-
公开(公告)号：CN101191128A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610163635.9
申请日：2006-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12N15/10
CPC classification number: C12Q1/68 , C12M47/06 , C12N15/1006
Abstract: 提供了在单一芯片中破裂细胞或病毒并纯化核酸的方法，该方法包括：向芯片照射激光束，在芯片中，增强细胞裂解的金属氧化物、和结合细胞或病毒和核酸的金属氧化物顺序沉积在固体支持物上。通过开发可以在单个小室中进行细胞富集、细胞裂解、和核酸纯化的芯片，可以实现芯片实验室的集成化，所述三个工艺可以在一个芯片中进行，因此可以减少制造芯片的成本。
-
公开(公告)号：CN101191128B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200610163635.9
申请日：2006-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12N15/10
CPC classification number: C12Q1/68 , C12M47/06 , C12N15/1006
Abstract: 提供了在单一芯片中破裂细胞或病毒并纯化核酸的方法，该方法包括：向芯片照射激光束，在芯片中，增强细胞裂解的金属氧化物、和结合细胞或病毒和核酸的金属氧化物顺序沉积在固体支持物上。通过开发可以在单个小室中进行细胞富集、细胞裂解、和核酸纯化的芯片，可以实现芯片实验室的集成化，所述三个工艺可以在一个芯片中进行，因此可以减少制造芯片的成本。
-
公开(公告)号：CN100501524C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610172555.X
申请日：2006-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02B5/30 , G02B6/00 , G09F9/35 , G09F9/00 , F21V8/00 , F21V9/14
CPC classification number: G02B6/0056 , G02B6/0028 , G02B6/0053 , G02F1/133621
Abstract: 提供了一种能够提供彩色偏振光的照明设备和包括所述照明设备的显示设备。所述照明设备包括：光源；偏振导光板单元，其将从所述光源发射的光的偏振方向转化为线偏振光，并对所述光准直；以及胆甾型液晶滤色器，其设置在所述偏振导光板单元的上部上，用于根据光的偏振状态和波长有选择地反射光。
-
公开(公告)号：CN1538163A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410034658.0
申请日：2004-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/17
CPC classification number: C12Q1/6837
Abstract: 本发明提供了一种具有多层薄膜结构的DNA芯片。所述DNA芯片包括：载体；高反射区，其具有比载体高的折射率，并包括依次堆积在载体的预定区域之上的具有相对低折射率的薄膜以及具有相对高折射率的薄膜；低反射区，具有比载体低的反射率，并包括具有相对低的折射率薄膜，其堆积在载体高反射区的周围；至少固定在高反射区的DNA探针。DNA探针和用荧光染料标记的靶DNA之间的杂交反应发生在高反射区。DNA芯片杂交信号的检测灵敏度的增加为杂交信号提供了正确检测。
-
公开(公告)号：CN101063767A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610171140.0
申请日：2006-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02B6/00 , G02B5/30 , G02F1/1333
CPC classification number: G02B6/0053 , G02B6/0056
Abstract: 本发明提供一种偏振光导板(LGP)单元、采用该偏振LGP单元的背光单元和采用该背光单元的显示装置。该偏振LGP单元包括：LGP，引导由光源发射的光；准直仪，其设置在LGP上，并包括多个反射图案，每个图案具有在向上方向上反射LGP出射光的斜面；和偏振分离层，设置在多个反射图案和LGP之间，并透射第一偏振态的光和反射成直角该第一偏振态的第二偏振态的光。具有根据本发明上述构造的偏振LGP单元增加了偏振光的数量，并且增加了垂直于偏振LGP出射的光的数量。因而，当采用根据本发明的偏振LGP单元的背光单元用于显示装置时，其具有高的光利用率和改善的图像特性。本发明还提供了简单的背光单元。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1196207C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN02120170.6
申请日：2002-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/105 , H01L33/34 , H01L33/42 , H01L33/465
Abstract: 本发明提供一种发光器件和使用该设备的发光设备。所述发光器件包括n型或p型衬底；掺杂区，其在衬底一个表面上用预定掺杂剂形成并达到超浅深度，其中所述预定掺杂剂是与衬底掺杂剂相反的类型，由此通过量子约束效应从掺杂区和衬底之间的p-n结中发光；共振器，其提高从p-n结中发射光波长的选择性；和第一和第二电极，分别在衬底一个表面和另一表面上形成，用于喷射电子空穴和电子。该发光器件包括超浅掺杂区，由此它可以利用p-n结中量子约束效应来发光。增加一种只用于共振特定波长范围光的共振器结构，由此光波长的选择性得到明显提高并具有良好效率。通过共振器结构光发射强度得到增强，并且发射光的方向性与传统的发光设备相比得到进一步提高。
-
公开(公告)号：CN1431720A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN02120168.4
申请日：2002-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y10/00 , H01L31/0232 , H01L31/035281
Abstract: 本发明提供一种硅光电器件和利用此硅光电器件的发光设备。此硅光电器件包括：基于n－型或p－型硅的衬底；在衬底的一个表面上形成并用预定掺杂剂掺杂到超浅深度的掺杂区，上述预定掺杂剂为与衬底相反的类型，以便在掺杂区和衬底之间的p－n结通过量子约束提供光电转换效应；在衬底上形成并将与掺杂区电连接的第一和第二电极。此硅光电器件进一步包括在衬底的一个表面上形成的控制层，以便用作形成掺杂区中的掩模并且用于限制超浅的掺杂区的深度。硅光电器件具有优异性能并可以用作发光器件或光接收器件。由于光电器件采用硅作为基础原料，它可以以低成本制造。
-
公开(公告)号：CN101071225A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200610172555.X
申请日：2006-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02B5/30 , G02B6/00 , G09F9/35 , G09F9/00 , F21V8/00 , F21V9/14
CPC classification number: G02B6/0056 , G02B6/0028 , G02B6/0053 , G02F1/133621
Abstract: 提供了一种能够提供彩色偏振光的照明设备和包括所述照明设备的显示设备。所述照明设备包括：光源；偏振导光板单元，其将从所述光源发射的光的偏振方向转化为线偏振光，并对所述光准直；以及胆甾型液晶滤色器，其设置在所述偏振导光板单元的上部上，用于根据光的偏振状态和波长有选择地反射光。
-
公开(公告)号：CN1267566C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200410034658.0
申请日：2004-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: C12Q1/6837
Abstract: 本发明提供了一种具有多层薄膜结构的DNA芯片。所述DNA芯片包括：载体；高反射区，其具有比载体高的折射率，并包括依次堆积在载体的预定区域之上的具有相对低折射率的薄膜以及具有相对高折射率的薄膜；低反射区，具有比载体低的反射率，并包括具有相对低的折射率薄膜，其堆积在载体高反射区的周围；至少固定在高反射区的DNA探针。DNA探针和用荧光染料标记的靶DNA之间的杂交反应发生在高反射区。DNA芯片杂交信号的检测灵敏度的增加为杂交信号提供了正确检测。
-
公开(公告)号：CN1381908A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02120170.6
申请日：2002-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/105 , H01L33/34 , H01L33/42 , H01L33/465
Abstract: 本发明提供一种发光器件和使用该设备的发光设备。所述发光器件包括n型或p型衬底;掺杂区,其在衬底一个表面上用预定掺杂剂形成并达到超浅深度,其中所述预定掺杂剂是与衬底掺杂剂相反的类型,由此通过量子约束效应从掺杂区和衬底之间的p－n结中发光;共振器,其提高从p－n结中发射光波长的选择性;和第一和第二电极,分别在衬底一个表面和另一表面上形成,用于喷射电子空穴和电子。该发光器件包括超浅掺杂区,由此它可以利用p－n结中量子约束效应来发光。增加一种只用于共振特定波长范围光的共振器结构,由此光波长的选择性得到明显提高并具有良好效率。通过共振器结构光发射强度得到增强,并且发射光的方向性与传统的发光设备相比得到进一步提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.044 seconds)
