公开(公告)号：CN100435356C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN02120168.4

申请日：2002-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉龙 ,  南升浩 ,  李银京 ,  刘在镐 ,  金俊永

IPC: H01L31/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y10/00 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/035281

Abstract: 本发明提供一种硅光电器件和利用此硅光电器件的发光设备。此硅光电器件包括：基于n-型或p-型硅的衬底；在衬底的一个表面上形成并用预定掺杂剂掺杂到超浅深度的掺杂区，上述预定掺杂剂为与衬底相反的类型，以便在掺杂区和衬底之间的p-n结通过量子约束提供光电转换效应；在衬底上形成并将与掺杂区电连接的第一和第二电极。此硅光电器件进一步包括在衬底的一个表面上形成的控制层，以便用作形成掺杂区中的掩模并且用于限制超浅的掺杂区的深度。硅光电器件具有优异性能并可以用作发光器件或光接收器件。由于光电器件采用硅作为基础原料，它可以以低成本制造。