公开(公告)号：CN108026661B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201680049110.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 冈本武志 ,  近藤宏行 ,  金村高司 ,  宫原真一朗 ,  海老原康裕 ,  恩田正一 ,  土田秀一 ,  镰田功穗 ,  田沼良平

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。

公开(公告)号：CN108026661A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680049110.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 冈本武志 ,  近藤宏行 ,  金村高司 ,  宫原真一朗 ,  海老原康裕 ,  恩田正一 ,  土田秀一 ,  镰田功穗 ,  田沼良平

IPC: C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。

公开(公告)号：CN114351253A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111193447.1

申请日：2021-10-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 星乃纪博 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  神田贵裕 ,  冈本武志

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B25/08 ,  C30B33/02

Abstract: 提供能够得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭。得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶。本发明的碳化硅单晶的制造方法为，通过将原料气体供给至配置有籽晶基板的反应容器内，并且将前述反应容器内加热至既定温度，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，其特征在于，具有第1工序和第2工序，在前述第1工序中，将前述反应容器内的温度控制成第1既定温度的状态，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，由此进行贯通位错的湮灭、或者贯通位错的合成，在前述第2工序中，在前述第1工序后将前述反应容器内的温度维持成第1既定温度的状态，由此使前述贯通位错的末端接近籽晶基板的表面。

公开(公告)号：CN112513348A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980048251.8

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社电装 ,  东洋炭素株式会社 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  神田贵裕 ,  冈本武志 ,  鸟见聪 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。