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公开(公告)号：CN117914303A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311341177.3
申请日：2023-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 一种半导体器件，包括：电压钳位电路，包括在接收到具有第一电平的电压时操作的多个第一元件，并且被配置为通过调节以第二电平摆动的外部输入信号的电压来输出以第一电平摆动的钳位信号，其中第二电平大于第一电平的两倍；第一缓冲电路，被配置为缓冲钳位信号；电平下移位器电路，被配置为降低钳位信号的电压，并输出在预定参考电压和高于参考电压的第一电源电压之间以第一电平摆动的内部输入信号；以及第二缓冲电路，被配置为缓冲内部输入信号，并将内部输入信号发送给核心电路。
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公开(公告)号：CN104103689A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410143763.1
申请日：2014-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823814 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/266 , H01L21/76805 , H01L21/76895 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L23/535 , H01L27/0288 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7848
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在一个实施方式中，半导体器件包括：至少一个有源鳍，从衬底突出；第一栅电极，交叉有源鳍；第一杂质区，形成在位于第一栅电极的第一侧的有源鳍上。第一杂质区的至少一部分形成在有源鳍上的第一外延层部分中。第二杂质区形成在位于第一栅电极的第二侧的有源鳍上。第二杂质区具有不形成在外延层中的至少一部分。
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公开(公告)号：CN118645503A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311603983.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种静电放电保护器件，所述静电放电保护器件包括：衬底、具有第一导电类型的第一阱和包围所述第一阱的第二阱、形成在所述第一阱上的第一扩散区至第五扩散区以及形成在所述第二阱上的第六扩散区和第七扩散区。所述第二扩散区包围所述第一扩散区，所述第四扩散区包围所述第三扩散区，并且所述第五扩散区包围所述第二扩散区和所述第四扩散区中的每一者。所述第六扩散区包围所述第五扩散区，并且所述第七扩散区包围所述第六扩散区。所述第六扩散区和所述第七扩散区连接到阳极电极，并且所述第一扩散区至所述第五扩散区连接到阴极电极。
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公开(公告)号：CN118522726A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410187184.0
申请日：2024-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了一种用于使用双极结型晶体管的静电放电保护的装置，所述装置包括：第一阱，具有第一导电类型；第一栅电极，在第一阱上；第一区域和第二区域，在第一阱上均具有第二导电类型，并且第一栅电极设置在第一区域与第二区域之间；第三区域，在第一阱上具有第二导电类型；以及第四区域，在第一阱上具有第一导电类型。第一栅电极和第一区域电连接到第一节点，并且第三区域电连接到第二节点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118282183A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311835444.2
申请日：2023-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备包括连接在第一节点和第二节点之间的第一钳位电路，其中，第一钳位电路包括：对称双极晶体管，包括控制端子、第一电流端子和第二电流端子，其中，第一电流端子和第二电流端子相对于控制端子彼此对称；第一双极晶体管，电连接到对称双极晶体管和第一节点；以及第二双极晶体管，电连接到对称双极晶体管和第二节点。
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公开(公告)号：CN117913760A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311339542.7
申请日：2023-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H02H9/04
Abstract: 静电放电钳位电路包括：连接在第一和第二节点之间的电阻器；连接在第二和第三节点之间的第一电容器；连接在第四和第三节点之间的第二电容器；连接在第五和第三节点之间的第三电容器；基于第二节点的电压提供电源电压或第四节点的电压的第一反相器；基于第四节点的电压提供第一反相器输出电压或第五节点的电压的第二反相器；配置为基于第五节点的电压提供第二反相器输出电压或地电压的第三反相器；和串联在向其提供电源电压的第一节点和向其提供地电压的第三节点之间的第一至第三钳位晶体管。第一钳位晶体管配置为基于第一反相器输出电压操作，第二钳位晶体管配置为基于第二反相器输出电压操作，第三钳位晶体管配置为基于第三反相器输出电压操作。
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公开(公告)号：CN117790496A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310848337.7
申请日：2023-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种静电放电保护器件，包括：衬底，包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱；以及第一扩散区至第八扩散区，形成在第一阱和第二阱上。扩散区中形成在第一阱中的至少一部分连接到第一电极，扩散区中形成在第二阱中的至少一部分连接到第二电极。扩散区中形成在第一阱中的一个扩散区与N阱之间的结点形成触发二极管。扩散区中形成在第二阱中的一个扩散区与P阱之间的结点形成触发二极管。触发二极管彼此电连接。
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公开(公告)号：CN103219718A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310016652.X
申请日：2013-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种静电放电(ESD)保护电路，包括：第一电源线；第二电源线；地线；两个堆叠的晶体管，串联在第一电源线和地线之间；第一电阻，连接在所述第一电源线和第一节点之间；第一晶体管和电容器，串联连接在所述第一节点和所述地线之间；第二晶体管，连接在所述第二电源线和第二节点之间；第三晶体管，连接在所述第一电源线和第三节点之间；反相器，连接在所述第三节点和地线之间，并且具有连接到所述第二节点的输入；第四晶体管，连接到所述第一电源线，并且具有连接到所述第二节点的栅极；第五晶体管，连接在所述第二电源线和所述第三节点之间，并且具有连接到所述第四晶体管的一端的栅极。
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公开(公告)号：CN1829411B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200610009480.3
申请日：2006-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 全灿熙
IPC: H05F3/00
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 一种连接在至少三个端子之间的静电放电电路，该静电放电电路包括至少一个静电放电电路元件，该静电放电电路元件进一步包括包含处于浮动状态的主体的至少一个电路元件。处于浮动状态的主体可以提供对静电电流放电的通路。该静电放电电路可以是一个上拉电路、多个上拉电路、一个下拉电路、多个下拉电路、一个电源箝位、多个电源箝位、或者其他类似的电路或多个电路。至少三个端子可以包括一个或多个电源端、一个或多个接地端、和/或一个或多个I/O端。
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