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公开(公告)号：CN1311988C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN02820890.0
申请日：2002-10-22
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B41M5/26 , C07D471/06 , C07D221/14 , C07D403/04 , C07F17/02
CPC classification number: C09B5/62 , C07F17/00 , C07F17/02 , C09B57/08 , G11B7/244 , G11B7/247 , G11B7/249 , G11B7/2534 , G11B7/2542
Abstract: 在记录层中含有一种或多种选自具有金属茂残基的酰亚胺化合物的化合物的光记录媒体，以及由通式(1)表示的酰亚胺化合物：其中，环AR表示取代或未取代的芳环残基或将两个或多个芳环残基通过一个或多个连接基团连接而形成的残基；n表示结合到环AR上的酰亚胺基团的数目；Am表示结合到各酰亚胺基团的氮原子上的取代基A1～An中的任何一个；m表示1～n的整数，条件是，从A1～An中选择的至少一个取代基是具有至少一个取代或未取代的金属茂残基的取代基。
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公开(公告)号：CN110709774B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201880036679.6
申请日：2018-05-30
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本发明的下层膜形成用材料为用于形成多层抗蚀剂工艺所使用的抗蚀剂下层膜的下层膜形成用材料，其包含具有下述通式(1)所示的重复结构单元[A]和下述通式(2)所示的重复结构单元[B]的环状烯烃聚合物，上述环状烯烃聚合物中的上述结构单元[A]与上述结构单元[B]的摩尔比[A]/[B]为5/95以上95/5以下。
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公开(公告)号：CN108352320B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201680066760.X
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K5/092 , C08L101/02
Abstract: 一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。
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公开(公告)号：CN110709774A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036679.6
申请日：2018-05-30
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本发明的下层膜形成用材料为用于形成多层抗蚀剂工艺所使用的抗蚀剂下层膜的下层膜形成用材料，其包含具有下述通式(1)所示的重复结构单元[A]和下述通式(2)所示的重复结构单元[B]的环状烯烃聚合物，上述环状烯烃聚合物中的上述结构单元[A]与上述结构单元[B]的摩尔比[A]/[B]为5/95以上95/5以下。
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公开(公告)号：CN108352320A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680066760.X
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K5/092 , C08L101/02
CPC classification number: C08K5/092 , C08L101/02
Abstract: 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si-O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。
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