公开(公告)号：CN1750234A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510079521.1

申请日：2005-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  池京求 ,  姜昌珍 ,  李哲圭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0331 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76897

Abstract: 提供一种使用硅化锗牺牲层形成半导体器件的精细图形的方法以及使用该方法形成自对准接触的方法。形成半导体器件的自对准接触的方法包括在衬底上形成具有导电材料层、硬掩模层以及侧壁隔片的导电线结构，以及在衬底的整个表面上形成硅化锗(Si1－xGex)牺牲层，具有等于或高于至少导电线结构的高度的高度。然后，在牺牲层上形成用于限定接触孔的光刻胶图形，以及干法刻蚀牺牲层，由此形成用于露出衬底的接触孔。使用多晶硅形成用于填充接触孔的大量接触，以及剩余的牺牲层被湿法刻蚀。然后，用氧化硅填充除去了牺牲层的区域，由此形成第一层间绝缘层。

公开(公告)号：CN1157763C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN98125611.2

申请日：1998-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵昶贤 ,  郑弘植 ,  李宰求 ,  姜昌珍 ,  郑相燮 ,  郑澈 ,  郑灿旭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/10844 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10888

Abstract: 公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层；在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层；在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形，以暴露所说有源区和部分无源区；腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层，形成自对准接触开口；去掉掩模图形；在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层；平面化腐蚀导电层和层间介质层，从而至少形成两个接触焊盘。

公开(公告)号：CN1128474C

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN98103740.2

申请日：1998-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳雨 ,  卢俊镛 ,  具本荣 ,  姜昌珍 ,  郑澈 ,  南硕佑

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种可防止由于图形化存储电极时发生套刻失准而造成的位线氧化的半导体存储器件制造方法和半导体存储器件。在此方法中，在位线上或接触孔中形成氧化阻挡层，如氮化层，以便阻止氧通过扩散进入位线结构中，从而防止位线的氧化。

公开(公告)号：CN1202003A

公开(公告)日：1998-12-16

申请号：CN98103740.2

申请日：1998-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳雨 ,  卢俊镛 ,  具本荣 ,  姜昌珍 ,  郑澈 ,  南硕佑

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种可防止由于图形化存储电极时发生套刻失准而造成的位线氧化的半导体存储器件制造方法和半导体存储器件。在此方法中,在位线上或接触孔中形成氧化阻挡层,如氮化层,以便阻止氧通过扩散进入位线结构中,从而防止位线的氧化。