光层的材料包括核壳量子点，所述核壳量子点具有自内而外的第一壳层和第二壳层，其中，所述第一壳层的材料为ZnSe，所述第二壳层的材料为CdZnS。本申请旨在同时提升发光器件的发光效率和使用寿命。
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